温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

用粘土原料作硅源，采用（粘土＋碳黑混合层）＋碳黑层分层工艺，在非氧化性气氛下，于１３５０℃～１６００℃加热，能够制备碳化硅晶须，晶须长１０～２００μｍ，直径０．１～２μｍ，非晶须状碳化硅含量小于２０％，利用这种制备方法可以进行碳化硅晶须的大...
该专利属于武汉工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。