一种高纯氮发生器的半导体制冷系统技术方案

技术编号:14605748 阅读:202 留言:0更新日期:2017-02-09 12:24
本实用新型专利技术公开了一种高纯氮发生器的半导体制冷系统,包括管路,管路连通有半导体制冷系统的出气管;所述半导体制冷系统的气水分离器上部设置有防返液阀,防返液阀上设置有出气管,出气管连通与高纯氢发生器或者高纯氮发生器连通的管路,且出气管上设置有过滤装置;所述气水分离器外壳的下部设置有进气和回液管;所述气水分离器外壳上设置有半导体制冷装置,且气水分离器外壳内设置有导热装置,半导体制冷装置连接导热装置。本实用新型专利技术设计合理,使用方便,启到二次保护及干燥,保障系统更加稳定可靠,从而达到日常免维护,便与推广。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于与高纯氢发生器或者高纯氮发生器相关的制冷设备领域,具体地说涉及一种高纯氮发生器的半导体制冷系统。
技术介绍
高纯氢发生器、高纯氮发生器在制取气体时,会产生大量的湿气,为提高气体的纯度,降低气体的含水量,传统模式是在气路系统中加填变色硅胶与分子筛结合除湿,但是上述结构没有二次保护及干燥,系统运行时存在不稳定的可能,导致日常维护的工作量的增加。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服上述缺陷,提供了一种半导体制冷系统,设计合理,使用方便,半导体制冷系统的使用以及在半导体制冷系统内部加导热网,外部加保温层,使经过此处的气体在遇低温时,大量水气凝结,并在此形成水珠,并会聚于半导体制冷系统气水分离器的底部,重新压回电解分离池参与再次分解,从而达到除湿目的,同时在低温冷干后的出气管上加填变色硅胶层及分子筛层,启到二次保护及干燥,保障系统更加稳定可靠,从而达到日常免维护,便与推广。为解决上述问题,本技术所采用的技术方案是:一种高纯氮发生器的半导体制冷系统,包括与高纯氢发生器或者高纯氮发生器连通的管路,管路连通有半导体制冷系统的出气管;所述半导体制冷系统还包括气水分离器,气水分离器外部设置有保温层,内部设有导热网,上部设有防返液阀,所述防返液阀连接有出气管,所述出气管上设置有过滤装置;所述气水分离器的下部设置有进气式回液管。所述气水分离器外壳上设置有半导体制冷装置,且气水分离器壳内设置有导热装置,半导体制冷装置连接导热装置。进一步,所述导热装置包括若干平行设置在气水分离器内部的导热网,导热网连接半导体制冷装置。进一步,所述气水分离器的外侧面上设置有保温层。进一步,所述过滤装置包括变色硅胶层和分子筛层。进一步,所述气水分离器外设置有控制器,内设置有温度传感器,控制器连接温度传感器和半导体制冷装置。与现有技术相比,本技术设计合理,使用方便,半导体制冷系统的使用以及在半导体制冷系统气水分离器内部加导热网,外部加保温层,使经过此处的气体在遇低温时,大量水气凝结,并在此形成水珠,并会聚于底部,重新压回电解分离池参与再次分解,从而达到除湿目的,同时在低温冷干后的出气管上加填变色硅胶层及分子筛层,启到二次保护及干燥,保障系统更加稳定可靠,从而达到日常免维护,便与推广。附图说明图1为本技术一种实施例的结构示意图;图中:1、出气管,2、气水分离器,3、防返液阀,4、分子筛层,5、变色硅胶层,6、回液管,7、半导体制冷装置,8、导热网,9、控制器,10、温度传感器。具体实施方式实施例:如图1所示,一种高纯氮发生器的半导体制冷系统,包括与高纯氢发生器或者高纯氮发生器连通的管路,管路连通有半导体制冷系统的出气管1。所述半导体制冷发生器包括气水分离器2,气水分离器2上设置有防返液阀,3防返液阀3上设置有出气管1,出气管1连通与高纯氢发生器或者高纯氮发生器连通的管路,且出气管1上设置有过滤装置。所述过滤装置包括连接在出气管上的过滤外壳,过滤外壳内设置有变色硅胶层5和分子筛层4。所述汽水分离器的下部设置有进气和回液管6。所述气水分离器2外壳上设置有半导体制冷装置7,且气水分离器内设置有导热装置,半导体制冷装置9连接导热装置。所述导热装置包括若干平行设置在气水分离器内部的导热网8,导热网连接半导体制冷装置。所述发气水分离器的外侧面上设置有保温层。所述导热装置上设置有控制器7,导热装置内设置有温度传感器10,控制器7连接温度传感器10和半导体制冷装置9,本半导体制冷系统,不仅仅适用于高纯氮发生器内,同样也适用于高纯氢发生器中。本技术设计合理,使用方便,半导体制冷装置的使用以及气水分离器内部加导热网,外部加保温层,使经过此处的气体在遇低温时,大量水气凝结,并在此形成水珠,并会聚于气水分离器底部,重新压回电解分离池参与再次分解,从而达到除湿目的,同时在低温冷干后的出气管上加填变色硅胶层及分子筛层,启到二次保护及干燥,保障系统更加稳定可靠,从而达到日常免维护,便与推广。本技术不局限于上述的优选实施方式,任何人应该得知在本技术的启示下做出的结构变化,凡是与本技术具有相同或者相近似的技术方案,均属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高纯氮发生器的半导体制冷系统,其特征在于:包括与高纯氮发生器连通的管路,管路连通有半导体制冷系统的出气管(1);所述半导体制冷系统还包括气水分离器(2),气水分离器(2)外部设置有保温层,内部设有导热网(8),上部设有防返液阀(3),所述防返液阀连接有出气管(1),所述出气管(1)上设置有过滤装置;所述气水分离器的下部设置有进气式回液管(6),所述气水分离器(2)外壳上设置有半导体制冷装置(7),且气水分离器(2)壳内设置有导热装置,半导体制冷装置(7)连接导热装置。

【技术特征摘要】
1.一种高纯氮发生器的半导体制冷系统,其特征在于:包括与高纯氮发生器连通的管路,管路连通有半导体制冷系统的出气管(1);所述半导体制冷系统还包括气水分离器(2),气水分离器(2)外部设置有保温层,内部设有导热网(8),上部设有防返液阀(3),所述防返液阀连接有出气管(1),所述出气管(1)上设置有过滤装置;所述气水分离器的下部设置有进气式回液管(6),所述气水分离器(2)外壳上设置有半导体制冷装置(7),且气水分离器(2)壳内设置有导热装置,半导体制冷装置(7)连接导热装置。2.根据权利要求1所述的一种高纯氮发生器的半导体制冷系统,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:王广东
申请(专利权)人:北京中兴汇利科技发展有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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