【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备碳化硅晶须的方法，其特征在于用粘土原料作为硅源，碳黑作为碳源，采用（粘土＋碳黑混合层）（ａ层）＋碳黑层（ｂ）的分层工艺，装填在容器内，在非氧化性气氛下，于１３５０～１６００℃加热２～６小时，在粘土＋碳黑混合层中得到高Ａｌ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕含量的残留层，晶须层与残留层易于分层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周毅，李凝芳，
申请(专利权)人：武汉工业大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]
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