针对形貌的改进结构制造技术

在不同实施例中提供了掩模版。掩模版可以包括特征部。特征部可以包括基部结构和阶梯结构。阶梯结构包括中央区域和边缘区域。在顶视图中，中央区域包括比边缘区域更大的宽度。阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。

【技术实现步骤摘要】

不同的实施例总体上涉及用于处理半导体器件的方法。而且，不同的实施例涉及用于改进光刻工艺的质量的方法。
技术介绍
集成电路(IC)的制造涉及在衬底之上成形构成了诸如晶体管、电阻器和电容器的特征部。半导体制造的变化可以被分类为工艺系统化的变化和随机的变化。系统化的变化在本质上是可以预测的，并且依赖于诸如布局结构和周围的拓扑环境的确定性因素。当前的技术能够高保真地将掩模版的图案转移至光刻胶。然而，由于前面提到的因素，在溶液中被显影之后，光刻胶却通常不能高保真地复制所转移的图案。例如，当待处理的底层结构(例如，折线、金属化等)不平坦时，经过显影的光刻胶可能会表现出收聚效应。如果光刻胶的收聚被转移至待处理的底层结构，这可能会导致器件的性能的恶化和可靠性的恶化。因此，存在针对解决上述挑战的改进的工艺的需求。
技术实现思路
多个实施例总体上涉及半导体器件。在一个实施例中，涉及所公开的掩模版。掩模版包括基部结构和阶梯结构。阶梯结构包括中央区域和边缘区域。在顶视图中，中央区域包括比边缘区域更大的宽度。阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌(topography)阶梯之上。在另一个实施例中，公开了用于制造器件的方法。该方法包括在具有至少一个形貌阶梯的衬底之上沉积抗蚀剂层。该方法还包括使用掩模版曝光抗蚀剂层的至少一部分。掩模版包括基部结构和阶梯结构。阶梯结构包括中央区域和边缘区域。在顶视图中，中央区域包括比边缘区域更大的宽度。阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。该方法还包括根据曝光去除抗蚀剂层的一部分。在又一个实施例中，公开了制造掩模版的方法。该方法包括，在测试掩模版上形成多个测试结构，每个测试结构包括具有中央区域和边缘区域的阶梯结构。在顶视图中，中央区域包括比边缘区域更大的宽度。阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。该方法还包括，在具有多个形貌阶梯的测试衬底上形成多个经光刻处理的结构，每个经光刻处理的结构使用测试掩模版的相应的测试结构在多个形貌阶梯的相应的形貌阶梯上形成。该方法还包括，从多个测试结构中选定至少一个测试结构，并且根据所选定的测试结构来形成具有阶梯结构的掩模版。本文所公开的实施例的这些优点和特征、以及其他的优点和特征通过参考随后的描述和附图将会变得更加明显。而且，需要理解的是，本文所描述的不同实施例的特征不是相互排斥的、而是能够以不同的组合和排列的形式存在。附图说明在附图中，相似的参考字符一般指代不同视图中的相似的部件。附图不一定按比例绘制，而是一般会代之以着重强调对本专利技术的原理的说明。在下文的描述中，本专利技术的不同的实施例参考附图进行了描述，在附图中：图1图示了示例性的光刻系统；图2图示了经部分处理的器件的扫描电子显微镜(SEM)的图像；图3图示了掩模版的特征部的示例性的主视图、经部分处理的器件的示例性的主视图、以及经部分处理的器件的示例性的截面视图；图4图示了掩模版的特征部的示例性的主视图、经部分处理的器件的示例性的主视图、以及经部分处理的器件的示例性的截面视图；图5图示了制造器件的方法的示例性的流程图500；以及图6图示了制造掩模版的方法的示例性的流程图600。具体实施方式下文中的详细描述参考了附图，所述附图通过说明的方式图示了具体的细节和在其中可以实践本专利技术的实施例。足够详细地描述了这些实施例，从而使得本领域的技术人员能够实践本专利技术。可以使用其他的实施例，而且可以做出结构上、逻辑上和电气上的改变，而没有背离本专利技术的范围。这些不同的实施例不相互排斥，因为某些实施例能够与一个或多个其他的实施例组合以形成新的实施例。下文中的详细描述因此不能被认为是限制意义，而且本专利技术的范围由随附的权利要求定义。针对多种方法提供了不同的实施例，而且针对不同的器件提供了不同的实施例。需要理解的是，这些方法的基本属性对于器件也成立，而且反之亦然。因此，处于简洁的目的，可能省略了对这些属性的重复的描述。如本文所使用的术语“至少一个”可以被理解为包括等于或大于一的任一整数，即，“一”、“二”、“三”、等等。如本文所使用的术语“多个”可以被理解为包括等于或大于二的任一整数，即，“二”、“三”、“四”、等等。除非另外说明，否则如本文所使用的术语“层”可以被理解为包括其中的层是单个层的实施例、以及其中的层是包括多个子层的叠层的实施例。本文所使用的词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”。在本文被描述为“示例性的”任一实施例或设计都不一定被视为是好于或优于其他实施例或设计。关于沉积的材料在侧面或表面“之上”被形成中的词语“之上”在本文中可以被用于指代所沉积的材料可以“直接在其上”形成，例如，与隐含指示的侧面或表面直接接触。关于沉积的材料在侧面或表面“之上”被形成中的词语“之上”在本文中可以被用于指代所沉积的材料可以“间接在隐含指示的侧面或表面上”形成，使得一个或多个附加的层被布置在隐含指示的侧面或表面与所沉积的材料之间。图1图示了示例性的光刻系统100。出于说明的目的，所图示的示例性的光刻系统100被简化了。例如，省略或简化了已知的特征部，以澄清本公开的示例性的实现和实施例的描述，并且由此更好地解释这些示例性的实现和实施例。如图1所示的示例性的光刻系统100使用了投影印刷方法。需要理解的是，例如接触式印刷或接近式印刷的其他的曝光方法也可以被用于实现此处所包括的公开教导。光刻系统100可以包括光源101、聚光透镜102、掩模版(或掩模)103、投影(或缩影(reduction))透镜104和衬底106。衬底106的上表面可以以光刻胶105来涂敷。需要理解的是，术语“掩模版”和“掩模”在本文中被互换使用。光源101将光线照射到衬底106上。所照射的光线穿过聚光透镜102，由掩模版103衍射，而且光线的衍射图案由投影透镜104收集。结果，掩模版103上的图案的像107被投影到了被涂敷了抗蚀剂的衬底106上，衬底被设置在距离掩模版103一定距离处。在不同的实施例中，例如，衬底106可以是诸如硅衬底的半导体衬底。例如，也可以使用SiGe、SiGeC或SiC的其他类型的衬底。在不同的实施例中，衬底106可以是绝缘体上晶体(COI)，诸如是绝缘体上硅(SOI)衬底。也可以使用其他类型的COI衬底。衬底110可以例如是掺杂衬底或非掺杂衬底。衬底106可以例如是半导体器件的不同处理阶段中的衬底，诸如是IC的半导体管芯。IC可以是任一类型的IC。在不同的实施例中，IC可以是诸如动态随机访问存储器(DRAM)、静态随机访问存储器(SRAM)、以及不同类型的非易失性的存储器(包括可编程的只读存储器(PROM)和闪存)、逻辑器件、通信器件、光电器件、数字信号处理器(DSP)、微控制器、片上系统(SOC)、以及其他类型的器件的存储器器件或它们的组合。在不同实施例中，IC可以是包括功率二极管、晶闸管、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、以及其他类型的器件或它们的组合的功率IC或功率芯片。其他类型的IC或器件可能也是有用的。可以将IC结合到诸如电话、计算机、个人数字助理、汽车或其他类型的适当的产品的不同的产品中。光刻胶105可以包括光敏材料。存在两种类型的光刻胶，即正性光刻胶和负性光刻胶。正性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模版，包括：特征部，其中所述特征部包括：基部结构；以及阶梯结构，所述阶梯结构包括中央区域和边缘区域，在顶视图中，所述中央区域包括比所述边缘区域更大的宽度，其中所述阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。

【技术特征摘要】
2015.07.30 DE 102015112486.61.一种掩模版，包括：特征部，其中所述特征部包括：基部结构；以及阶梯结构，所述阶梯结构包括中央区域和边缘区域，在顶视图中，所述中央区域包括比所述边缘区域更大的宽度，其中所述阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。2.根据权利要求1所述的掩模版，其中所述特征部包括沿着第一长度的中心轴线。3.根据权利要求2所述的掩模版，其中所述基部结构包括沿着所述第一长度的一致的线宽。4.根据权利要求2或3中的任一项所述的掩模版，其中所述阶梯结构包括沿着第二长度的多个阶梯，其中所述第二长度小于所述第一长度。5.根据权利要求4所述的掩模版，其中所述阶梯结构包括具有多个阶梯的第一阶梯结构和具有多个阶梯的第二阶梯结构，并且其中所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构彼此相对。6.根据权利要求5所述的掩模版，其中所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构是对称的。7.根据权利要求5所述的掩模版，其中所述第二阶梯结构是所述第一阶梯结构关于所述中心轴线的镜像。8.根据权利要求5至7中的任一项所述的掩模版，其中所述阶梯中的每一个包括高度和长度。9.根据权利要求5至8中的任一项所述的掩模版，其中：所述第一阶梯结构包括最高的水平部分和最低的水平部分，其中所述最低的水平部分被定位在所述最高的水平部分的左边和右边；以及所述第二阶梯结构包括最高的水平部分和最低的水平部分，其中所述最低的水平部分被定位在所述最高的水平部分的左边和右边。10.根据权利要求9所述的掩模版，其中：对于所述第一阶梯结构，所述最高的水平部分在左边经由多个阶梯以下降的方式被连接至所述最低的水平部分，并且其中所述最高的水平部分在右边经由多个阶梯以下降的方式被连接至所述最低的水平部分；以及对于所述第二阶梯结构，所述最高的水平部分在左边经由多个阶梯以上升的方式被连接至所述最低的水平部分，并且其中所述最高的水平部分在右边经由多个阶梯以上升的方式被连接至所述最低的水平部分。11.根据权利要求9或10中的任一项所述的掩模版，其中所述边缘区域包括第一宽度并且由所述第一阶梯结构的所述最低的水平部分和所述第二阶梯结构的所述最低...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·施密特，O·赫尔蒙德，P·伊尔西格勒，M·塞德施密特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE