本发明专利技术涉及一种适用于二极管的清洗液，所述清洗液是由以下重量份的组分组成：季铵氢氧化物6‑10份，氧化剂15‑45份，缓蚀剂1‑3份，脂肪醇聚氧乙烯醚3‑5份，乙醇8‑10份，氢氧化钠12‑16份和去离子水20‑40份。本发明专利技术的优点在于：本发明专利技术适用于二极管的清洗液，与传统二极管清洗液相比，在配方中增加了缓蚀剂，进而提高了二极管的缓蚀效率，能够有效抑制二极管的腐蚀，提高其表面的光滑度；且二极管的清洗液中合理配置各有效组分及溶剂的用量，尤其是最佳配比组合后，在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力，使得清洗液具有很高的清洁效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种清洗液，特别涉及一种适用于二极管的清洗液。
技术介绍
二极管是现代微电子工业发展的基础，二极管已经成熟并且大量的应用于电子行业的各个领域，随着现在微电子工业的迅猛发展，二极管已经成为企业利润最多的一部分，为了保证一定的利润，首先要保证二极管的质量，我们都知道二极管的制作工艺中需要对二极管进行清洗，如果开发一种成本低且清洁度高的清洗液是至关重要的。经检索发现，专利CN 104232368 A 提出了一种二极管用清洗液，清洗液包括浓度为99.5%的EDTA4-6kg，纯水14-16kg，浓度为25-28%的氨水600-800ml。本专利技术清洗液对多种污染物都具有良好的清洁效果，但其腐蚀效果低，不能保证二极管表面光滑。因此，研发一种缓释效果好，可避免二极管表面严重腐蚀及提高表面光滑度的适用于二极管的清洗液是非常有必要的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种缓释效果好，可避免二极管表面严重腐蚀及提高表面光滑度的适用于二极管的清洗液。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种适用于二极管的清洗液，其创新点在于：所述清洗液是由以下重量份的组分组成：季铵氢氧化物6-10份，氧化剂15-45份，缓蚀剂1-3份，脂肪醇聚氧乙烯醚3-5份，乙醇8-10份，氢氧化钠12-16份和去离子水20-40份。进一步地，所述的季铵氢氧化物为十六烷基三甲基氢氧化铵或季铵聚酰芳胺。进一步地，所述的氧化剂为硝酸铁。进一步地，所述的缓蚀剂为苯丙氯三唑或咪唑或两者的混合物。本专利技术的优点在于：本专利技术适用于二极管的清洗液，与传统二极管清洗液相比，在配方中增加了缓蚀剂，进而提高了二极管的缓蚀效率，能够有效抑制二极管的腐蚀，提高其表面的光滑度；且二极管的清洗液中合理配置各有效组分及溶剂的用量，尤其是最佳配比组合后，在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力，使得清洗液具有很高的清洁效果。具体实施方式下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。实施例1本实施例适用于二极管的清洗液，其是由以下重量份的组分组成：十六烷基三甲基氢氧化铵6份，硝酸铁45份，苯丙氯三唑3份，脂肪醇聚氧乙烯醚5份，乙醇10份，氢氧化钠12份和去离子水40份。实施例2本实施例适用于二极管的清洗液，其是由以下重量份的组分组成：十六烷基三甲基氢氧化铵10份，硝酸铁15份，苯丙氯三唑1份，脂肪醇聚氧乙烯醚3份，乙醇8份，氢氧化钠16份和去离子水20份。实施例3本实施例适用于二极管的清洗液，其是由以下重量份的组分组成：十六烷基三甲基氢氧化铵8份，硝酸铁30份，苯丙氯三唑2份，脂肪醇聚氧乙烯醚4份，乙醇9份，氢氧化钠14份和去离子水30份。实施例4本实施例适用于二极管的清洗液，其是由以下重量份的组分组成：十六烷基三甲基氢氧化铵8份，硝酸铁30份，咪唑2份，脂肪醇聚氧乙烯醚4份，乙醇9份，氢氧化钠14份和去离子水30份。实施例5本实施例适用于二极管的清洗液，其是由以下重量份的组分组成：季铵聚酰芳胺8份，硝酸铁30份，苯丙氯三唑2份，脂肪醇聚氧乙烯醚4份，乙醇9份，氢氧化钠14份和去离子水30份。实施例6本实施例适用于二极管的清洗液，其是由以下重量份的组分组成：季铵聚酰芳胺8份，硝酸铁30份，咪唑2份，脂肪醇聚氧乙烯醚4份，乙醇9份，氢氧化钠14份和去离子水30份。实施例7本实施例适用于二极管的清洗液，其是由以下重量份的组分组成：十六烷基三甲基氢氧化铵8份，硝酸铁30份，苯丙氯三唑和咪唑的混合物2份，脂肪醇聚氧乙烯醚4份，乙醇9份，氢氧化钠14份和去离子水30份。实施例8本实施例适用于二极管的清洗液，其是由以下重量份的组分组成：季铵聚酰芳胺8份，硝酸铁30份，苯丙氯三唑和咪唑的混合物2份，脂肪醇聚氧乙烯醚4份，乙醇9份，氢氧化钠14份和去离子水30份。为了测试实施例1～8适用于二极管的清洗液，将经清洗液清洗后的二极管进行腐蚀实验，其测试性能结果见下表：静腐蚀率/(nm/min)腐蚀后表面粗糙度Rn/nm电流I/ρA电势E/mv缓蚀效率η/%实施例1271.67.272163.9899.1实施例2261.67.256164.2198.9实施例3271.57.168164.2699.2实施例415.44.2598.6105.8832.7实施例5261.57.236164.7699.3实施例615.64.6592.8106.2435.1实施例7281.37.132165.1299.8实施例8281.47.147165.2499.6由上表可以看出，实施例1-8在配方中增加了缓蚀剂，进而提高了二极管的缓蚀效率，缓蚀效率最高可达99.8%，能够有效抑制二极管的腐蚀，提高其表面的光滑度；且通过实施例1-8各实施例的对比，由测试结果可以看出，缓蚀剂为苯丙氯三唑和咪唑的混合物使，缓蚀效果最佳，因而实施例7为最佳实施例。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征以及本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种适用于二极管的清洗液，其特征在于：所述清洗液是由以下重量份的组分组成：季铵氢氧化物6‑10份，氧化剂15‑45份，缓蚀剂1‑3份，脂肪醇聚氧乙烯醚3‑5份，乙醇8‑10份，氢氧化钠12‑16份和去离子水20‑40份。
【技术特征摘要】
1.一种适用于二极管的清洗液，其特征在于：所述清洗液是由以下重量份的组分组成：季铵氢氧化物6-10份，氧化剂15-45份，缓蚀剂1-3份，脂肪醇聚氧乙烯醚3-5份，乙醇8-10份，氢氧化钠12-16份和去离子水20-40份。2.根据权利要求1所述的适用于二极管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志敏，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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