红外线传感器高真空封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种红外线传感器高真空封装结构，包括一基座、一红外线感测芯片、一金属上盖、一光学透视窗、一吸气剂及多条金属导线。该基座具有一腔体及多个导电部，该多个导电部延伸于腔体内形成焊点。红外线感测芯片固接于腔体内，其上具有一晶圆，该晶圆电连接到电路板上，该电路板具有多个导电接点。该多个金属导线电连接该多个焊点及导电接点。该金属上盖固接基座的腔体中，其上具有一窗口。该光学透视窗固接于该窗口中。该吸气剂设于该光学透视窗的第二表面上。本实用新型专利技术使红外线传感器体积缩小可朝微型化设计，使封装制程工艺减少，以降减少零件的产生及基座的污染，提高封装的泄漏率与使用年限，降低制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种红外线传感器，尤指一种无热电致冷器ThermoelectricCooling，TEC)的三件式的红外线传感器高真空封装结构。
技术介绍
已知，目前用以感测热源辐射的红外线传感器的结构具有一金属基座，该金属基座具有一腔体，该腔体中固设有一热电致冷器(TEC)，于该热电致冷器的表面上固接有一红外线感测芯片，且于该腔体内固设有一吸气剂，在于该金属基座上方设有焊料片，以该焊料片将一玻璃层固接于金属基座上。红外线传感器在运用时，外部的热源辐射(红外线)通过玻璃层进入于腔体中，该热源辐射将被红外线感测芯片感测以输出清晰的图像。以吸气剂使该腔体保一真空度状态，并以该热电致冷器吸取红外线感测芯片工作时所产生的热源，使该红外线感测芯片能正常工作。由于上述的红外线传感器的吸气剂与红外感测芯片在金属基座同一侧，吸气剂激活需要在高温环境下(>300度以上)，这导致红外感测芯片无法承受这样的高温，而失去感测温度的功效。吸气剂与红外线感测芯片位于同侧、金属基座需制作焊垫与吸气剂接着，致使金属基座制作成本较高。吸气剂与红外线感测芯片同侧设计、其激活方式需采电激方式，无法使用加热式激活，因电激方式所使用的机台构造费用造价较高。且在金属基座内固设有热电致冷器，使封装后模块体积无法以较微小化设计呈现使用体积较大。
技术实现思路
因此，本技术的主要目的在于提供一个红外线传感器高真空封装结构，使红外线传感器体积缩小可朝微型化设计，使封装制程工艺减少，以降减少零件的产生及基座的污染，进而提高封装的泄漏率与使用年限，以及降低制作成本。本技术的另一目的在于将吸气剂设计在远离红外感测芯片的另一侧，与红外线感测芯片隔离设计，封装过程利用机台的分层加热方式有效阻隔红外线感测芯片因受温度影响，并让吸气剂得以接受到激活温度，同时确保红外线感侧芯片功能完整同时又可达到一个真空度较高的完美封装。为达上述的目的，本技术提供一种红外线传感器高真空封装结构，包括：一基座，其上具有一腔体及多个导电部，该多个导电部一端延伸于该腔体内并形成焊点；一红外线感测芯片，以固接于该腔体内，该红外线感测芯片上具有一红外线的晶圆，该晶圆电性连接到一电路板上，该电路板上具有多个导电接点；多条金属导线，以电性连接于多个该焊点及该多个导电接点上；一金属上盖，固接于该基座的腔体中，该金属上盖上具有一凸起部，该凸起部具有一窗口；一光学透视窗，固接于该窗口中，该光学透视窗上具有一第一表面及一第二表面；一吸气剂，设于该光学透视窗的第二表面上；其中，该基座与该金属上盖固接后，使该吸气剂封接于该基体与该金属上盖所形成的腔体中。其中，该基座的腔体内具有一凸垣部。其中，还包括一焊料片，该焊料片设于该凸垣部上。其中，该凸起部为中空状，其外侧延伸有一接合部，该接合部与该焊料片固接，该凸起部内侧延伸有一承载部，该承载部上接合该焊料片，以固接该光学透视窗。其中，该第二表面上设有一光罩层。其中，该光学透视窗能够使8μm-14μm的远红外线波长穿过的锗晶圆。其中，该基座的材料为塑料或陶瓷，该基座的该多个导电部为有引脚的接脚，该多个导电部设于该基座二侧并形成相对应状态的双列式封装结构，或该多个接脚设于该基座的四边。其中，该基座的材料为塑料或陶瓷，该基座为无引脚的基座，该多个个导电部设于该基座的四边。其中，该吸气剂配置于该金属上盖的背面。其中，该吸气剂配置于该金属上盖的凸起部内部。附图说明图1，为本技术的第一实施例的红外线传感器高真空封装结构的封装方法流程示意图；图2，本技术的第一实施例的红外线传感器高真空封装结构的外观立体示意图；图3，为图2的外观立体分解示意图；图4a，为图2的光学透视窗的第二表面示意图；图4b，为图2的另一光学透视窗的第二表面示意图；图4c，为图2的再一光学透视窗的第二表面示意图；图5，为图2的光学透视窗与金属上盖固接的背面示意图；图6，为图2的另一光学透视窗与金属上盖固接的背面示意图；图7，为图2的侧剖视示意图；图8，为本技术的第二实施例的红外线传感器高真空封装结构的外观立体分解示意图。图中：S100-S142-步骤；100、200-红外线传感器高真空封装结构；110、210-基座；112、212-腔体；114、214-导电部；116-凸垣部；118、218-焊点；120、220-红外线感测芯片；122-晶圆；124-电路板；126-导电接点；130、230-焊料片；140、240-光学透视窗；142-第一表面；144-第二表面；146-光罩层；150、150a、150b、250-吸气剂；160、260-金属上盖；162-凸起部；164-窗口；166-接合部；168-承载部；170-金属导线。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。请参阅图1，为本技术的第一实施例的红外线传感器高真空封装结构的封装方法流程示意图；且第一实施例的图2-图7与图8的封装技术相同，所特举第一实施例的图2-图7与图1作说明，如图所示：首先，如步骤S100，备有一基座110，该基座110具有一腔体112及多个导电部114，该多个导电部114一端延伸于该腔体112内并形成裸露状态的焊点118。于该基座110的腔体112具有一凸垣部116，该凸垣部116用以固接该光学透视窗140。在本图式中，该基座110为塑料或陶瓷材料，且该基座110的多个导电部114为有引脚的接脚，该导电部114设于该基座110二侧并形成相对应状态的双列式封装(DualIn-LinePackage，DIP)结构，或该多个接脚设于该基座110的四边以形成四列式封装结构，或者无引脚基座(leadlesschipcarrier)结构。步骤S102，清洗处理，将基座110送入于机台中通过清水或化学药剂清洗，将基座110上所残留的不洁物清洗处理。步骤S104，烘烤处理，将清洗过后的基座110送入烤箱中，以利用一适当温度进行烘烤，将基座110上所残留的水或化学药剂烘干。步骤S106，固晶处理，将基座110内部的腔体112涂胶体，使该红外线感测芯片120黏着于该腔体112内部。该红外线感测芯片120以红外线的晶圆122电性黏贴到电路板124上，该电路板124上具有多个导电接点126。在本图式中，该胶体为绝缘胶或导电胶。步骤S108，烘烤处理，在该基座110与该红外线感测芯片120固晶后，送入于烤箱烘烤，使该胶体干涸。步骤S110，电浆处理，在基座110与红外线感测芯片120进行打线前，利用电浆清洗基座110的该多个焊点118及该红外线感测芯片120的该多个导电接点126清洗，以避免该多个焊点118及该多个导电接点126的氧化发生。步骤S112，打线处理，利用机台将金属导线170电性连接于该基座110的该多个焊点118及该红外线感测芯片120的该多个导电接点126之间。步骤S114，预焊处理，将预焊的焊料片130置于该基座110的凸垣部116上，以备在进回焊炉时，可以与光学透视窗140进行焊接。步骤S116，检查处理，以人员检测步骤S114的焊料片130焊接稳固。步骤S118，测试处理，在前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，包括：一基座，其上具有一腔体及多个导电部，该多个导电部一端延伸于该腔体内并形成焊点；一红外线感测芯片，以固接于该腔体内，该红外线感测芯片上具有一红外线的晶圆，该晶圆电性连接到一电路板上，该电路板上具有多个导电接点；多条金属导线，以电性连接于多个该焊点及该多个导电接点上；一金属上盖，固接于该基座的腔体中，该金属上盖上具有一凸起部，该凸起部具有一窗口；一光学透视窗，固接于该窗口中，该光学透视窗上具有一第一表面及一第二表面；一吸气剂，设于该光学透视窗的第二表面上；其中，该基座与该金属上盖固接后，使该吸气剂封接于该基体与该金属上盖所形成的腔体中。

【技术特征摘要】
1.一种红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，包括：一基座，其上具有一腔体及多个导电部，该多个导电部一端延伸于该腔体内并形成焊点；一红外线感测芯片，以固接于该腔体内，该红外线感测芯片上具有一红外线的晶圆，该晶圆电性连接到一电路板上，该电路板上具有多个导电接点；多条金属导线，以电性连接于多个该焊点及该多个导电接点上；一金属上盖，固接于该基座的腔体中，该金属上盖上具有一凸起部，该凸起部具有一窗口；一光学透视窗，固接于该窗口中，该光学透视窗上具有一第一表面及一第二表面；一吸气剂，设于该光学透视窗的第二表面上；其中，该基座与该金属上盖固接后，使该吸气剂封接于该基体与该金属上盖所形成的腔体中。2.根据权利要求1所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该基座的腔体内具有一凸垣部。3.根据权利要求2所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，还包括一焊料片，该焊料片设于该凸垣部上。4.根据权利要求3所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该凸起部为中空状，其外侧延伸有一接合部...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志鑫，周雪峰，林明芳，方豫龙，
申请(专利权)人：菱光科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71