用于MEMS惯性传感器的接口制造技术

技术编号:14340633 阅读:161 留言:0更新日期:2017-01-04 12:55
本发明专利技术描述一种用于MEMS惯性传感器的接口。根据一个方面,使用激励信号(用于检测电容变化)来控制致动信号位流的值以允许使致动及检测路径两者的动态范围最大化且防止由于与所述激励信号混合而使所述致动位流的高频分量折叠。在另一方面中,可通过在致动信号转变期间执行检测电路及MEMS检测电极中的至少一者且优选地两者的停用/复位来克服致动信号与检测信号之间的耦合效应。在又一方面中,为使经解调信号具有低DC分量,施加感测及驱动位流的相位调整。

【技术实现步骤摘要】
分案申请信息本专利技术专利申请是申请日为2011年9月14日、申请号为201180044198.8、专利技术名称为“用于MEMS惯性传感器的接口”的专利技术专利申请案的分案申请。相关申请案本申请案主张2010年9月14日提出申请的标题为“用于MEMS惯性传感器的自计时ASIC接口(SELF-CLOCKEDASICINTERFACEFORMEMSINERTIALSENSORS)”的美国申请案61/382,898的权益,所述美国申请案以引用的方式并入本文中。
本专利技术的某些方面大体来说涉及MEMS装置,且更特定来说涉及用于MEMS惯性传感器的接口。
技术介绍
微机电(MEMS)惯性传感器的众多应用需要高性能ASIC接口。现有的接口技术并非在各种方面都完全令人满意。举例来说,在其中存在驱动环路的反馈(例如,力反馈)系统中,需要激励信号来检测感测环路及驱动环路两者中的电容变化。所述激励信号应不影响(举例来说)施加到MEMS传感器的检测质量块(或若干检测质量块)的致动。然而,由于激励信号是施加到检测质量块且由于致动电容器与检测电容器共享相同检测质量块,因此激励信号会影响致动信号内容及动态范围。另一问题与可在一个通道的致动流与相同通道的检测路径或甚至不同通道之间发生的不合意耦合(例如,感测模式到感测模式耦合或感测模式到驱动模式耦合等)相关。此耦合可使信号失真且导致检测前端电路的性能的严重降级。在感测模式中此效应会增大,因为寄生电容与工艺不匹配的组合效应约为检测电容变化。已提出用以解决此耦合问题的数个解决方案。一些解决方案取决于致动与检测之间的频率分离(此仅在不同通道之间的耦合的情况中有效);其它解决方案取决于估计耦合传递函数并在稍后的阶段中(在数字域信号处理中或以增加的复杂性为代价而在模拟域中)补偿此效应。其它提议已包含了降低致动信号电平(以减小的致动动态范围为代价)或用以补偿不匹配的人工修整。在其中存在驱动环路的反馈(例如,力反馈)系统中,感测信号可含有以驱动信号的频率进行AM调制的所要传感器输入信号。因此,为解调位流以取得原始信号,使用倍增器来对驱动信号及感测信号进行倍增以获得经解调输出信号。为使经解调信号具有最低可能DC分量,可需要SNS与DRV位流之间的准确相位调整。用以实现此相位调整的各种方法通常必然伴有功率及/或面积代价。因此,期望一种用于与MEMS惯性传感器介接的经改进接口。
技术实现思路
本申请案的一个方面涉及一种用于与MEMS传感器介接的集成电路,其包括:静电致动控制器,其经配置以产生致动信号及激励信号且接收感测信息信号;及感测电容/电压转换器,其响应于来自所述MEMS传感器的信号而用于产生感测信号;其中所述静电致动控制器经配置以对所述激励信号及另一信号应用逻辑运算以获得所述致动信号。本申请案的另一方面涉及一种与包括悬挂质量块的MEMS传感器介接的方法,所述方法包括:产生待施加到所述MEMS传感器以用于检测由所述质量块的运动导致的电容变化的激励信号;及对所述激励信号及另一信号应用逻辑运算以获得用于致使对所述质量块施加影响的致动信号。本申请案的又一方面涉及一种用于与包括悬挂质量块的MEMS传感器介接的集成电路,所述集成电路包括:用于向所述MEMS传感器施加用于检测由所述质量块的运动导致的电容变化的激励信号的电路;及用于对所述激励信号及另一信号应用逻辑运算以获得用于致使对所述质量块施加力的致动信号的电路。附图说明结合附图,根据以下详细描述,可进一步理解本专利技术。图式中:图1是其中可使用本专利技术接口技术的电路(例如,ASIC)的架构框图。图2A是图1的ASIC的驱动环路的图示。图2B是图1的ASIC的感测环路的图示。图3是MEMS电模型连同感测环路及驱动环路的检测电路的图示。图4是样本致动频谱的信号曲线图,其展示高频分量。图5是图解说明致动及检测波形以及随之发生的有效致动力的波形图。图6是MEMS电模型的图示,其图解说明其中激励信号控制致动信号的形状的经修改致动技术。图7是图解说明根据图6的实施例的经修改致动及检测波形以及随之发生的有效致动力的波形图。图8是如同图7的波形图的波形图,其展示根据RZ(归零)选项的波形。图9是图解说明从致动路径到检测路径的非预期耦合的图示。图10是展示致动及激励信号连同添加的复位信号RST的波形图。图11是展示施加到检测电路C/VSNS及C/VDRV且施加到MEMS电极的复位信号RST的图示。图12是图解说明图7的经修改致动及检测波形组合图10的复位信号使用的波形图。图13是如同图12的波形图的波形图,其展示根据RZ(归零)选项的波形。图14是图1的电路的解调部分的框图。图15是展示图14的滤波器的量值及相位响应的曲线图。图16是针对图15的带通滤波器中的偏移一者的随滤波器中心频率而变的相移的曲线图。具体实施方式图1中展示示范性ASIC的系统架构。在功能上,可将此系统划分成若干主要块,如下:1-MEMS传感器接口电路(110、120、130):电路的此部分分别通过感测致动(SNSACT)开关121及驱动致动(DRVACT)开关111提供用于MEMS传感器的感测及驱动电极的致动电压。此外,块130(PMEXC)提供驱动及感测环路两者中的电容感测电路所需的检测质量块激励电压。最终,感测电容/电压转换器123(C/VSNS)及驱动电容/电压转换器113(C/VDRV)执行对应环路中的电容/电压感测。2-MEMS传感器驱动(DRV)环路110:参考图2A,驱动环路110并入有实现MEMS传感器的驱动共振器119(包含机械元件,例如,悬挂质量块)的振荡条件所需的相移115A(DRV相位)以及用以控制机械元件的振荡振幅的自动增益控制115B(AGC)。在所图解说明的实施例中,ADC117(举例来说,其可实施为带通ΣΔ调制器)将来自电路113的驱动环路C/V输出转换成MEMS传感器驱动振荡信号的单位读数。3-MEMS传感器感测(SNS)环路120:参考图2B,在所图解说明的实施例中,MEMS传感器包含感测共振器129(包含机械元件,例如,悬挂质量块)。待感测的输入信号(举例来说,运动)及感测致动开关121的反馈信号输出作用于感测共振器129上。如下文更充分地描述,在所图解说明的实施例中,向驱动共振器119及感测共振器129两者施加由块130(图1)输出的激励信号EXC。感测环路120执行感测共振器129的机械元件的反馈(例如,力反馈)运动控制并提供数字输出读数。此通过针对感测模式使用机电ΣΔ调制器120’来实施闭环反馈(例如,力反馈)而实现。ASIC还可经配置以在开环模式中操作。在此情况中,断开感测环路(开关129,图1)且更改电子滤波器Hx(z)系数,使得电子滤波器125作为ΣΔADC而操作。4-数字处理核心(140,图1):数字处理核心140对驱动及感测环路(110、120)两者的ΣΔ调制器的输出进行十中抽一取样及滤波(141),并执行最终感测信号解调操作(143)。另外,数字处理核心140执行MEMS传感器读数的温度补偿(145)并控制SPI接口150。在一个方面中,数字处理核心140用作静电致动控制器。另外,数字处理核心140可输出用于减少致动信号的不合意耦合的复本文档来自技高网
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用于MEMS惯性传感器的接口

【技术保护点】
一种用于与MEMS传感器介接的集成电路,其包括:静电致动控制器,其经配置以产生致动信号及激励信号且接收感测信息信号;及感测电容/电压转换器,其响应于来自所述MEMS传感器的信号而用于产生感测信号;其中所述静电致动控制器经配置以在所述致动信号的至少一些信号转变期间向所述感测电容/电压转换器施加控制信号以致使其被复位、停用或断电。

【技术特征摘要】
2010.09.14 US 61/382,8981.一种用于与MEMS传感器介接的集成电路,其包括:静电致动控制器,其经配置以产生致动信号及激励信号且接收感测信息信号;及感测电容/电压转换器,其响应于来自所述MEMS传感器的信号而用于产生感测信号;其中所述静电致动控制器经配置以在所述致动信号的至少一些信号转变期间向所述感测电容/电压转换器施加控制信号以致使其被复位、停用或断电。2.根据权利要求1所述的设备,其包括:驱动电容/电压转换器,其响应于来自所述MEMS传感器的信号而用于产生驱动信号;及解调器,其耦合到所述驱动信号及所述感测信号以用于解调由所述感测信号携载的感测信息以产生所述感测信息信号。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述静电致动控制器经配置以用于对所述激励信号及所述致动信号进行定时使得所述致动信号的转变的发生比所述激励信号的转变略早时间tmismatch。4.根据权利要求1所述的设备,其中所述静电致动控制器经配置以用于对所述激励信号及所述控制信号进行定时以便致使所述激励信号响应于所述控制信号转变为非作用状态而转变。5.一种与包括悬挂质量块的MEMS传感器介接的方法,所述方法包括:响应于由所述MEMS传感器输出的感测信号,感测由所述质量块的运动导致的电容变化;产生待施加到所述MEMS传感器以用于致使对所述质量块施加影响的致动信号及待施加到所述MEMS传感器的至少一个感测电容器的激励信号;及在所述致动信号的至少一些信号转变期间,响应于控制信号而对所述感测进行复位、停用或断电。6.根据权利要求5所述的方法,其包括对所述激励信号及所述致动信号进行定时使得所述致动信号的转变的发生比所述激励信号的转变略早时间tmismatch。7.根据权利要求5所述的方法,其包括对所述激励信号及所述控制信号进行定时以便致使所述激励信号响应于所述控制信号转变为非作用状态而转变。8.根据权利要求5所述的方法,其包括对所述激励信号及另一信号应用逻辑运算以获得所述致动信号。9.根据权利要求8所述的方法,其中所述逻辑运算为“异或”及“异或非”运算中的一者。10.根据权利要求9所述的方法,其包括对所述致动信号应用归零编码。11.根据权利要求5所述的方法,其中使用电容/电压转换器来执行感测电容变化,包括响应于所述控制信号而对所述电容/电压转换器进行复位。12.根据权利要求11所述的方法,其包括响应于所述控制信号而将所述感测信号设定为已知值。1...

【专利技术属性】
技术研发人员:艾曼·埃尔萨伊德艾哈迈德·埃尔马拉哈艾哈迈德·叶利舍纳威艾哈迈德·沙班布特罗斯·乔治穆斯塔法·埃尔马拉艾曼·伊斯梅尔穆斯塔法·萨克尔艾哈迈德·穆赫塔尔
申请(专利权)人:硅制品系统有限公司
类型:发明
国别省市:埃及;EG

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