Si-SiC质烧结体及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种即使形成厚壁形状也难于产生氧化劣化、破损等的Ｓｉ－ＳｉＣ质烧结体。一种Ｓｉ－ＳｉＣ质烧结体，含有作为骨材的许多碳化硅（ＳｉＣ）粒子和作为粘合剂填充在上述碳化硅粒子间的空隙中的硅（Ｓｉ），其中，所述碳化硅粒子的最大粒径为０．５ｍｍ～６ｍｍ，所述硅的含量为５～４０质量％，气孔率为０～５％。优选厚度为２０～２００ｍｍ的厚壁形状的Ｓｉ－ＳｉＣ质烧结体。

Si-SiC sintered body and method for manufacturing the same

The present invention provides a Si - SiC sintered body that is difficult to produce oxidation deterioration or breakage even if a thick wall shape is formed. A Si - SiC sintered body, containing as many silicon carbide (SiC) particles and aggregates as adhesive filled in the gap between the SiC particles in silicon (Si), wherein, the silicon carbide particles, the largest diameter of 0.5mm ~ 6mm, the content of silicon is 5 to 40 mass%. The porosity was 0 ~ 5%. A thick walled Si SiC sintered body with a thickness of 20 to 200mm is preferred.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更详细地说是关于一种 即使是厚壁形状也难于产生氧化劣化、破损等的Si-SiC质烧结体及其制造方 法。
技术介绍
以往、碳化硅(SiC)质烧结体因其优良的耐热性和耐火性，因此一直在 工业上占据着重要的位置，例如、多用于作为绝缘子、卫生陶器、餐具、框架 以及陶瓷管等陶瓷器和瓷砖等烧成用板架中。在使用的SiC质烧结体中，作为 构成成分含有SiC和Si的Si-SiC质烧结体主要用于半导体烧成用炉心管、辊 道窑用滚筒热交换体用管道、窑业制品烧成用板架等中(例如，参照对比文件 1-3 )。专利文献1:日本特许第2758313号公报 专利文献2:日本特许第2535480号公报 专利文献3:日本特许第3137737号公报
技术实现思路
这些Si-SiC质烧结体存在如果形成厚壁就不能保持强度和抗氧化性这样 的问题。Si-SiC质烧结体是将金属硅(Si)含浸在多孔质的SiC烧结体中而制 成的，但是SiC烧结体如果形成20mm以上的厚壁形状时就会变得难于含浸金 属硅，由此，在Si-SiC质烧结体中大量的存在没有填充金属硅而残余的气孑L。 在这种情况下就会产生制造时生成开裂，或者由于有气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｓｉ－ＳｉＣ质烧结体，含有作为骨材的许多碳化硅ＳｉＣ粒子和填充在所述碳化硅粒子间的空隙中的硅Ｓｉ，其中，所述碳化硅粒子的最大粒径为０．５ｍｍ～６ｍｍ，所述硅的含量为５～４０质量％，气孔率为０～５％。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：古宫山常夫，山川治，堀清一，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，NGK阿德列克株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]