一种取消可控硅RC吸收回路的控制器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主体、红外线发射装置和可控硅控制器内壳，所述可控硅控制器主体上表面安装有开关键，且开关键右侧安装有模式键，所述可控硅控制器主体上表面安装有显示器装置，且显示器装置下方安装有工作指示灯装置，所述可控硅控制器主体下方安装有蓄电池装置，所述可控硅控制器主体内部安装有可控硅控制器内壳。本实用新型专利技术中，主要采用高抗可控硅SCR模块，无需附加RC吸收电路，从而避免的常规情况下使用RC吸收电路所导致的电路成本过高、品质不良率高等缺点，采用高抗可控硅SCR模块，驱动方式合理，保护到位，无需附加RC吸收电路，控制器反馈更加流畅。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及控制器
，尤其涉及一种取消可控硅RC吸收回路的控制器。
技术介绍
目前，随着科技发展，各种产品不断交替更换，而人们对产品的要求也越来越高，原本功能单一的产品项目已经不得不淘汰，现有市场上控制器采用普通可控硅RC吸收电路的质量和功能已经不能满足人们的需要，如图3所示，可控硅RC吸收电路占一定体积，且市场反馈RC电路有很大比例不良，采用高抗可控硅SCR模块，驱动方式合理，保护到位，无需附加RC吸收电路，因此根据市场需要，亟需一款可控硅RC吸收回路的控制器来弥补现有技术中的不足。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：本技术公开了一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主体、红外线发射装置和可控硅控制器内壳，所述可控硅控制器主体上表面安装有开关键，且开关键右侧安装有模式键，所述可控硅控制器主体上表面安装有显示器装置，且显示器装置下方安装有工作指示灯装置，所述可控硅控制器主体下方安装有蓄电池装置，所述可控硅控制器主体内部安装有可控硅控制器内壳，所述可控硅控制器内壳上方安装有红外线发射装置，所述红外线发射装置下方安装有数据连接线装置，所述可控硅控制器内壳上方安装有高抗可控硅SCR模块，所述可控硅控制器内壳上方安装有处理器装置，所述可控硅控制器内壳上方安装有主板固定装置。优选的，所述高抗可控硅SCR模块为三端双向可控硅开关。优选的，所述蓄电池装置左侧上方安装有时间加键。优选的，所述蓄电池装置右侧上方安装有时间减键。优选的，所述开关键下方安装有温度加键。优选的，所述模式键下方安装有温度减键。本技术中，主要采用三端双向的高抗可控硅SCR模块，无需附加RC吸收电路，从而避免的常规情况下使用RC吸收电路所导致的电路成本过高、品质不良率高等缺点，采用高抗可控硅SCR模块，驱动方式合理，保护到位，无需附加RC吸收电路，控制器反馈更加流畅，增加其运行速度提升控制器整体的质量，在可控硅控制器内部安装有主板固定装置，可以有效的控制内部零件的松紧性，使其更加牢固、安全，在可控硅控制器内部上方安装有红外线发射装置，能轻松的使用控制器来遥控物品，方便快捷。附图说明图1为本技术提出的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器的外部结构示意图；图2为本技术提出的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器的内部结构示意图；图3为本技术提出的一种取消可控硅RC吸收回路的控制器未取消RC吸收回路的电路图；图4为本技术提出的高抗可控硅SCR模块取消RC吸收电路后的电路图。图中：1可控硅控制器主体、2开关键、3温度加键、4时间加键、5显示器装置、6工作指示灯装置、7模式键、8温度减键、9时间减键、10蓄电池装置、11红外线发射装置、12数据连接线装置、13高抗可控硅SCR模块、14可控硅控制器内壳、15主板固定装置、16处理器装置。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1-2，本技术公开了一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主体1、红外线发射装置11和可控硅控制器内部14，可控硅控制器主体1上表面安装有开关键2，且开关键2右侧安装有模式键7，可控硅控制器主体1上表面安装有显示器装置5，且显示器装置5下方安装有工作指示灯装置6，可控硅控制器主体1下方安装有蓄电池装置10，可控硅控制器主体1内部安装有可控硅控制器内壳14，可控硅控制器内壳14上方安装有红外线发射装置11，红外线发射装置11下方安装有数据连接线装置12，可控硅控制器内壳14上方安装有高抗可控硅SCR模块13，可控硅控制器内壳14上方安装有处理器装置16，可控硅控制器内壳14上方安装有主板固定装置15，蓄电池装置10左侧上方安装有时间加键4,蓄电池装置10右侧上方安装有时间减键9,开关键2下方安装有温度加键3,模式键7下方安装有温度减键8。参照图4，本实施例中的高抗可控硅SCR模块13为三端双向可控硅开关。工作原理：当使用该可控硅RC吸收回路的控制器时，先将电池安放进蓄电池装置10里，保持可控硅控制器主体1的通电状态，好随时工作，拿起可控硅控制器主体1点击开关键2，可控硅控制器主体1正常运行，可点击模式键7来选择适应的模式，此时可点击温度加键3、温度减键8、时间加键4、时间减键9通过红外线发射装置11来进行调节，控制是否进行中可通过工作指示灯装置6来进行判断，如失效应采取修补措施，可在显示器装置5中观看运行状态，运行该可控硅RC吸收回路的控制器时，主板固定装置15起到了固定作用，为了避免晃动而引起的机械故障和不适，运行时红外线发射装置11连接数据连接线装置12通电发射红外线作为信号，在可控硅控制器内壳14的高抗可控硅SCR模块13，当发放指令时高抗可控硅SCR模块13迅速处理信息，反馈速率极高，把信息迅速传输到处理器装置16上，经处理将信号发射出去，通过高抗可控硅SCR模块13取消RC吸收回路，可杜绝RC损坏所带来的品质问题，给整机品质提供保证。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主体(1)、红外线发射装置(11)和可控硅控制器内壳(14)，其特征在于，所述可控硅控制器主体(1)上表面安装有开关键(2)，且开关键(2)右侧安装有模式键(7)，所述可控硅控制器主体(1)上表面安装有显示器装置(5)，且显示器装置(5)下方安装有工作指示灯装置(6)，所述可控硅控制器主体(1)下方安装有蓄电池装置(10)，所述可控硅控制器主体(1)内部安装有可控硅控制器内壳(14)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有红外线发射装置(11)，所述红外线发射装置(11)下方安装有数据连接线装置(12)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有高抗可控硅SCR模块(13)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有处理器装置(16)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有主板固定装置(15)。

【技术特征摘要】
1.一种取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主体(1)、红外线发射装置(11)和可控硅控制器内壳(14)，其特征在于，所述可控硅控制器主体(1)上表面安装有开关键(2)，且开关键(2)右侧安装有模式键(7)，所述可控硅控制器主体(1)上表面安装有显示器装置(5)，且显示器装置(5)下方安装有工作指示灯装置(6)，所述可控硅控制器主体(1)下方安装有蓄电池装置(10)，所述可控硅控制器主体(1)内部安装有可控硅控制器内壳(14)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有红外线发射装置(11)，所述红外线发射装置(11)下方安装有数据连接线装置(12)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有高抗可控硅SCR模块(13)，所述可控硅控制器内壳(14)上方安装有处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：何淦，张鹏，
申请(专利权)人：浙江朗科智能电气有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33