阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法，属于显示技术领域。其中，阵列基板的制作方法包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成栅线和数据线，每一数据线和/或每一栅线分别与一导电柱电连接。通过本发明专利技术的技术方案，能够实现显示装置的窄边框、超窄边框甚至无边框。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法。
技术介绍
显示装置的窄边框设计是显示领域发展的一个趋势，如果显示装置的边框变窄，则观众在观看这类显示产品时视觉被束缚的程度大大降低，视觉更放松，更容易使人产生一种身临其境的欣赏美感。而现有的显示装置需要在显示面板的边缘设置走线及各种集成电学元件，因此，显示装置仍需要保留一定宽度的边框，很难将边框设计的比较窄。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法，能够实现显示装置的窄边框、超窄边框甚至无边框。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成栅线和数据线，每一数据线和/或每一栅线分别与一导电柱电连接。进一步地，所述在所述过孔中形成导电柱的步骤包括：在形成有所述过孔的衬底基板上蒸镀粘结材料和导电材料，所述粘结材料和所述导电材料粘附在所述过孔内形成所述导电柱。进一步地，通过一次构图工艺形成所述导电柱和阵列基板的栅导电层图形，所述栅导电层图形包括薄膜晶体管的栅电极和所述栅线，形成所述导电柱和所述栅导电层图形的步骤包括：在形成有所述过孔的衬底基板上蒸镀粘结材料和导电材料，所述衬底基板的第一表面朝向蒸发源，所述粘结材料和所述导电材料粘附在所述过孔内形成所述导电柱，所述粘结材料和所述导电材料粘附在所述第一表面形成第一导电层；在所述第一导电层上涂覆光刻胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，所述光刻胶保留区域对应所述栅导电层图形；对所述第一导电层进行刻蚀，去除光刻胶未保留区域的第一导电层；剥离光刻胶保留区域的光刻胶，形成所述栅导电层图形。进一步地，所述在所述过孔中形成导电柱的步骤包括：在所述过孔的内壁上依次形成绝缘层、粘附层、阻挡层和电镀种子层，并通过电镀工艺在所述过孔中填充金属，形成所述导电柱。进一步地，形成所述导电柱之后，所述制作方法还包括：在所述阵列基板与所述第一表面相背的第二表面形成与所述导电柱连接的导电引线。进一步地，形成所述导电引线的步骤包括：在形成有所述导电柱的衬底基板上蒸镀粘结材料和导电材料，所述衬底基板的第二表面朝向蒸发源，所述粘结材料和所述导电材料粘附在所述第二表面形成第二导电层；在所述第二导电层上涂覆光刻胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，所述光刻胶保留区域对应所述导电引线的图形；对所述第二导电层进行刻蚀，去除光刻胶未保留区域的第二导电层；剥离光刻胶保留区域的光刻胶，形成所述导电引线。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板包括贯穿所述衬底基板的多个过孔，所述过孔中形成有导电柱，所述衬底基板的第一表面上形成栅线和数据线，每一数据线和/或栅线分别与一导电柱电连接。进一步地，所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板的与所述第一表面相背的第二表面上的导电引线，所述导电引线与所述导电柱连接。本专利技术实施例还提供了一种显示装置的制作方法，包括：在如上所述的阵列基板与所述第一表面相背的第二表面上粘附至少一个驱动电路，所述第二表面上的驱动电路通过导电引线与所述导电柱连接。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，为采用如上所述的制作方法制作得到，所述显示装置的栅线、数据线、由栅线和数据线限定出的多个像素单元位于衬底基板的第一表面，所述显示装置的至少一个驱动电路位于所述衬底基板与所述第一表面相背的第二表面。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，在衬底基板上形成多个贯穿衬底基板的过孔，在过孔内形成导电柱，在衬底基板的一个表面上形成栅线、数据线和像素单元，栅线和/或数据线与导电柱连接，这样可以在衬底基板另一表面上粘附驱动电路，并通过导电引线和导电柱实现驱动电路和栅线、数据线之间的连接，从而实现将驱动信号加载到像素单元中，驱动像素单元进行显示，由于本专利技术的技术方案是将驱动电路和像素单元分别设置在衬底基板的不同表面上，因此，不必在显示区域的边缘留出较大的区域来放置驱动电路，从而能够实现显示装置的窄边框、超窄边框甚至无边框。附图说明图1为本专利技术实施例形成导电柱和栅导电层图形的示意图；图2为本专利技术实施例形成导电柱的示意图；图3为本专利技术实施例阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例阵列基板第二表面的示意图。附图标记1衬底基板2、20过孔3粘结层4导电层5光刻胶6导电柱7、18栅线8栅电极9栅绝缘层10有源层11源电极12漏电极13像素电极14、15导电引线16源极驱动电路17栅极驱动电路19数据线20过孔31绝缘层32粘附层33阻挡层34电镀种子层35金属具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中显示装置需要在显示面板的边缘设置走线及各种集成电学元件，因此，显示装置仍需要保留一定宽度的边框，很难将边框设计的比较窄的问题，提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法，能够实现显示装置的窄边框、超窄边框甚至无边框。实施例一本实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成栅线和数据线，每一数据线和/或每一栅线分别与一导电柱电连接。本实施例中，在衬底基板上形成多个贯穿衬底基板的过孔，在过孔内形成导电柱，在衬底基板的一个表面上形成栅线、数据线和像素单元，栅线和/或数据线与导电柱连接，这样可以在衬底基板另一表面上粘附驱动电路，并通过导电引线和导电柱实现驱动电路和栅线、数据线之间的连接，从而实现将驱动信号加载到像素单元中，驱动像素单元进行显示，由于本专利技术的技术方案是将驱动电路和像素单元分别设置在衬底基板的不同表面上，因此，不必在显示区域的边缘留出较大的区域来放置驱动电路，从而能够实现显示装置的窄边框、超窄边框甚至无边框。进一步地，所述形成贯穿所述衬底基板的多个过孔的步骤包括：采用UV光刻、X射线直写、激光刻蚀或构图工艺形成贯穿所述衬底基板的多个过孔。一具体实施方式中，所述在所述过孔中形成导电柱的步骤包括：在形成有所述过孔的衬底基板上蒸镀粘结材料和导电材料，所述粘结材料和所述导电材料粘附在所述过孔内形成所述导电柱。在形成导电柱时，可以使用金属离子等离子体溅射填充贯穿衬底基板的过孔，也可以使用涂覆的方式填充贯穿衬底基板的过孔。对于等离子体溅射填充，不能实现金属元素的对于过孔的完全填充，在没有填充完全的过孔中，对于没有填满的中空部分可以使用PDMS(聚二甲基硅氧烷)等高分子材料填充来确保机械稳定性能。优选实施方式中，可以通过一次构图工艺形成所述导电柱和阵列基板的栅导电层图形，所述栅导电层图形包括薄膜晶体管的栅电极和所述栅线，如图1所示，形成所述导电柱和所述栅导电层图形包括以下步骤：a、提供一衬底基板1，在衬底基板1上形成过孔2，具体地，可以使用激光在几百um厚的衬底基板1上打通直径为十几um至几百个um的通孔；b、将衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成栅线和数据线，每一数据线和/或每一栅线分别与一导电柱电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；形成贯穿所述衬底基板的多个过孔；在所述过孔中形成导电柱；在衬底基板的第一表面上形成栅线和数据线，每一数据线和/或每一栅线分别与一导电柱电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述过孔中形成导电柱的步骤包括：在形成有所述过孔的衬底基板上蒸镀粘结材料和导电材料，所述粘结材料和所述导电材料粘附在所述过孔内形成所述导电柱。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述导电柱和阵列基板的栅导电层图形，所述栅导电层图形包括薄膜晶体管的栅电极和所述栅线，形成所述导电柱和所述栅导电层图形的步骤包括：在形成有所述过孔的衬底基板上蒸镀粘结材料和导电材料，所述衬底基板的第一表面朝向蒸发源，所述粘结材料和所述导电材料粘附在所述过孔内形成所述导电柱，所述粘结材料和所述导电材料粘附在所述第一表面形成第一导电层；在所述第一导电层上涂覆光刻胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，所述光刻胶保留区域对应所述栅导电层图形；对所述第一导电层进行刻蚀，去除光刻胶未保留区域的第一导电层；剥离光刻胶保留区域的光刻胶，形成所述栅导电层图形。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述过孔中形成导电柱的步骤包括：在所述过孔的内壁上依次形成绝缘层、粘附层、阻挡层和电镀种子层，并通过电镀工艺在所述过孔中填充金属，形成所述导电柱。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述导电柱之后，所述制作方法还包括：在所述阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨添，田彪，康昭，朱小研，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11