氯化氢气体喷出用构件及三氯硅烷制造用反应装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种氯化氢气体喷出用构件、三氯硅烷制造用反应装置以及三氯硅烷制造方法，氯化氢气体喷出用构件（１）在使氯化氢气体与金属硅粉末发生反应来生成三氯硅烷的三氯硅烷制造用反应装置中使用，具有朝向长度方向延伸的轴部（２）、和沿与该轴部（２）的上述长度方向交叉的方向延伸的头部（３），轴部（２）上设有朝向上述长度方向延伸的供给孔（４），头部（３）上形成有多个喷出孔（５），喷出孔（５）与供给孔（４）连通，并且沿与供给孔（４）的延伸方向交叉的方向延伸而在头部（３）外表面开口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氯化氢气体喷出用构件及具有该氯化氢气体喷出用构件的三氯硅烷制造用反应装置、以及使用该氯化氢气体喷出用构件的三氯硅烷制造方法，上述氯化氢气体喷出用构件在使金属硅粉末与氯化氢气体发生反应而生成三氯硅烷时所使用的三氯硅烷制造用反应装置中使用，使氯化氢气体向供给到装置主体内的金属硅粉末中喷出。
技术介绍
作为用于制造99.999999999％以上极高纯度硅的原料而使用的三氯硅烷(SiHCl3)，是通过使纯度为98％左右的金属硅粉末(Si)和氯化氢气体(HCl)发生反应而制造的。作为用于这样使金属硅粉末和氯化氢气体发生反应来生成三氯硅烷的三氯硅烷制造用反应装置，提出了例如如专利文献1所示的装置，其包括：被供给金属硅粉末的装置主体、从该装置主体的底部将氯化氢气体导入装置主体内的气体导入机构。在此，为了使氯化氢气体喷出到金属硅粉末中，气体导入机构上安装有具有喷出孔的氯化氢气体喷出用构件。将粒径为1000μm以下的较小金属硅粉末供给到装置主体，从装置主体底部通过氯化氢气体喷出用构件使氯化氢气体高速喷出，使金属硅粉末流动。由此，使金属硅粉末与氯化氢气体充分接触，通过它们的反应得到三氯硅烷。专利文献1：日本特开2002-220219号公报。但是，以往的氯化氢气体喷出用构件，以其喷出孔朝向装置主体上方开口的方式固定在装置主体底部。在此，金属硅粉末如上述那样粒径较小，有可能进入喷出孔中而发生堵塞。因此，需要更换或清洁氯化氢气体喷出用构件，但由于氯化氢气体喷出用构件固定在装置主体底部，因此无法容易地卸下氯化氢气体喷出用构件。-->
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种可抑制由金属硅粉末引起的堵塞、并可使氯化氢气体广阔分散而提高三氯硅烷的生产效率的氯化氢气体喷出用构件及具有该氯化氢气体喷出用构件的三氯硅烷制造用反应装置、以及使用该氯化氢气体喷出用构件的三氯硅烷制造方法。本专利技术的氯化氢气体喷出用构件，在使氯化氢气体与金属硅粉末发生反应来生成三氯硅烷的三氯硅烷制造用反应装置中使用，其中，该氯化氢气体喷出用构件具有朝向长度方向延伸的轴部、和沿与该轴部的上述长度方向交叉的方向延伸的头部。上述轴部上设有朝向上述长度方向延伸的供给孔。上述头部上形成有多个喷出孔。各喷出孔与上述供给孔连通，并且沿与上述供给孔的延伸方向交叉的方向延伸而在上述头部的外表面开口。本专利技术的氯化氢气体喷出用构件，具有朝向长度方向延伸的轴部、和沿与该轴部的长度方向交叉的方向延伸的头部，设于轴部上的供给孔沿轴部长度方向延伸，并且头部上设有沿与供给孔交叉的方向延伸的喷出孔。因此，在上述三氯硅烷制造用反应装置上安装了该氯化氢气体喷出用构件时，金属硅粉末难以进入喷出孔，可防止喷出孔的堵塞。此外，由于形成多个喷出孔，因此可朝向多个方向喷出氯化氢气体，使氯化氢气体在金属硅粉末中广阔分散，可促进反应。本专利技术的氯化氢气体喷出用构件，优选在上述轴部上形成有螺纹部。本专利技术的氯化氢气体喷出用构件，可装卸地安装在上述三氯硅烷制造用反应装置的气体导入机构上。因此，即使长时间使用而劣化，也可容易地进行更换。此外，在万一发生喷出孔堵塞的情况下，也可取下该氯化氢气体喷出用构件来进行清洁，因此维修保养非常容易。而且，通过螺纹的旋紧旋松即可简单装卸氯化氢气体喷出用构件，可进一步提高维修保养性。另外，优选地，氯化氢气体喷出用构件的头部为可与扳手等作业用工具啮合的形状。本专利技术的氯化氢气体喷出用构件，优选将多个上述喷出孔形成为从上述供给孔以放射状延伸。-->在本专利技术的氯化氢气体喷出用构件中，通过供给孔供给来的氯化氢气体从多个喷出孔以放射状喷出，可使氯化氢气体在金属硅粉末中更广阔地分散。本专利技术的三氯硅烷制造用反应装置，使氯化氢气体与金属硅粉末发生反应来生成三氯硅烷，其中，该三氯硅烷制造用反应装置具有被供给上述金属硅粉末的装置主体、从该装置主体的底部侧将上述氯化氢气体向上述装置主体内导入的气体导入机构。在该气体导入机构中，上述氯化氢气体喷出用构件贯穿上述装置主体的底板部而可装卸地安装，上述头部配置在上述底板部上方。根据本专利技术的三氯硅烷制造用反应装置，可防止氯化氢气体喷出用构件的堵塞，可进行稳定操作。此外，通过使氯化氢气体在金属硅粉末中广阔分散，可大幅度提高三氯硅烷的生产效率。本专利技术的三氯硅烷制造方法，使氯化氢气体与金属硅粉末发生反应来生成三氯硅烷，其中，在被供给上述金属硅粉末的装置主体的底板部上安装上述的氯化氢气体喷出用构件，将上述头部配置在上述底板部的上表面上方，向上述装置主体下部一边供给金属硅粉末，一边从上述氯化氢气体喷出用构件的上述喷出孔喷出氯化氢气体。根据本专利技术，可抑制由金属硅粉末引起的堵塞。除此之外，根据本专利技术，可使氯化氢气体广阔分散而提高三氯硅烷的生产效率。附图说明图1是表示本专利技术实施方式的氯化氢气体喷出用构件的侧视图。图2是图1所示氯化氢气体喷出用构件的俯视图。图3是使用图1所示氯化氢气体喷出用构件的三氯硅烷制造用反应装置的概略说明图。图4是表示在气体导入机构上安装有图1所示氯化氢气体喷出用构件的状态的说明图。图5是表示排列于装置主体的底板部的多个氯化氢气体喷出用构件的说明图。图6是氯化氢气体喷出用构件的第2实施方式的侧视图。图7是图6所示氯化氢气体喷出用构件的俯视图。图8是氯化氢气体喷出用构件的第3实施方式的侧视图。-->图9是图8所示氯化氢气体喷出用构件的俯视图。图10是氯化氢气体喷出用构件的第4实施方式的侧视图。图11是图10所示氯化氢气体喷出用构件的俯视图。附图标记说明1 氯化氢气体喷出用构件2 轴部2A 外螺纹部(啮合部)3 头部4 供给孔5 喷出孔10 三氯硅烷制造用反应装置11 装置主体13 底部20 气体导入机构51、53、55 氯化氢气体喷出用构件52、54、56 头部具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。如图1和图2所示，本实施方式的氯化氢气体喷出用构件1包括：呈大致圆柱状的轴部2、在该轴部2的上端沿与轴部2的长度方向(图1中的上下方向)交叉的方向延伸的头部3。在本实施方式中，头部3沿与轴部2的长度方向正交的方向延伸，如图2所示那样，在俯视图中头部3为正六边形。另外，头部3的上表面3A是与轴部2的长度方向正交的平面，头部3的侧面3B与上表面3A正交。由此，头部3为大致正六棱柱形。此外，轴部2的外周面形成有外螺纹。如此，氯化氢气体喷出用构件1做成与所谓的六角螺栓相同的形状，头部3可与扳手等作业用工具啮合。轴部2上设有在轴部2的下端面2B开口、且沿轴部2的长度方向延伸的供给孔4。另外，该供给孔4在头部3的上表面3A上不开口，做成所谓的盲孔。-->并且，在头部3上形成有与供给孔4连通、且沿与供给孔4的延伸方向交叉的方向延伸的多个喷出孔5。在本实施方式中，如图1和图2所示，6个喷出孔5形成为分别与供给孔4的延伸方向正交。如图2所示，这6个喷出孔5形成为从位于头部3中心的供给孔4以放射状延伸，分别在呈正六棱柱状的头部3的侧面开口。即，喷出孔5的开口部朝向与轴部2的长度方向正交的方向。接着，对使用本实施方式的氯化氢气体喷出用构件1的三氯硅烷制造用反应装置10进行说明。如图3所示，三氯硅烷制造用反应装置10包括装置主体11，该装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氯化氢气体喷出用构件，在使氯化氢气体与金属硅粉末发生反应来生成三氯硅烷的三氯硅烷制造用反应装置中使用，　该氯化氢气体喷出用构件具有朝向长度方向延伸的轴部、和沿与该轴部的上述长度方向交叉的方向延伸的头部，　上述轴部上设有朝向上 述长度方向延伸的供给孔，　上述头部上形成有多个喷出孔，　各喷出孔与上述供给孔连通，并且沿与上述供给孔的延伸方向交叉的方向延伸而在上述头部的外表面开口。

【技术特征摘要】
JP 2007-10-25 2007-277788;JP 2008-7-30 2008-1970721.一种氯化氢气体喷出用构件，在使氯化氢气体与金属硅粉末发生反应来生成三氯硅烷的三氯硅烷制造用反应装置中使用，该氯化氢气体喷出用构件具有朝向长度方向延伸的轴部、和沿与该轴部的上述长度方向交叉的方向延伸的头部，上述轴部上设有朝向上述长度方向延伸的供给孔，上述头部上形成有多个喷出孔，各喷出孔与上述供给孔连通，并且沿与上述供给孔的延伸方向交叉的方向延伸而在上述头部的外表面开口。2.根据权利要求1所述的氯化氢气体喷出用构件，其特征在于，上述轴部上形成有螺纹部。3.根据权利要求1所述的氯化氢气体喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻叶力，
申请(专利权)人：三菱麻铁里亚尔株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]