一种高频微带基片式隔离器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高频微带基片式隔离器，属于微波通信技术领域，包括底座、尖晶石铁氧体基片、电阻膜层、环行器微带电路、S形微带线和永磁体，本实用新型专利技术具有结构简单、体积小、重量轻，适用频率更高，适合表面贴装和微电路集成等特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种微波通信
的信号隔离器，尤其涉及一种高频微带基片式隔离器。
技术介绍
微波通讯在日常生活、教育生产、军事活动中的地位非常重要，而随之而来需求对微波电子设备的发展有着极大的推动，更小型化、集成化的理念也对其中的铁氧体隔离器产业产生影响，传统的嵌入式隔离器已经基本不能满足系统贴片的需求，同时嵌入式隔离器适用的频率范围较低，不能满足高频范围的需求，微带基片式隔离器逐渐成为高频段微小型的主流选择，目前较为常见的微带基片式隔离器的工作频率都在20-40GHz左右，无法满足更高频率的需求。
技术实现思路
本技术针对现有技术的不足，旨在提供一种结构简单、适用于表面贴装和微电路集成、并且满足更高频率范围的工作要求，主要为50-70GHz频率段的微带基片式隔离器，解决了在50-70GHz的高频频率进行微带基片式隔离的技术难题，并缩小了隔离器的体积，使其可以在有源相控阵雷达的一个阵面上放置更多的天线收发单元。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种高频微带基片式隔离器，包括底座、尖晶石铁氧体基片、电阻膜层、环行器微带电路、S形微带线和永磁体，所述尖晶石铁氧体基片的饱和磁矩为5000Gs，其上表面设置有电阻膜层和环行器微带电路，所述环行器微带电路的一只引脚与S形微带线连接，S形微带线设置在电阻膜层上，所述环行器微带电路上设置有永磁体，所述尖晶石铁氧体基片固定在底座上,所述S形微带线的长度为8～10mm。所述尖晶石铁氧体基片的厚度为0.15-0.2mm。所述环行器微带电路通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片上表面。所述电阻膜层通过薄膜工艺设置在所述尖晶石铁氧体基片上。所述尖晶石铁氧体基片通过焊锡焊接在底座上。所述永磁体通过环氧树脂胶合在所述环行器微带电路上。所述尖晶石铁氧体基片的厚度为0.15mm。本技术所述的一种高频微带基片式隔离器，实现了永磁体纵向磁化尖晶石铁氧体基片，尖晶石铁氧体基片边缘磁化均匀，接地良好，并且由于底座与尖晶石铁氧体基片的热膨胀系数相当，能够在焊接时保护尖晶石铁氧体基片，降低了由于焊接而导致尖晶石铁氧体基片开裂的风险，提高了产品的可靠性，本技术的尖晶石铁氧体基片上表面采取抛光处理，利用化学方法去油污以及杂质粒子，物理方法对表面进行活化、去除吸附，保证电路膜层的附着力，本技术的高频微带基片式隔离器适用于表面贴装技术，并通过金丝键合技术与微波电路相连接，本技术与现有技术相比，采用长度为8～10mm的S形微带线结构，可以更有效的匹配微波电路，提高隔离效果，并且S形微带线结构的尺寸小，具有在有源相控阵雷达的一个阵面上放置更多的天线收发单元的优点。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术组装后的示意图。其中：1、底座，2、电阻膜层，3、环行器微带电路，4、尖晶石铁氧体基片，5、永磁体，6、S形微带线。具体实施方式如图1-2所示的一种高频微带基片式隔离器，包括底座1、尖晶石铁氧体基片4、电阻膜层2、环行器微带电路3、S形微带线6和永磁体5，所述尖晶石铁氧体基片4的饱和磁矩为5000Gs，其上表面设置有电阻膜层2和环行器微带电路3，所述环行器微带电路3的一只引脚与S形微带线6连接，S形微带线6设置在电阻膜层2上，所述环行器微带电路3上设置有永磁体5，所述尖晶石铁氧体基片4固定在底座1上,所述S形微带线6的长度为8～10mm。所述尖晶石铁氧体基片4的厚度为0.15-0.2mm。所述环行器微带电路3通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片4上表面。所述电阻膜层2通过薄膜工艺设置在所述尖晶石铁氧体基片4上。所述尖晶石铁氧体基片4通过焊锡焊接在底座1上。所述永磁体5通过环氧树脂胶合在所述环行器微带电路3上。所述尖晶石铁氧体基片4的厚度为0.15mm。工作时，所述饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片4居里温度高，温度稳定性好，同时减薄基片的厚度能够隔离器在更高频范围内工作；本技术采用长度为8～10mm的S形微带线6来衰减微波信号，可以很好的匹配环行器微带电路3，使其适用于50-70GHz的高频频率。本技术所述的适用于50-70GHz的高频微带基片式隔离器，适用于表面贴装技术，并通过金丝键合技术与微波电路相连接。本技术的主要技术指标如下：频率范围：50-70GHz正向损耗：≤1.2dB反向隔离：≥18dB驻波系数：≤1.6温度范围：-30℃～+70℃接头形式：W→W外形尺寸：5.5×2×3.5mm本技术所述的一种高频微带基片式隔离器，实现了永磁体纵向磁化尖晶石铁氧体基片，尖晶石铁氧体基片边缘磁化均匀，接地良好，并且由于底座与尖晶石铁氧体基片的热膨胀系数相当，能够在焊接时保护尖晶石铁氧体基片，降低了由于焊接而导致尖晶石铁氧体基片开裂的风险，提高了产品的可靠性，本技术的尖晶石铁氧体基片上表面采取抛光处理，利用化学方法去油污以及杂质粒子，物理方法对表面进行活化、去除吸附，保证电路膜层的附着力，本技术的高频微带基片式隔离器适用于表面贴装技术，并通过金丝键合技术与微波电路相连接，本技术与现有技术相比，采用长度为8～10mm的S形微带线结构，可以更有效的匹配微波电路，提高隔离效果，并且S形微带线结构的尺寸小，具有在有源相控阵雷达的一个阵面上放置更多的天线收发单元的优点。如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本技术，但其不得解释为对本技术自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本技术的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：包括底座(1)、尖晶石铁氧体基片(4)、电阻膜层(2)、环行器微带电路(3)、S形微带线(6)和永磁体(5)，所述尖晶石铁氧体基片(4)的饱和磁矩为5000Gs，其上表面设置有电阻膜层(2)和环行器微带电路(3)，所述环行器微带电路(3)的一只引脚与S形微带线(6)连接，S形微带线(6)设置在电阻膜层(2)上，所述环行器微带电路(3)上设置有永磁体(5)，所述尖晶石铁氧体基片(4)固定在底座(1)上,所述S形微带线(6)的长度为8～10mm。

【技术特征摘要】
1.一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：包括底座(1)、尖晶石铁氧体基片(4)、电阻膜层(2)、环行器微带电路(3)、S形微带线(6)和永磁体(5)，所述尖晶石铁氧体基片(4)的饱和磁矩为5000Gs，其上表面设置有电阻膜层(2)和环行器微带电路(3)，所述环行器微带电路(3)的一只引脚与S形微带线(6)连接，S形微带线(6)设置在电阻膜层(2)上，所述环行器微带电路(3)上设置有永磁体(5)，所述尖晶石铁氧体基片(4)固定在底座(1)上,所述S形微带线(6)的长度为8～10mm。2.根据权利要求1所述的一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：所述尖晶石铁氧体基片(4)的厚度为0.15-0.2mm。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旷希，
申请(专利权)人：南京广顺电子技术研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32