监控HDP腔室漏率的方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种监控HDP腔室漏率的方法及系统，通过优化清洗(clean)之后的净化(purge)和抽气(pump)过程，在净化之后通过比较长时间泵抽和长时间密闭腔室，并侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，计算腔室漏率，打破现有的单一手动漏率监测模式，实现自动漏率监控，及时发现问题，降低产品风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种监控HDP腔室漏率的方法及系统。
技术介绍
半导体集成电路制造工艺中，高密度等离子体制程(HDP,HighDensePlasmaprocess)由于良好的填孔能力，广泛应用于STI(ShallowTrenchInsulation)和PMD(Pre-MetalDielectric)介质层填充。HDP制程的反应压力只有2～10utorr，腔室需要非常好的密闭性，如果有微漏会直接导致压力变化，影响颗粒，溅射率等参数，对产品缺陷，填孔能力都会造成重大影响。在实际的生产作业中，O-ring破损，Topnozzle裂缝等都会导致腔室微漏，这些零件都在PM的时候检查，或者在腔室空闲状态下，利用机台自带程式，手动漏率(Leakrate)检查，一般在PM前后或者日常，相对耗时并且不能实时监控，产品风险较大，但如果在制程作业中破损，由于目前的漏率点检需要手动操作，不能够有效及时地发现问题，产品的风险较大。如图1所示，为了使腔体达到长膜所需的最优环境，clean(清洗，用于清除沉积在chamber内的薄膜)过程是必不可少的环节，在clean之后进行Purge(净化)&Pump(抽气)的步骤，从而去除残留的颗粒。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种监控HDP腔室漏率的方法及系统，能够自动漏率监控，降低产品风险。为解决上述问题，本专利技术提供一种监控HDP腔室漏率的方法，包括：对HDP腔室进行清冼和净化；在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。进一步的，在上述方法中，在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限，包括：在净化之后对HDP腔室进行第一预设时间的抽气。进一步的，在上述方法中，所述第一预设时间为2～10分钟。进一步的，在上述方法中，所述第二预设时间为3～10分钟。进一步的，在上述方法中，侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，包括：侦测达到真空极限后的HDP腔室的压力P1；关闭泵与HDP腔室之间的隔离门阀第二预设时间T后，再次侦测HDP腔室的压力P2；比较P1和P2的压力变化。进一步的，在上述方法中，根据所述压力变化计算HDP腔室漏率，包括通过如下计算HDP腔室漏率：HDP腔室漏率＝(P2-P1)/T。根据本专利技术的另一面，还提供一种监控HDP腔室漏率的系统，包括：清冼和净化模块，用于对HDP腔室进行清冼和净化；抽气模块，用于在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；侦测模块，用于侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；计算模块，用于根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。进一步的，在上述系统中，所述抽气模块，用于在净化之后对HDP腔室进行第一预设时间的抽气。进一步的，在上述系统中，所述第一预设时间为2～10分钟。进一步的，在上述系统中，所述第二预设时间为3～10分钟。进一步的，在上述系统中，所述侦测模块，用于侦测达到真空极限后的HDP腔室的压力P1；关闭泵与HDP腔室之间的隔离门阀第二预设时间T后，再次侦测HDP腔室的压力P2；及比较P1和P2的压力变化。进一步的，在上述系统中，所述计算模块，用于通过如下计算HDP腔室漏率：HDP腔室漏率＝(P2-P1)/T。与现有技术相比，本专利技术通过优化清洗(clean)之后的净化(purge)和pump(抽气)过程，在净化之后通过比较长时间泵抽和长时间密闭腔室，并侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，计算腔室漏率，打破现有的单一手动漏率监测模式，实现自动漏率监控，及时发现问题，降低产品风险。附图说明图1是现有的使腔体达到长膜所需的最优环境的原理图；图2是本专利技术一实施例的监控HDP腔室漏率的方法的流程图；图3是本专利技术一实施例的监控HDP腔室漏率的方法的原理图；图4是本专利技术一实施例的监控HDP腔室漏率的系统的模块图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。如图2和3所示，本专利技术提供一种监控HDP腔室漏率的方法，包括：步骤S1，对HDP腔室进行清冼和净化；步骤S2，在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；步骤S3，侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；步骤S4，根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。本实施例通过优化清洗(clean)之后的净化(purge)和pump(抽气)过程，在净化之后通过比较长时间泵抽和长时间密闭腔室，并侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，计算腔室漏率，打破现有的单一手动漏率监测模式，实现自动漏率监控，及时发现问题，降低产品风险。优选的，步骤S2，在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限，包括：在净化之后对HDP腔室进行第一预设时间的抽气。优选的，如图3所示，所述第一预设时间为2～10分钟。优选的，如图3所示，所述第二预设时间为3～10分钟。优选的，如图3所示，步骤S3，侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间T后的HDP腔室的压力变化，包括：侦测达到真空极限后的HDP腔室的压力P1；关闭泵与HDP腔室之间的隔离门阀第二预设时间T后，再次侦测HDP腔室的压力P2；比较P1和P2的压力变化。从而计算HDP腔室漏率，达到自动有效监控腔室漏率的目的。优选的，步骤S4，根据所述压力变化计算HDP腔室漏率，包括通过如下计算HDP腔室漏率：HDP腔室漏率＝(P2-P1)/T。如图3和4所示，根据本专利技术的另一面，还提供一种监控HDP腔室漏率的系统，包括：清冼和净化模块1，用于对HDP腔室进行清冼和净化；抽气模块2，用于在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；侦测模块3，用于侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；计算模块4，用于根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。本实施例通过优化清洗(clean)之后的净化(purge)和pump(抽气)过程，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监控HDP腔室漏率的方法，其特征在于，包括：对HDP腔室进行清冼和净化；在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。

【技术特征摘要】
1.一种监控HDP腔室漏率的方法，其特征在于，包括：
对HDP腔室进行清冼和净化；
在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；
侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；
根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。
2.如权利要求1所述的监控HDP腔室漏率的方法，其特征在于，在净化之
后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限，包括：
在净化之后对HDP腔室进行第一预设时间的抽气。
3.如权利要求2所述的监控HDP腔室漏率的方法，其特征在于，所述第一
预设时间为2～10分钟。
4.如权利要求1所述的监控HDP腔室漏率的方法，其特征在于，所述第二
预设时间为3～10分钟。
5.如权利要求1至4任一项所述的监控HDP腔室漏率的方法，其特征在于，
侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，包
括：
侦测达到真空极限后的HDP腔室的压力P1；
关闭泵与HDP腔室之间的隔离门阀第二预设时间T后，再次侦测HDP腔室
的压力P2；
比较P1和P2的压力变化。
6.如权利要求4所述的监控HDP腔室漏率的方法，其特征在于，根据所述
压力变化计算HDP腔室漏率，包括通过如下计算HDP腔室漏率：
HDP腔室漏率＝...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯多源，吴以赢，王科，韩晓刚，陈建维，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31