【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
从来,当制造半导体,液晶,印刷电路基板等的电子部品时,作为薄膜形成工序采用在Si晶片等基片上形成负型或正型光致抗蚀剂的薄膜,作为照射工序采用通过图形掩模照射光等,其次作为显影工序用显影液溶解不要的光致抗蚀剂,进一步作为刻蚀工序进行刻蚀处理后,作为剥离工序采用剥离基片上的不溶性光致抗蚀剂膜的制造工序。用于上述显影工序的显影液通常用四烷铵氢氧化物(以下称为“ATTH”)。所以在显影工序排出的废显影液中包含溶解的光致抗蚀剂和TAAH。作为处理这种废显影液的方法之一,日本平成11年公布的11-262765号专利公报中揭示了含有TAAH的废液的前期处理方法和再生方法。在同一专利公报中记载的含有TAAH的废液的前期处理方法和再生方法中,用适当的酸中和含有TAAH的废液,析出废液中的光致抗蚀剂。其次,将这种含有TAAH的废液导入膜分离装置分离并除去固形成分(主要是光致抗蚀剂)。通过用蒸发器浓缩在膜分离装置中除去了固形成分的含有TAAH的溶液,使含有TAAH的溶液浓缩和减小体积化。进一步,用电透析法对这种不包含固形成分并且经过中和的含有TAAH的溶 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:小川修,小早川泰之,北川悌也,菊川诚,
申请(专利权)人:长濑产业株式会社,长濑CMS科学技术株式会社,
类型:发明
国别省市:
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