发光元件封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件封装结构。发光元件封装结构包括至少一发光元件、波长转换胶层以及保护件。发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面上，且波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与第二边缘。保护件包覆发光元件的侧表面与波长转换胶层的第二边缘，且暴露出发光元件的下表面。保护件的第三边缘切齐于波长转换胶层的第一边缘。本发明专利技术提供的发光元件封装结构不仅可具有较佳的侧向出光效果，还具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件封装结构，尤其涉及一种采用发光二极管的发光元件封装结构及其制作方法。
技术介绍
由于发光二极管具有体积小及使用寿命长的优点，因此以发光二极管作为光源的应用已经越来越常见。由于发光二极管是一种具有指向性的光源，所以位于发光二极管前方的光直射区通常具有较高的亮度，而非光直射区域的亮度便较低于光直射区域的亮度。基于发光二极管的指向性特性，因此使得发光二极管多是应用于局部需要高亮度的光源装置中，进而使发光二极管的应用受限。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光元件封装结构，其具有较佳的侧向出光效果。本专利技术还提供一种发光元件封装结构的制作方法，用以制作上述的发光元件封装结构。本专利技术的发光元件封装结构，其包括至少一发光元件、波长转换胶层以及保护件。发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面上。波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与第二边缘。保护件包覆发光元件的侧表面与波长转换胶层的第二边缘，且暴露出发光元件的下表面。保护件的第三边缘切齐于波长转换胶层的第一边缘。在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换胶层包括低浓度胶层以及高浓度胶层。发光元件的上表面接触高浓度胶层。低浓度胶层具有第一边缘与第二边缘。高浓度胶层具有彼此相对的第四边缘与第五边缘。低浓度胶层的第一边缘延伸至高浓度胶层的第四边缘外，而高浓度胶层的第五边缘切齐于低浓度胶层的第二边缘。在本专利技术的一实施例中，上述的保护件包括第一保护件与第二保护件。低浓度胶层具有彼此相对的第一表面与第二表面。高浓度胶层配置于低浓度胶层的第一表面上。第二保护件包覆发光元件的侧表面、低浓度胶层的第二边缘以及高浓度胶层的第四边缘与第五边缘。第二保护件的顶面切齐于低浓度胶层的第二表面。第一保护件覆盖低浓度胶层的第二表面与第二保护件的顶面。在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换胶层的第一边缘的长度大于第二边缘的长度。在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换胶层具有彼此相对的固晶平台以及倾斜底部。发光元件位于固晶平台上，且倾斜底部与第一边缘的延伸方向之间具有锐角。在本专利技术的一实施例中，上述的保护件包括第一保护件与第二保护件。第一保护件包覆波长转换胶层。第二保护件包覆发光元件的侧表面且覆盖第一保护件。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括分布式布拉格反射层，配置于第一保护件相对远离波长转换胶层的侧表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括反射保护层，配置于分布式布拉格反射层上，其中分布式布拉格反射层位于第一保护件与反射保护层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括分布式布拉格反射层，配置于波长转换胶层的倾斜底部上且覆盖倾斜底部。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括分布式布拉格反射层，配置于发光元件的上表面，其中分布式布拉格反射层完全覆盖或部分覆盖发光元件的上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件封装结构还包括固晶胶层，配置于发光元件的侧表面与保护件之间。在本专利技术的一实施例中，上述的至少一发光元件为多个发光元件。发光元件间隔排列，且相邻的两发光元件暴露出于部分波长转换胶层。本专利技术的发光元件封装结构，其包括至少一发光元件、波长转换胶层以及保护件。发光元件具有上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面上，其中波长转换胶层具有彼此相对的第一侧面与第二侧面以及连接第一侧面与第二侧面的顶表面。保护件包覆发光元件的侧表面、波长转换胶层的第二侧面以及波长转换胶层的顶表面，其中保护件的第三侧面切齐于波长转换胶层的第一侧面。在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换胶层的第一侧面的长度大于第二侧面的长度。在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换胶层具有与顶表面彼此相对的固晶平台，而发光元件位于固晶平台上。在本专利技术的一实施例中，上述的保护件包括第一保护件与第二保护件。第一保护件包覆发光元件的侧表面，而第二保护件包覆波长转换胶层并暴露出波长转换胶层的第一侧面。本专利技术的发光元件封装结构，其包括至少一发光元件、第一保护件、波长转换胶层以及第二保护件。发光元件具有上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。第一保护件包覆发光元件的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面及部分第一保护件上，其中波长转换胶层具有彼此相对的第一侧面与第二侧面以及连接第一侧面与第二侧面的顶表面。第二保护件配置于部分第一保护件上并至少包覆波长转换胶层的第二侧面及波长转换胶层的顶表面。发光元件具有出光平面，出光平面包含第一保护件的部分第三侧面、波长转换胶层的第一侧面以及第二保护件的部分第四侧面。在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换胶层的第一侧面的长度大于第二侧面的长度。在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换胶层具有与顶表面彼此相对的固晶平台，而发光元件位于固晶平台上。在本专利技术的一实施例中，上述的第一保护件还包括反射曲面，反射曲面围绕发光元件的侧表面并与侧表面接触。本专利技术的发光元件封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供波长转换胶层，波长转换胶层包括低浓度胶层与高浓度胶层。形成第一保护件于波长转换胶层的低浓度胶层上。进行切割程序，而形成多个第一凹口与多个第二凹口，其中第一凹口暴露出低浓度胶层，而第二凹口分别连通第一凹口且暴露出部分第一保护件，每一第二凹口的孔径小于对应的第一凹口的孔径。将多个发光元件配置于波长转换胶层上，其中每一发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面，而发光元件的上表面接触高浓度胶层上。形成第二保护件于第一保护件上，第二保护件包覆发光元件的侧表面与波长转换胶层，且填满第一凹口与第二凹口。进行切割程序，以沿着第二凹口的位置切割第二保护件与第一保护件，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构，其中每一发光元件封装结构的第一保护件的第一边缘、第二保护件的第二边缘以及波长转换胶层的低浓度胶层的第三边缘切齐。在本专利技术的一实施例中，上述的进行切割程序的步骤包括：进行第一切割程序，以从高浓度胶层切割至低浓度胶层，而形成第一凹口；以及进行第二切割程序，以沿着第一凹口切穿低浓度胶层，而形成第二凹口。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法，还包括：将发光元件配置于波长转换胶层上之后，且于形成第二保护件之前，形成固晶胶层于发光元件的侧表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件封装结构的制作方法，还包括：于形成第一保护件之后，且于进行切割程序之前，提供双面胶膜，第一保护件位于双面胶膜与低浓度胶层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的第一保护件的反射率与第二保护件的反射率至少大于90％。本专利技术的发光元件封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供第一保护件，第一保护件具有多个第一凹口，每一第一凹口具有倾斜底面。提供波长转换材料以填满第一凹口，而定义出多个波长转换胶层。每一波长转换胶层具有固晶平台，且每一波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与第二边缘，第一边缘的长度大于第二边缘的长度。将多个发光元件分别配置于波长转换胶层上，其中每一发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面，而发光元件的上表面分别接触固晶平台。形成第二保护件，以包覆发光元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件封装结构，其特征在于，包括：至少一发光元件，具有彼此相对的上表面与下表面以及连接所述上表面与所述下表面的侧表面；波长转换胶层，配置于所述发光元件的所述上表面上，其中所述波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与第二边缘；以及保护件，包覆所述发光元件的所述侧表面与所述波长转换胶层的所述第二边缘，且暴露出所述发光元件的所述下表面，其中所述保护件的第三边缘切齐于所述波长转换胶层的所述第一边缘。

【技术特征摘要】
2016.01.08 TW 105100508;2015.09.18 US 62/220,249;21.一种发光元件封装结构，其特征在于，包括：至少一发光元件，具有彼此相对的上表面与下表面以及连接所述上表面与所述下表面的侧表面；波长转换胶层，配置于所述发光元件的所述上表面上，其中所述波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与第二边缘；以及保护件，包覆所述发光元件的所述侧表面与所述波长转换胶层的所述第二边缘，且暴露出所述发光元件的所述下表面，其中所述保护件的第三边缘切齐于所述波长转换胶层的所述第一边缘。2.根据权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述波长转换胶层包括低浓度胶层以及高浓度胶层，所述发光元件的所述上表面接触所述高浓度胶层，所述低浓度胶层具有所述第一边缘与所述第二边缘，所述高浓度胶层具有彼此相对的第四边缘与第五边缘，所述低浓度胶层的所述第一边缘延伸至所述高浓度胶层的所述第四边缘外，而所述高浓度胶层的所述第五边缘切齐于所述低浓度胶层的所述第二边缘。3.根据权利要求2所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述保护件包括第一保护件与第二保护件，所述低浓度胶层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述高浓度胶层配置于所述低浓度胶层的所述第一表面上，所述第二保护件包覆所述发光元件的所述侧表面、所述低浓度胶层的所述第二边缘以及所述高浓度胶层的所述第四边缘与所述第五边缘，所述第二保护件的顶面切齐于所述低浓度胶层的所述第二表面，而所述第一保护件覆盖所述低浓度胶层的所述第二表面与所述第二保护件的所述顶面。4.根据权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述波长转换胶层的所述第一边缘的长度大于所述第二边缘的长度。5.一种发光元件封装结构，其特征在于，包括：至少一发光元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪政暐，郭柏村，杜隆琦，张瑞夫，林育锋，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71