一种二氧化锡纳米棒的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二氧化锡纳米棒的制备方法。包括如下步骤：将四氯化锡气体，与氢气和空气混合，从燃烧反应器顶部的三通道射流管（３）的中心管（３０１）通入燃烧反应器（２），燃烧反应器（２）顶部的三通道射流管（３）的烧嘴出口设有惰性基板（４），生成的二氧化锡在惰性基板上沉积生长成二氧化锡的棒状结构；同时，氢气和空气的混合气体从燃烧反应器顶部的三通道射流管的二环管（３０２）通入燃烧反应器；同时，空气从燃烧反应器顶部的三通道射流管的三环管（３０３）通入燃烧反应器。采用本发明专利技术的方法制备二氧化锡纳米棒，是一种简单高效的二氧化锡纳米棒的制备方法。过程简单，生产周期短，易于工业化实施。

【技术实现步骤摘要】
一种二氧化锡纳米棒的制备方法
本专利技术涉及一种二氧化锡纳米棒的制备方法。
技术介绍
一维或准一维纳米结构体系或纳米材料的研究，是近年来国内外材料科学中最重要的研究前沿之一。这类材料不仅对于搞清材料的维度和粒子的大小对材料的物理和化学性质的影响具有重要意义，而且这类材料既是研究其他低维材料的基础，又与纳米电子器件与微型传感器密切相关，在化学、物理学、电子学、光学和生物医药等领域有着广阔的应用前景。一维纳米材料包括纳米管、纳米棒、金属及半导体纳米线、同轴纳米电缆、纳米带等。二氧化锡是一种经典的半导体材料，是研究最早，亦是应用最早的气敏材料之一。其广泛应用于气敏元件，太阳能电池等方面。制备二氧化锡纳米棒，并对其进行深入的研究，对于理解一维半导体材料的电子输运性质，光学性质等具有理论价值，在基础科学的研究方面具有重要的意义。目前，二氧化锡纳米棒的合成方法有氧化还原法、微乳液法、模板法等，但是都存在过程复杂，生产周期长等问题。因此，开发一种简单高效的二氧化锡纳米棒的制备方法，在实践上具有广阔的应用前景。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是公开一种二氧化锡纳米棒的制备方法，以克服现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二氧化锡纳米棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将四氯化锡气体，与氢气和温度为１００～２００℃的空气的混合，从燃烧反应器顶部的三通道射流管（３）的中心管（３０１）通入燃烧反应器（２），所说的燃烧反应器（２）顶部的三通道射流管 （３）的烧嘴出口设有惰性基板（４），烧嘴出口与惰性基板（４）间距为２－３０ｃｍ，反应温度为８００～１５００℃，生成的二氧化锡在惰性基板上沉积生长成二氧化锡的棒状结构，沉积时间为５－６０ｍｉｎ；同时，温度为２０～３５℃的氢气和空气的混 合气体从燃烧反应器顶部的三通道射流管的二环管（３０２）通入燃烧反应器；同时，温度为２０～３５℃的空气从燃...

【技术特征摘要】
1.一种二氧化锡纳米棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将四氯化锡气体，与氢气和温度为100～200℃的空气的混合，从燃烧反应器顶部的三通道射流管(3)的中心管(301)通入燃烧反应器(2)，所说的燃烧反应器(2)顶部的三通道射流管(3)的烧嘴出口设有惰性基板(4)，烧嘴出口与惰性基板(4)间距为2-30cm，反应温度为800～1500℃，生成的二氧化锡在惰性基板上沉积生长成二氧化锡的棒状结构，沉积时间为5-60min；同时，温度为20～35℃的氢气和空气的混合气体从燃烧反应器顶部的三通道射流管的二环管(302)通入燃烧反应器；同时，温度为20～35℃的空气从燃烧反应器顶部的三通道射流管的三环管(303)通入燃烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春忠，胡彦杰，顾锋，姜海波，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]