氮化铝粉末及氮化铝烧结体制造技术

本发明专利技术提供能够同时实现氮化铝烧结体的高热传导率和烧结时的收缩率的降低的氮化铝粉末和氮化铝烧结体。氮化铝粉末的特征在于，在３～１５μｍ、０．５～１．５μｍ、０．３μｍ以下的各范围内具有极大值，各范围的粒子含有率以体积基准计分别为４０～７０％、２５～４０％、０．５～２０％，氧量为０．５～１．５质量％。氮化铝烧结体的特征在于，由含有上述氮化铝粉末和烧结助剂的混合粉末的烧结体形成，热传导率在１９０Ｗ／ｍ.Ｋ以上，以（烧结前的成形体尺寸－烧结后的烧结体尺寸）／（烧结前的成形体尺寸）的百分率表示的收缩率在１５％以下。

Aluminium nitride powder and aluminium nitride sintered body

The present invention provides an aluminum nitride powder and an aluminum nitride sintered body capable of achieving a high thermal conductivity and a reduction in shrinkage during sintering at the same time. Is that the characteristics of aluminum nitride powder, has a maximum value in the range of 3 ~ 15 m, 0.5 ~ 1.5 m, 0.3 m in the range of particles containing rate by volume basis were 40 ~ 70%, 25 ~ 40%, 0.5 ~ 20%, oxygen 0.5 to 1.5 mass%. Is that the characteristics of sintered aluminum nitride sintered body, formed by mixing powder containing the aluminum nitride powder and sintering additives, thermal conductivity in 190W / m.K, (by sintering body size body size: after sintering before sintering (forming) / body size before sintering) the percentage contraction the rate below 15%.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氮化铝粉末及氮化铝烧结体。
技术介绍
以往，随着被用于电源组件(power module)等的电路基板的高集成化，存在半导体元件产生的热量增加的倾向。为了有效地散热，研究了各种方法，氧化铝、氧化铍、氮化硅、氮化铝等陶瓷被利用。其中，氮化铝是具有高热传导率、高绝缘性及无害性等优点的理想材料，最近又因为其具有耐等离子性及与硅接近的热膨胀系数而倍受瞩目，作为半导体制造装置的各种夹具等，以单体、填入金属加热器或固定于金属等形态被使用。不论是哪一种使用形态，都希望使用平行度高、弯曲度小的氮化铝烧结体。为了改善上述性质，制造烧结收缩小的氮化铝烧结体至关重要。这里所谓的烧结收缩是指烧结后的烧结体的尺寸比烧结前的成型体的尺寸小的现象，只要粉末可高度填充，可提高烧结前的成型体密度，烧结收缩必然会变小。以往，作为氮化铝烧结体制造用氮化铝粉末，一般采用氧化铝还原法、金属铝粉末的直接氮化法，各有利弊。利用氧化铝还原法获得的氮化铝粉末与直接氮化法获得的粉末相比，其粒径均一，含氧量低，所以易烧结，易获得高热传导率的烧结体，但烧结时的收缩率大，易出现弯曲或变形，导致成本提高。对应于此，直接氮化法本文档来自技高网...

【技术保护点】
氮化铝粉末，其特征在于，在３～１５μｍ、０．５～１．５μｍ、０．３μｍ以下的各范围内具有极大值，各范围的粒子含有率以体积基准计分别为４０～７０％、２５～４０％、０．５～２０％，氧量为０．５～１．５质量％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：後藤猛，村田弘，市川恒希，
申请(专利权)人：电气化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]