用于化学机械抛光的二氧化铈粉末的制备方法及使用该粉末制备化学机械抛光浆料的方法技术

本发明专利技术涉及用于ＣＭＰ浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备ＣＭＰ浆料的方法，更具体而言，涉及用于ＣＭＰ浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备ＣＭＰ浆料的方法，其中通过制备铈前体，然后分解和煅烧制得的铈前体，而增大所述粉末的比表面积。控制孔分布以增大在抛光膜与抛光材料之间的化学接触面积，从而减少抛光时间同时降低粉末的物理强度，这就显著减少了在抛光膜上的刮痕。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于化学机械抛光的二氧化铈粉末的制备方法及使用该粉末制备化学机械抛光浆料的方法
本专利技术涉及用于CMP(化学机械抛光)浆料的二氧化铈粉末的制备方法及使用该粉末制备CMP浆料的方法，更具体而言，涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法及使用该粉末制备CMP浆料的方法，在该方法中增大了所述粉末的比表面积，并且控制孔径分布以增大待抛光膜与抛光材料间的化学接触面积。因此，减少抛光时间同时降低粉末的物理硬度，这就显著减少了待抛光膜上的刮痕。
技术介绍
二氧化铈粉末是广泛用作抛光材料、催化剂、荧光小体等的原材料的高功能陶瓷粉末，并且最近已经受到作为无机抛光材料的关注，它是在半导体领域中，用于在STI(浅槽隔离)工艺等的下一代CMP(化学机械抛光)的抛光溶液的重要原材料。对于氧化硅(SiO2)膜的抛光速度、氧化硅膜和氮化硅(Si3N4)膜间的选择性抛光特性和抛光表面的防止刮痕的特性，用于STI CMP工艺的CMP溶液是非常重要的。为了实现这种除去性能，应该控制用作抛光材料的二氧化铈粉末的机械/化学性质。特别是，当将二氧化铈抛光材料应用于CMP浆料时，当强调在SiO2膜上的化学反应的重要性时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于ＣＭＰ浆料的二氧化铈粉末的制备方法，该方法包括下列步骤：　　　　（ａ）制备铈前体；　　　　（ｂ）分解制得的铈前体；以及　　　　（ｃ）煅烧分解的铈前体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2005-10-14 10-2005-00971571、一种用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，该方法包括下列步骤：(a)制备铈前体；(b)分解制得的铈前体；以及(c)煅烧分解的铈前体。2、根据权利要求1所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，其中所述步骤(a)中的铈前体选自包含碳酸盐、氢氧化物盐、氯化物盐、草酸盐和硫酸盐的组。3、根据权利要求1所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，其中所述步骤(a)中铈前体通过使用选自包含硝酸铈、乙酸铈、氯化铈和磺酸铈的组的一种或者多种原料制备。4、根据权利要求1所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，其中当制备所述步骤(a)中的铈前体时另外加入尿素或者碳酸铵。5、根据权利要求1所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，所述方法进一步包括在所述步骤(c)前分散和研磨分解的铈前体的步骤。6、根据权利要求5所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，其中所述分散和研磨为干磨和分散法。7、根据权利要求1所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，其中当在所述步骤(a)中制备铈前体时，另外加入选自包含有机分子、有机聚合物和有机溶剂的组的一种或者多种成孔材料。8、根据权利要求7所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，其中所述有机分子或者聚合物为选自包含脂族烃、芳烃、基于酯的化合物、基于酐的化合物、基于碳酸盐的化合物、丙烯酸化合物、基于硫醚的化合物、基于异氰酸酯的化合物、基于砜的化合物、硫酸根离子化合物、基于亚砜的化合物、环氧烷聚合物和丙烯酸酯聚合物的组，其能够在150～450℃的温度下热解。9、根据权利要求7所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，其中所述有机分子或者有机聚合物的平均分子量为10～100,000。10、根据权利要求7所述的用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法，其中所述有机溶剂为选自包含甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、丙酮、丙三醇、甲酸和乙酸乙酯的组，其介电常数为10～80。11、根据权利要求7所述的用于CMP浆料的二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明焕，鲁埈硕，金长烈，金钟泌，曹昇范，高敏镇，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]