发光模块制造技术

本发明专利技术提供一种发光模块，一基板；多个蓝光二极管芯片，配置于所述基板上；至少一个红光二极管芯片，配置于所述基板上；至少一个绿光二极管芯片，配置于所述基板上；以及，至少一荧光层，配置于所述多个蓝光二极管芯片至少其中之一上。本发明专利技术可有效利用角落的区域，达到基板的最大配置利用率，并使得发光模块具有较佳的色度均匀度。

【技术实现步骤摘要】
相关分案申请本申请案是专利技术名称为“发光模块”，申请号为201210248821.8的专利技术专利国际申请案的分案申请,原申请案的申请日是2012年07日18日。
本专利技术是有关于一种发光模块，且特别是有关于一种以发光二极管芯片作为光源的发光模块。
技术介绍
发光二极管是一种由含有III-Ⅴ族元素的半导体材料所构成的发光元件，且发光二极管具有寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已向多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通信号灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。在已知的发光二极管模块的设计中，由于发光二极管芯片所发出的光束是直接投射下来的，也就是说，发光二极管芯片所产生的光束指向性强，因此容易产生光均匀度不佳及眩光(glare)而让使用者感到不舒服。再者，为了产生白光发光二极管光源，通常会将多个尺寸相同且不同颜色(如红色、蓝色及绿色)的发光二极管芯片呈阵列放置于承载器上以进行封装。然而，由于这些发光二极管芯片所发出来的光线是直接往前发射的，因此需要较大的混光区域以调和光束，但此举将增加整个发光二极管模块的体积，进而造成不便。为了解决上述问题，在目前的发光二极管模块中，通常会搭配光学透镜，来使发光二极管芯片的所发出的光束能够有效地被利用。然而，若在发光二极管芯片上覆盖光学透镜，则会因为不同颜色的光对于光学透镜有不同的折射角度，而使整个发光二极管照明模块所产生的照明角度偏小或集中于某一区块，例如部分的红光会显现在一特定范围里，而使得整个照明区域的色度分布并不均匀，进而导致发光二极管模块有光不均匀及光源显色性偏低等的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光模块，整合了多个不同尺寸的发光二极管芯片，且可改善已知发光二极管模块色度不均匀的问题。本专利技术提出一种发光模块，其包括一基板、多个第一发光二极管芯片以及多个第二发光二极管芯片。基板具有一十字形中心区域以及一环绕十字形中心区域的周边区域。第一发光二极管芯片配置于基板上，且至少位于十字形中心区域内。第二发光二极管芯片配置于基板上，且至少位于周边区域内。每一第二发光二极管芯片的尺寸小于每一第一发光二极管的尺寸。第一发光二极管芯片位在周边区域内的个数小于位在十字形中心区域内的个数。第二发光二极管芯片位在十字形中心区域内的个数小于位在周边区域内的个数。在本专利技术一实施例中，上述第一发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内，且至少有两个第一发光二极管芯片的主要发光波长的差值大于等于5纳米。在本专利技术一实施例中，上述第一发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片，且主要发光波长为440～480纳米。在本专利技术一实施例中，上述第二发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内，且至少有两个第二发光二极管芯片的主要发光波长的差值大于等于5纳米。在本专利技术一实施例中，上述第二发光二极管芯片为红光发光二极管芯片，且主要发光波长为600～760纳米。在本专利技术一实施例中，上述发光模块还包括一透镜，配置于基板上，且至少覆盖第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片于基板上所占总面积的70％以上。在本专利技术一实施例中，上述透镜的外型包括圆形或椭圆形。在本专利技术一实施例中，上述发光模块还包括多个荧光层，分别配置于第一发光二极管芯片以及第二发光二极管芯片上。在本专利技术一实施例中，上述每一第一发光二极管芯片的边长为L1，而每一第二发光二极管芯片的边长为L2，则在本专利技术一实施例中，上述发光模块还包括多个第三发光二极管芯片，配置于基板上，且至少位于周边区域内，其中每一第三发光二极管芯片的尺寸小于每一第二发光二极管的尺寸，且第三发光二极管芯片位在十字形中心区域内的个数小于位在周边区域内的个数。在本专利技术一实施例中，上述每一第一发光二极管芯片的边长为L1，而每一第三发光二极管芯片的边长为L3，则L3≤L1/2。在本专利技术一实施例中，上述第三发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内，且至少有两个第三发光二极管芯片的主要发光波长的差值大于等于5纳米。在本专利技术一实施例中，上述第三发光二极管芯片为绿光发光二极管芯片，且主要发光波长为500～560纳米。在本专利技术一实施例中，上述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片以及第三发光二极管芯片均为蓝光发光二极管芯片，且主要发光波长为440～480纳米。在本专利技术一实施例中，上述第三发光二极管芯片为多个覆晶式发光二极管芯片。在本专利技术一实施例中，上述第一发光二极管芯片为多个覆晶式发光二极管芯片。在本专利技术一实施例中，上述第二发光二极管芯片为多个覆晶式发光二极管芯片。基于上述，由于本专利技术的发光模块的设计是将多数个大尺寸的发光二极管芯片设置于十字中心区域，而将多数个小尺寸的发光二极管芯片设置于周边区域。因此，可有效利用角落的区域，达到基板的最大配置利用率，此外，小尺寸的发光二极管芯片可辅助大尺寸的发光二极管芯片的色度表现，而使得发光模块具有较佳的色度均匀度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A为本专利技术一实施例的一种发光模块的俯视示意图；图1B为沿图1A的线I-I的剖面示意图；图2为本专利技术一实施例的一种发光模块的俯视示意图；图3A为本专利技术一实施例的一种发光模块的俯视示意图；图3B为沿图3A的线II-II的剖面示意图。附图标记说明：100a、100b、100c：发光模块；110：基板；112：十字形中心区域；114：周边区域；120：第一发光二极管芯片；130：第二发光二极管芯片；140：第三发光二极管芯片；150a、150b、150c：透镜；160：荧光层；L1、L2、L3：边长。具体实施方式图1A为本专利技术一实施例的一种发光模块的俯视示意图。图1B为沿图1A的线I-I的剖面示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，发光模块100a包括一基板110、多个第一发光二极管芯片120以及多个第二发光二极管芯片130。详细来说，基板110具有一十字形中心区域112以及一环绕十字形中心区域112的周边区域114。第一发光二极管芯片120配置于基板110上，且至少位于十字形中心区域112内。因此，第一发光二极管芯片120电极连接基板110，且第一发光二极管芯片120例如为覆晶式发光二极管芯片。第二发光二极管芯片130配置于基板110上，且至少位于周边区域114内。因此，第二发光二极管芯片130电极连接基板110，且第二发光二极管芯片130例如为覆晶式发光二极管芯片。特别是，每一第二发光二极管芯片130的尺寸小于每一第一发光二极管120的尺寸，而第一发光二极管芯片120位在周边区域114内的个数小于位在十字形中心区域112内的个数，且第二发光二极管芯片130位在十字形中心区域112内的个数小于位在周边区域114内的个数。也就是说，大尺寸的第一发光二极管芯片120大部分是位于十字形中心区域112内，而小尺寸的第二发光二极管芯片130大部分是位在周边区域114内。因此，每一第一发光二极管芯片120的边长为L1，而每一第二发光二极管芯片130的边长为L2，较佳地，则更具体来说，第一发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光模块，其特征在于，包括：一基板；多个蓝光二极管芯片，配置于所述基板上；至少一个红光二极管芯片，配置于所述基板上；至少一个绿光二极管芯片，配置于所述基板上；以及至少一荧光层，配置于所述多个蓝光二极管芯片至少其中之一上。

【技术特征摘要】
2012.04.26 TW 1011149331.一种发光模块，其特征在于，包括：一基板；多个蓝光二极管芯片，配置于所述基板上；至少一个红光二极管芯片，配置于所述基板上；至少一个绿光二极管芯片，配置于所述基板上；以及至少一荧光层，配置于所述多个蓝光二极管芯片至少其中之一上。2.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，还包括一透镜，配置于所述基板上，且覆盖所述多个蓝光二极管芯片、所述红光二极管芯片、所述绿光二极管芯片及所述荧光层。3.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，所述多个蓝光二极管芯片其中至少两个的主要发光波长不相同。4.根据权利要求3所述的发光模块，其特征在于，所述多个蓝光二极管芯片其中至少两个的主要发光波长不相同且其差值大于等于5纳米。5.一种发光模块，其特征在于，包括：一基板；多个第一发光二极管芯片，配置于所述基板上，所述多个第一发光二极管芯片主要发光波长为440～480纳米，其中至少两个第一发光二极管芯片的主要发光波长不相同；至少一第二发光二极管芯片，配置于所述基板上，所述第二发光二极管芯片主要发光波长为600～760纳米；以及至少一荧光层，配置于所述基板上且覆盖所述多个第一发光二极管芯片至少其中之一上。6.根据权利要求5所述的发光模块，其特征在于，还包括一透镜，配置于所述基板上，且覆盖所述多个第一发光二极管芯片、所述多个第二发光二极管芯片与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙圣渊，苏柏仁，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71