次粘着基板阵列制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种次粘着基板阵列。次粘着基板阵列中包括：一第一外框部；一第二外框部；以及多个次粘着基板串，连接于该第一外框部与该第二外框部之间。其中，一第一次粘着基板串中包括M个次粘着基板；一第一次粘着基板的一第一边经由一第一连接部连接至该第一外框部；一第N次粘着基板的一第一边经由一第N连接部连接至一第(N-1)次粘着基板的一第二边；一第M次粘着基板的一第一边经由一第M连接部连接至一第(M-1)次粘着基板的一第二边；以及，该第M次粘着基板的一第二边经由一第(M+1)连接部连接至该第二外框部；其中，N为大于1，且小于M的正整数。本发明专利技术实施例的技术方案能提高材料利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种次粘着基板，且特别是有关于一种次粘着基板阵列结构。
技术介绍
众所周知，发光二极管(LED)或者是激光二极管(Laserdiode)的封装方式是将发光二极管晶粒(die)或者激光二极管晶粒粘贴于次粘着基板(submount)。而次粘着基板最主要的功用在于将晶粒本身所产生的热快速地导离开晶粒，有效地防止晶粒劣化。因此，次粘着基板也可称为散热基板。请参照图1A至图1C，其所示出为公知发光二极管或者是激光二极管的封装示意图。如图1A所示，在次粘着基板片(submountboard)上画分多个区域的次粘着基板11～68，而在每个区域的次粘着基板11～68中更定义贴合区(attachedzone)，并在贴合区上形成一共熔层(eutecticlayer)11a～68a。基本上，贴合区的面积可小于或等于一次粘着基板11～68的面积。其中，次粘着基板片的材料为硅(silicon)或者氮化铝(AlN)，共熔层11a～68a的材料为金锡合金(AuSn)或者铟(In)。接着，如图1B所示，将制造完成的晶粒11b～68b(发光二极管晶粒或者是激光二极管晶粒)放置于贴合区的共熔层11a～68a上。之后，加热至共熔层11a～68a的熔点并冷却，即可使晶粒11b～68b与次粘着基板片紧密贴合。而冷却之后，沿着画分的区域11～68对次粘着基板片进行切割，即形成个别的发光二极管或者是激光二极管的封装。如图1C所示，其为单一发光二极管或者是激光二极管的封装示意图。在此封装结构中，共熔层11a将晶粒11b(发光二极管晶粒或者是激光二极管晶粒)固定于次粘着基板11上。专利
技术实现思路
本专利技术的目的系提出一种金属材料的次粘着基板阵列，其结构异于公知以硅或者氮化铝为材料的次粘着基板片。本专利技术有关于一种次粘着基板阵列，包括：一第一外框部；一第二外框部；以及多个次粘着基板串，连接于该第一外框部与该第二外框部之间。根据上述的次粘着基板阵列，一第一次粘着基板串中包括M个次粘着基板；一第一次粘着基板的一第一边经由一第一连接部连接至该第一外框部；一第N次粘着基板的一第一边经由一第N连接部连接至一第(N-1)次粘着基板的一第二边；一第M次粘着基板的一第一边经由一第M连接部连接至一第(M-1)次粘着基板的一第二边；以及，该第M次粘着基板的一第二边经由一第(M+1)连接部连接至该第二外框部；其中，N为大于1，且小于M的正整数。根据上述的次粘着基板阵列，该第一外框部、该第二外框部、以及所述次粘着基板串的材料为一金属，例如铜。根据上述的次粘着基板阵列，该第一连接部的第一厚度小于该第一次粘着基板的第二厚度。该第一连接部的第一宽度小于等于该第一次粘着基板中该第一边的第二宽度。根据上述的次粘着基板阵列，该第一次粘着基板的一第一表面形成一共熔层，用以将一晶粒贴合于该第一次粘着基板。附图说明图1A至图1C，其所示出为公知发光二极管或者是激光二极管的封装示意图。图2所示出为本专利技术次粘着基板阵列的第一实施例。图3所示出为本专利技术次粘着基板阵列的第二实施例。其中，附图标记说明如下：11～68：次粘着基板11a～68a：共熔层11b～68b：晶粒200：次粘着基板阵列210、220、230、240：外框部221～225、251～255、261～265：次粘着基板221a～225a、251a～255a、261a～265a：连接点250、260：边条部300：次粘着基板阵列310、320、330、340：外框部311～315、321～325、331～335：次粘着基板341～345、351～355：次粘着基板311a～316a：连接部具体实施方式为了对本专利技术的有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明。由于金属具有较佳的热传导特性，因此本专利技术是利用金属材料来作为次粘着基板片，并加工成为次粘着基板阵列。根据本专利技术的实施例，次粘着基板的材料为铜(Cu)，但并不限定于此。请参照图2，其所示出为本专利技术次粘着基板阵列的第一实施例。首先，将金属材质的次粘着基板片进行光刻蚀刻工艺后即形成次粘着基板阵列200。次粘着基板阵列200包括：外框部210、220、230、240，边条部250、260，次粘着基板221～225、251～255、261～265，以及连接点221a～225a、251a～255a、261a～265a。基本上，次粘着基板片经过光刻蚀刻工艺后的最外围部分即为次粘着基板阵列200的外框部210、220、230、240。再者，外框部210、230之间连接二边条部250、260。另外，外框部220也连接至外框部210、230之间，也可以视为边条部。再者，每个边条部220、250、260上，经由连接点221a～225a、251a～255a、261a～265a连接至对应的次粘着基板221～225、251～255、261～265。根据本专利技术的第一实施例，次粘着基板221～225、251～255、261～265为正方形，且连接点221a～225a、251a～255a、261a～265a的宽度小于等于次粘着基板221～225、251～255、261～265的一个边。当然，本专利技术并未限定次粘着基板221～225、251～255、261～265的外形，次粘着基板更可为多边形。次粘着基板阵列200完成后，即可于次粘着基板阵列200的第一表面镀上一共熔层(未示出)，换言之，于次粘着基板阵列200的外框部210、220、230、240，边条部250、260，次粘着基板221～225、251～255、261～265，以及连接点221a～225a、251a～255a、261a～265a上皆会形成共熔层。其中，共熔层的材料为金锡合金(AuSn)或者铟(In)。之后，将制造完成的发光二极管晶粒或者是激光二极管晶粒放置于次粘着基板221～225、251～255、261～265的共熔层上，即可加热至共熔层的熔点并冷却，使得晶粒与次粘着基板片紧密贴合。而冷却之后，切开连接点221a～225a、251a～255a、261a～265a，即形成个别的发光二极管或者是激光二极管的封装。基本上，将第一实施例的次粘着基板阵列200进行切割后，边条部250、260皆须废弃。因此，使得第一实施例的次粘着基板阵列200的材料利用率较低。请参照图3，其所示出为本专利技术次粘着基板阵列的第二实施例。首先，将金属材质的次粘着基板片进行光刻蚀刻工艺后即形成次粘着基板阵列300。次粘着基板阵列300包括：外框部310、320、330、340，次粘着基板311～315、321～325、331～335、341～345、351～355，以及连接点。基本上，次粘着基板片经过光刻蚀刻工艺后的最外围部分即为次粘着基板阵列300的外框部310、320、330、340。再者，外框部320、340之间连接多个次粘着基板串。以次粘着基板311～315所形成的次粘着基板串为例来说明。第一次粘着基板311的第一边经由一第一连接部311a连接至外框部320；第二次粘着基板312的第一边经由一第二连接部312a连接至第一次粘着基板311的第二边；第三次粘着基板313的第一边经由一第三连接部313a连接至第二次粘着基板312的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种次粘着基板阵列，包括：一第一外框部；一第二外框部；以及多个次粘着基板串，连接于该第一外框部与该第二外框部之间；其中，一第一次粘着基板串中包括M个次粘着基板；一第一次粘着基板的一第一边经由一第一连接部连接至该第一外框部；一第N次粘着基板的一第一边经由一第N连接部连接至一第(N‑1)次粘着基板的一第二边；一第M次粘着基板的一第一边经由一第M连接部连接至一第(M‑1)次粘着基板的一第二边；以及，该第M次粘着基板的一第二边经由一第(M+1)连接部连接至该第二外框部；其中，N为大于1，且小于M的正整数。

【技术特征摘要】
1.一种次粘着基板阵列，包括：一第一外框部；一第二外框部；以及多个次粘着基板串，连接于该第一外框部与该第二外框部之间；其中，一第一次粘着基板串中包括M个次粘着基板；一第一次粘着基板的一第一边经由一第一连接部连接至该第一外框部；一第N次粘着基板的一第一边经由一第N连接部连接至一第(N-1)次粘着基板的一第二边；一第M次粘着基板的一第一边经由一第M连接部连接至一第(M-1)次粘着基板的一第二边；以及，该第M次粘着基板的一第二边经由一第(M+1)连接部连接至该第二外框部；其中，N为大于1，且小于M的正整数。2.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张豪麟，谢和铭，李豪强，
申请(专利权)人：友嘉科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71