高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法制造技术

本发明专利技术是一种高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于采用稀土氧化物和氮化铝为助烧结剂。本发明专利技术可在１８００℃－１９００℃的较低温度下获得高性能的ＳｉＣ陶瓷，其压痕硬度可达到２０ＧＰａ以上，韧性可达到６－８ＭＰａ．ｍ↑［１／２］，显著提高了ＳｉＣ陶瓷的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机固体材料的制造工艺领域，属于碳化硅陶瓷制造技术，特别是一种高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法。
技术介绍
碳化硅陶瓷的常压烧结制法有两种一种是固相烧结法，另一种是液相烧结法。碳化硅是强共价性化合物，很难烧结致密化，上世纪七十年代S.Prochazka首先用少量硼(B)和碳(C)作添加剂，SiC-B-C体系在2100℃以上固相烧结致密化。固相烧结的SiC陶瓷硬度高，但断裂韧性(3MPa.m1/2)和强度(200-300 MPa)低，且烧结温度过高。液相烧结法克服了固相烧结法的诸多缺陷，最典型也是正被沿用最多的液相烧结法是SiC-Al2O3-Y2O3体系，以Al2O3和Y2O3为助烧结剂，于1900℃以上获得致密化，该体系的缺点是(1)该体系中的Al2O3和Y2O3与存在于SiC表面的SiO2，共熔温度太低，仅1360℃，过早出现液相，在高温烧结过程中易质量流失。(2)高温下发生热化学反应 上述分解反应导致质量流失(烧失量高)，也易使表面粗糙，故常需要用粉末床(埋粉)来减少质量流失。使用AlN代替Al2O3，并加入稀土氧化物作助烧结剂，可克服Al2O3-Y2O3系助烧结剂的缺点。AlN基助烧结剂已经成功地用于Si3N4陶瓷的常压液相烧结，但用于SiC陶瓷则只有热压和高氮压烧结的报导，本专利技术乃首次将AlN-Re2O3(Re为稀土元素)，成功地用于SiC常压液相烧结。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有固、液相烧结法的缺陷，提供一种高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷常压液相烧结法。本专利技术的目的按下述方案实现一种高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷常压液相烧结法，其特征在于采用稀土氧化物和氮化铝为助烧结剂。碳化硅与上述稀土氧化物和氮化铝助烧结剂的混合重量百分比分别为60-98％和40-2％或更宽范围； 上述稀土氧化物是镧系稀土氧化物或混合稀土氧化物；上述稀土氧化物是镧系从La2O3到Lu2O315个稀土氧化物中任一个稀土氧化物；上述稀土氧化物是镧系从La2O3到Lu2O315个稀土氧化物中任二个以上稀土氧化物；上述稀土氧化物是Y2O3和从La2O3到Lu2O315个稀土氧化物中任一个稀土氧化物；上述稀土氧化物是氧化钇(Y2O3)。本专利技术可在较低温度下烧结获得高性能的SiC陶瓷，其压痕硬度可达到20GPa以上，韧性可达到6-8MPa.m1/2，烧结温度降到1800-1900℃。具体实施例方式本专利技术是在常压氩或氮气氛下液相烧结SiC陶瓷。(1)原料SiC采用β-SiC和α-SiC，单独一种或两种的混合粉料，助烧结剂为纯度99.5％以上的AlN(北京钢铁研究总院产品)和稀土氧化物(包头稀土材料研究院产品)，SiC与助烧结剂的比例(重量％)为AlN60-98％，Re2O340-2％。(2)原料混合上述混合料在无水酒精中用Si3N4或SiC小球作研磨介质，混磨后，滤去介质小球，泥浆烘干，过筛后为混合粉料。(3)成型用干压或冷静压(2-3T/cm2)成型。(4)烧结成型后的粉坯置于铺垫有氮化硼(BN)粉的石墨钳锅内，在通有一个大气压氩或氮的石墨管式炉中，温度升至1800℃左右或更高，烧结2-3小时或更长，烧结制度可根据微观结构的需要进行调节。(5)热压烧结混合粉料直接放入石墨压模中，在热压炉中一个大气压氩或氮气氛下1800-1900℃温度热压1-3小时。烧结后可选择退火处理或直接冷却即得到SiC陶瓷。参考文献Prochazka，S.，“The role of boron and carbon in the sintering of siliconcarbide”In“Special Ceramics”(Vol.6)，ed.P.Popper.Br.Ceram.Res.Assoc.，Stoke on Trent，1975，pp.171-181Omori，M.and Takei，H.，“Pressureless sintering of SiC”，J.Am.Ceram.Soc.，1982，65，C-92Zhen-Kun Huang，Anatoly Rosenflanz，and I-Wei Chen“PressurelessSintering of Si3N4Ceramics Using AlN and Rare-Earth Oxides”，J.Am.Ceram.Soc.，80(5)1256-1262(1997)You Zhou，Kiyoshi Hirao，Yukihiko Yamauchi，Shuzo Kanzaki“Tailoringthe mechanical properties of silicon carbide ceramics by modification of theintergranular phase chemistry and microstructure”J.Euro.Ceram.Soc.，22(2002)2689-2696 Georg Rixecker，Koushik Biswas，Arno Rosinus，Siddharth Sharma，IngoWiedmann，Fritz Aldinger“Fracture properties of SiC ceramics withoxynitride additives”J.Euro.Ceram.Soc.22(2002)2669-267权利要求1.一种高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于采用稀土氧化物和氮化铝为助烧结剂。2.如权利要求1所述的高韧性、高硬度碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于碳化硅与上述稀土氧化物和氮化铝助烧结剂的混合重量百分比分别为60-98％和40-2％。3.如权利要求1所述的高韧性、高硬度碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于上述稀土氧化物是镧系稀土氧化物或镧系混合稀土氧化物。4.如权利要求1所述的高韧性、高硬度碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于上述稀土氧化物是氧化钇(Y2O3)。5.如权利要求1所述的高韧性、高硬度碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于上述稀土氧化物是由La2O3到Lu2O3十五个稀土氧化物中的任何一个稀土氧化物。6.如权利要求1所述的高韧性、高硬度碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于上述稀土氧化物是由La2O3到Lu2O3十五个稀土氧化物中的任两个以上的稀土氧化物。7.如权利要求1所述的高韧性、高硬度碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于上述稀土氧化物是Y2O3和由La2O3到Lu2O3的十五个稀土氧化物中的任何一个稀土氧化物。全文摘要本专利技术是一种高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于采用稀土氧化物和氮化铝为助烧结剂。本专利技术可在1800℃－1900℃的较低温度下获得高性能的SiC陶瓷，其压痕硬度可达到20GPa以上，韧性可达到6－8MPa.m文档编号C04B35/64GK1587203SQ20041006295公开日2005年3月2日 申请日期2004年7月1日 优先权日2004年7月1日专利技术者吴澜尔, 黄振坤, 陈宇红, 江涌, 祁利民, 张书杰, 韩凤兰, 朱桂花 申请人:西北第二民族学院本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法，其特征在于采用稀土氧化物和氮化铝为助烧结剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴澜尔，黄振坤，陈宇红，江涌，祁利民，张书杰，韩凤兰，朱桂花，
申请(专利权)人：西北第二民族学院，
类型：发明
国别省市：64[中国|宁夏]