有机发光元件制造技术

本发明专利技术提供了一种有机发光元件，包括：阳极；依序形成在该阳极上的第一空穴辅助层及第二空穴辅助层；发光层，接触形成于该第二空穴辅助层上，且该发光层还含有具咔唑基团的化合物的主发光体；至少一电子传输层，形成于该发光层上；以及阴极，形成于该电子传输层上，其中，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物，藉此提升有机发光元件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种有机发光元件，尤指一种提高元件性能的有机发光元件。
技术介绍
近年来，有机发光元件(Organiclight-emittingdevices，简称OLED)因高亮度、快刷新率、广色域等性质获得关注，且因该特性使OLED更适于可携式电子装置的应用。一般而言，有机发光元件包含藉由真空沉积法或涂布法依序沉积的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极。当有机发光元件导通电压，阳极注入空穴，阴极注入电子进入(多个)有机层中。注入的空穴通过空穴传输层进入发光层，而电子通过电子传输层迁移入发光层。于发光层中，电子与空穴结合产生激子(excitons)。激子通过发光机制松弛而发射光。以多层薄膜结构来制造有机发光元件的理由包含电极与有机层的介面间的稳定性。此外，于有机材料中，电子及空穴的迁移率有显著的差异，据此，如果选用适当的空穴传输层及电子传输层，空穴及电子可有效率地传输至发光层，以可提高该种元件的发光效率。但是，于实际显示器的制程，仍难以发现能满足上述各种要求的有机材料。例如，仍有困难在维持发射蓝光的有机发光元件的性能的同时，提升元件的寿命。因此，亟需开发可提升元件寿命并维持高性能的有机发光元件。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机发光元件，包括：阳极；依序形成在该阳极上的第一空穴辅助层及第二空穴辅助层，其中，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物；发光层，接触形成于该第二空穴辅助层上，且该发光层还含有具咔唑基团的化合物的主发光体；至少一电子传输层，形成于该发光层上；以及阴极，形成于该电子传输层上，其中，R1和R2为相同或不同，且各该R1和R2表示氢、未经取代的苯基、或具有C1-C4烷基取代基的苯基；及R3表示氢、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基或氯。本专利技术另提供一种有机发光元件，包括：阳极；依序形成在该阳极上的第一空穴辅助层、第二空穴辅助层及第三空穴辅助层，其中，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物，该第三空穴辅助层含有具式(IV)结构的化合物；发光层，形成于该第三空穴辅助层上，且该发光层还含有具咔唑基团的化合物的主发光体；至少一电子传输层，形成于该发光层上；以及阴极，形成于该电子传输层上，其中，R1和R2为相同或不同，且各该R1和R2表示氢、未经取代的苯基、或具有C1-C4烷基取代基的苯基；及R3表示氢、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基或氯，于一具体实施例中，该有机发光元件是发射荧光的发光元件，因此，该发光层含有荧光材料。此外，较佳地，该发射荧光的发光元件为蓝光有机发光元件。于另一具体实施例中，该有机发光元件是发射磷光的发光元件，因此，该发光层含有磷光材料。此外，较佳地，该发射磷光的发光元件为红光有机发光元件或绿光有机发光元件。本专利技术有机发光元件中设置至少二层空穴辅助层，并使用含有具式(I)的空穴传输化合物形成于第二层空穴辅助层，以提升有机发光元件的性能，例如，在蓝光有机发光元件中，可改善既有蓝光有机发光元件寿命较短的问题，在红光或绿光的有机发光元件中，可降低元件驱动电压，并提升发光效率。附图说明图1为本专利技术有机发光元件的结构剖视示意图；图2为本专利技术另一实施例的有机发光元件的结构剖视示意图；图3为发射荧光的有机发光元件的电激发光光谱；图4为发射磷光的有机发光元件的电激发光光谱；以及图5为发射磷光的有机发光元件的电激发光光谱。其中，附图标记说明如下：100阳极111第一空穴辅助层112第二空穴辅助层113第三空穴辅助层120发光层130电子传输层140阴极。具体实施方式以下藉由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，该领域技术人员可由本说明书所揭示内容轻易地了解本专利技术的其它优点及功效。须知，本说明书所附附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供该领域技术人员了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术权利要求书能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“第三”等用语，亦仅为便于叙述明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。本专利技术提供一种有机发光元件，包括：阳极；依序形成在该阳极上的第一空穴辅助层及第二空穴辅助层，其中，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物；发光层，接触形成于该第二空穴辅助层上，且该发光层还含有具咔唑基团的化合物的主发光体；至少一电子传输层，形成于该发光层上；以及阴极，形成于该电子传输层上，其中，R1和R2为相同或不同，且各该R1和R2表示氢、未经取代的苯基、或具有C1-C4烷基取代基的苯基；及R3表示氢、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基或氯。本专利技术另提供一种有机发光元件，包括：阳极；依序形成在该阳极上的第一空穴辅助层、第二空穴辅助层及第三空穴辅助层，其中，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物，该第三空穴辅助层含有具式(IV)结构的化合物；发光层，形成于该第三空穴辅助层上，且该发光层还含有具咔唑基团的化合物的主发光体；至少一电子传输层，形成于该发光层上；以及阴极，形成于该电子传输层上，其中，R1和R2为相同或不同，且各该R1和R2表示氢、未经取代的苯基、或具有C1-C4烷基取代基的苯基；及R3表示氢、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基或氯，US5844363揭示一种结合阳极的可挠性透明基底，其全部内容为本专利技术所引用。举例而言，该有机发光元件中，使用的阳极材质通常为氧化铟锡，其可形成于透明的玻璃基板上或挠性透明基底，而相对阳极的阴极，如US5703436及US5707745所例示阴极的全部内容为本专利技术所引用，该阴极具有金属薄层，如：镁/银(Mg：Ag)或铝，且该金属薄层以溅镀法沉积覆盖在透明基底上。应用于本专利技术的空穴辅助层例如空穴注入层、空穴传输层及空穴阻挡层或电子传输层的材料可选择常用的材料。但于一具体实施例中，第一空穴辅助层含有具式(II)结构的化合物。另外，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物，在一具体实施例中，式(I)的R1和R2为苯基，且R3为氢。举例而言，该空穴传输化合物是具有式(Ia)结构的化合物：在本专利技术中，主要发现有机发光元件须具备至少二层空穴辅助层，且该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物。因此，其它未特别说明的材料亦可应用于本专利技术，如US5247190所揭示包括聚合物材料(PLEDs)的有机发光元件，其全部内容为本专利技术所引用。除有特别限定，不同实施例中的任何层可使用任何适当方法来沉积形成。以有机层而言，较佳的方法包含如US6013982及US6087196所揭示的热蒸镀法及喷印法，其全部内容为本专利技术所引用；US6337102所揭示有机气相沉积法(organicvaporphasedeposition,OVPD)，其全部内容为本专利技术所引用；US10/233470所揭示有机气相喷印沉积法(depositionbyorganicvaporjetprinting,OVJP)，其全部内容为本专利技术所引用。其它适当方法包含旋转涂布及以溶液为基础的制程。以溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光元件，包括：阳极；依序形成在该阳极上的第一空穴辅助层及第二空穴辅助层，其特征在于，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物；发光层，接触形成于该第二空穴辅助层上，且含有具咔唑基团的化合物的主发光体；至少一电子传输层，形成于该发光层上；以及阴极，形成于该电子传输层上，式中，R1和R2为相同或不同，且各R1和R2表示氢、未经取代的苯基、或具有C1‑C4烷基取代基的苯基；及R3表示氢、C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基或氯。

【技术特征摘要】
2015.07.21 TW 1041235181.一种有机发光元件，包括：阳极；依序形成在该阳极上的第一空穴辅助层及第二空穴辅助层，其特征在于，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物；发光层，接触形成于该第二空穴辅助层上，且含有具咔唑基团的化合物的主发光体；至少一电子传输层，形成于该发光层上；以及阴极，形成于该电子传输层上，式中，R1和R2为相同或不同，且各R1和R2表示氢、未经取代的苯基、或具有C1-C4烷基取代基的苯基；及R3表示氢、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基或氯。2.一种有机发光元件，包括：阳极；依序形成在该阳极上的第一空穴辅助层、第二空穴辅助层及第三空穴辅助层，其特征在于，该第二空穴辅助层含有具式(I)的空穴传输化合物，该第三空穴辅助层含有具式(IV)结构的化合物；发光层，形成于该第三空穴辅助层上，且含有具咔唑基团的化合物的主发光体；至少一电子传输层，形成于该发光层上；以及阴极，形成于该电子传输层上，式中，R1和R2为相同或不同，且各R1和R2表示氢、未经取代的苯基、或具有C1...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄贺隆，如曼·班，卢玄龙，
申请(专利权)人：昱镭光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71