玻璃熔体的真空脱气装置制造方法及图纸

一种玻璃熔体用的真空脱气装置，它包括：抽了真空而减压的真空罩壳；装在真空罩壳中的真空脱气容器，当玻璃熔体流过其中时进行真空脱气；连接真空脱气容器并抽吸提升未脱气玻璃熔体进入真空脱气容器的上升管；连接真空脱气容器并让已脱气的玻璃熔体从真空脱气容器向下流动排出的下降管。所述上升管上端部分的截面积大于所述上升管下端部分的截面积。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

Vacuum degassing device for glass melt

Vacuum degassing device, a glass melt comprises a vacuum shell and vacuum pumping vacuum packed in vacuum; vacuum degassing vessel shell, vacuum degassing when the glass melt flowing through the vacuum degassing vessel and suction connection; enhance degassing rise into the molten glass vacuum degassing vessel tube; connect the vacuum degassing vessel and let down the glass melt has been flowing down from the vacuum degassing degassing container discharge tube. The cross section of the upper part of the lifting pipe is larger than the sectional area of the lower end of the lifting pipe. \ue5cf

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种玻璃熔体用的真空脱气装置，它可从连续供应的玻璃熔体中除去气泡。
技术介绍
为了改进形成的玻璃产品的质量，使用了一种真空脱气装置，如图所示，其作用是在用成形设备对在熔槽中熔制的玻璃熔体进行成形之前除去玻璃熔体中产生的气泡。图3所示的真空脱气装置110所用的过程是，在其熔化器112中的玻璃熔体G经过真空脱气，然后连续供应到后续处理容器中。在真空脱气装置110中，有一个真空罩壳114，其中已经轴了真空使其减压，用于对玻璃熔体进行真空脱气；在其真空罩壳114中有一个真空脱气容器116，它与真空罩壳一起减压；上升管118与下降管120，它们各自与真空脱气容器的一个末端部分竖直向下连接。上升管118的，下端浸入上升流坑122中的玻璃熔体G中，与熔槽112连通。同样，下降管120的下端浸入顺流凹槽124的熔融玻璃G中，与后续处理容器(图中没有显示)连通。真空脱气容器116基本上水平装在真空罩壳114中，真空罩壳用真空泵(图中没有显示)通过抽气口114C抽真空而减压。因为真空脱气容器116内部通过与真空罩壳114内部连通的抽气口116a和116b与真空罩壳114内部一样减压到1/20-1/3大气压，上升流坑122中的脱气前玻璃熔体G被抽吸提升到上升管118中，再进入真空脱气容器116。接着，玻璃熔体在流过真空脱气容器116时进行真空脱气，然后通过下降管120流入下降流坑124中。真空罩壳114可由金属如不锈钢和耐热钢制成。真空罩壳可从外面通过例如真空泵(图中没有显示)抽真空而减压，从而真空脱气容器116的内部压力也跟着下降并保持在规定的压力，比如为1/20-1/3大气压。在真空脱气容器116中，上部空间116s位于加入到真空脱气容器中一定深度的玻璃熔体G的上面。上部空间116s通过真空泵(图中没有显示)减压，从而使已经上升到玻璃熔体G液面并且破裂的气泡中的气体组分从减压的上部空间经过抽气口114c被真空泵(图中没有显示)抽走。因此，玻璃熔体与上部空间接触的面积越大，真空脱气的效果越显著。在真空脱气容器116、真空罩壳114中的上升管118和下降管120的周围，有例如耐火砖这样的热绝缘材料126覆盖来绝热。而且，有了图3所示的常规真空脱气装置110，通过使用致密耐火砖特别是可使用电铸耐火砖来砌造真空脱气容器116，可以扩大装置来提高流量即脱气的处理能力。上述内容在本专利技术申请人提交的JP-A-11-240725提到。但是，为了提高玻璃熔体的流速并进行需要的真空脱气处理，必须提高真空脱气容器116的宽度以及整个长度(也就是说底部面积)，以及上升管118和下降管120的直径，这时要考虑到许多因素，例如，要进行脱气的玻璃熔体G的流速变化，因为在熔炉中的玻璃熔体G的温度下降而产生的溶解在玻璃熔体G中气体组分浓度的变化，或者被减压的真空脱气容器中的压力变化。但是，通过提高真空脱气容器116的宽度和整个长度，以及上升管118和下降管120通道的直径，装置就放大了，必需的耐火砖等也不可避免的增加了，这就产生了成本上升的问题。而且，当玻璃熔体G中的气泡数目大量增加的时候，就会产生没有除去的气泡仍然留在玻璃熔体G中的问题，而这种玻璃熔体会流入下降管，最后气泡可能会留在玻璃产品中。而且，因为气泡数目的增加，没有破裂的气泡留在玻璃熔体的表面，还会附着在真空脱气装置116的顶部。结果，顶部上挥发性的物质经固化成结晶状态的物质，会进入玻璃熔体G。结果，细小的不透明的物质就会留在玻璃产品中形成所谓“结石”的缺陷。而且，即使该挥发性物质溶解在高温玻璃熔体G中，它也不会均匀地扩散在玻璃熔体G中，结果，玻璃熔体G在组成上会具有局部的差异。因为这些差异，从玻璃熔体G得到的玻璃产品会在折射率上有差异，结果通过玻璃的图像会被扭曲，这就是所谓的光泽的变差。而且，为了提高真空脱气容器116的底部面积，可以设想采用一种增加真空脱气容器总长度的方法。但是，这样就会出现问题，当装置的尺寸变大的时候，装置就会变得和熔化器112一样长。因此，必需改变作为现有设备的熔化器112和下降流坑124之间的位置，所以就存在现有设备不能有效使用的缺点。而且，如果真空脱气容器被制成直线形，那么真空脱气容器116的热膨胀会成比例地增加，并且上升管118与下降管120之间的中心距离会发生改变，这会使装置发生扭曲并使安全性降低。另外，为了增大真空脱气容器的底部面积，也可以设想增加通道宽度的方法。但是，仅仅增加通道的宽度来充分改善真空脱气的性能是很困难的。原因可参照图8和9说明。图8是图3中真空脱气装置110沿直线B-B’的截面示意图，它说明了在真空脱气容器116中玻璃熔体通道的截面形状。如图8所示，玻璃熔体在位于真空罩壳114的真空脱气容器116中的通道是通过通道部件116c装配形成的，并且玻璃熔体通道的底部部分116d是平的。图9显示了玻璃熔体在通道横向上的流速分布。如图9所示，显然在横向中部(以下简称通道中部)玻璃熔体的流速最高，相反，在横向两端(以下简称通道边缘)玻璃熔体的流速最低。因此，在通道中部流动的玻璃熔体在到达下降管时没有充分脱气，结果气泡会留在玻璃产品中。也就是说，存在一个问题，即使增加了通道的宽度，玻璃熔体仍然具有低的流速，并且在通道边缘几乎不流动。因此，增加宽度不能显著改善真空脱气的性能。
技术实现思路
在这种情况下，本专利技术的一个目的是提供一种真空脱气装置，能使成本最小化，并改善真空脱气的性能，有可能制造没有气泡、结石或光泽变差这些问题的玻璃产品。本专利技术提供一种玻璃熔体用真空脱气装置，它包括抽了真空而减压的真空罩壳；装在真空罩壳中的真空脱气容器，当玻璃熔体流过其中时进行真空脱气；连接真空脱气容器并抽吸提升未脱气玻璃熔体进入真空脱气容器的上升管；连接真空脱气容器并让已脱气玻璃熔体从真空脱气容器向下流动排出的下降管；所述上升管上端部分的截面积大于所述上升管下端部分的截面积。本专利技术还提供上述真空脱气装置，其中所述上升管上端部分的截面积为所述上升管下端部分截面积的1.1-9.0倍，并且上述具有上升管的真空脱气装置，其中上升管的结构为有个临界部分位于所述上升管通道的中间部分，并且所述上端部分的截面积大于所述上升管临界部分的截面积，从所述上端部分到所述临界部分的距离是所述上端部分到所述下端部分距离的0.05-0.5倍。本专利技术还提供一种玻璃熔体用真空脱气装置，它包括 抽了真空而减压的真空罩壳；装在真空罩壳中的真空脱气容器，当玻璃熔体流过其中时进行真空脱气；连接真空脱气容器并抽吸提升未脱气玻璃熔体进入真空脱气容器的上升管；连接真空脱气容器并让已脱气的玻璃熔体从真空脱气容器向下流动排出的下降管；在所述真空脱气容器中流动方向上玻璃熔体至少一部分通道上，通道横向中央的底部是脊形，而位于底部中央两边的通道横向两端的底部是谷形。本专利技术还提供一种上述真空脱气装置，将从在真空脱气容器中玻璃熔体通道的横向中心的脊形底部的顶点到玻璃熔体液面的最短距离定义为中心深度D1，并且将从在横向两端的每一端谷形底部的底点到玻璃熔体液面之间的最短距离定义为边缘深度D2，中心深度D1为20-500毫米，边缘深度D2中心深度D1的1.1-5.0倍，并且在上述真空脱气装置中，有个气泡阻挡装置装在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃熔体用的真空脱气装置，它包括： 抽了真空而减压的真空罩壳； 装在真空罩壳中的真空脱气容器，当玻璃熔体流过其中时对玻璃熔体进行真空脱气； 与真空脱气容器相连并抽吸提升未脱气玻璃熔体进入真空脱气容器的上升管； 与真空脱气容器相连并让已脱气的玻璃熔体从真空脱气容器向下流动排出的下降管； 所述上升管上端部分通路的截面积大于所述上升管下端部分通路的截面积。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：坂井光美，佐佐木道人，伊藤肇，北村礼，谷垣淳史，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]