【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示的
,特别是涉及一种彩色滤光片基板及制作方法与液晶显示面板。
技术介绍
液晶显示面板(liquid crystal display,LCD)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点,在平板显示领域占主导地位。液晶显示面板包括相对设置的彩色滤光片基板和薄膜晶体管阵列基板以及夹置在两者之间的液晶层。一般情况下,当用户从不同的视角观看液晶显示面板的屏幕时,图像的亮度会随着视角的增加而减小。传统的扭曲向列型(Twisted Nematic,TN)的液晶显示面板,公共电极和像素电极分别形成在上下两个不同的基板上,液晶分子在一个与基板垂直的平面内旋转。然而,TN型液晶显示面板的视角比较窄。为实现宽视角,采用水平电场的平面内切换型(In-Plane Switching,IPS)和采用边缘电场的边缘电场切换型(Fringe Field Switching,FFS)的液晶显示面板被开发出来。针对IPS型或FFS型的液晶显示面板,公共电极和像素电极是形成在同一基板(即薄膜晶体管阵列基板)上,液晶分子在与基板大致平行的平面内旋转从而获得更广的视角。在现有技术中,通常会在彩色滤光片基板上制作ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)层,该ITO层与阵列基板上的公共电极电性导通,以消除外部静电对IPS、FFS型液晶显示面板的影响,防止产生静电云纹(Mura)现象。但是,在这种方法中,由于彩色滤光片基板上的ITO层与阵列基板上的公共电极导通,使得彩色滤光片基板上的ITO层与阵列基板上的像素电极之间存在比较强 ...
【技术保护点】
一种彩色滤光片基板(11),包括衬底(110),该衬底(110)的一侧设有色阻层(112)、黑矩阵(113)和屏蔽电极(114),该屏蔽电极(114)由导电材料制成,该彩色滤光片基板(11)具有显示区(A)和位于该显示区(A)四周外围的非显示区(B),其特征在于,该屏蔽电极(114)与该黑矩阵(113)在该显示区(A)和该非显示区(B)均具有完全相同的图案,该屏蔽电极(114)与该黑矩阵(113)上下相互贴合接触且完全重叠在一起。
【技术特征摘要】
1.一种彩色滤光片基板(11),包括衬底(110),该衬底(110)的一侧设有色阻层(112)、黑矩阵(113)和屏蔽电极(114),该屏蔽电极(114)由导电材料制成,该彩色滤光片基板(11)具有显示区(A)和位于该显示区(A)四周外围的非显示区(B),其特征在于,该屏蔽电极(114)与该黑矩阵(113)在该显示区(A)和该非显示区(B)均具有完全相同的图案,该屏蔽电极(114)与该黑矩阵(113)上下相互贴合接触且完全重叠在一起。2.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板(11),其特征在于,该色阻层(112)和该黑矩阵(113)形成在该衬底(110)一侧的表面上,该屏蔽电极(114)设置在该黑矩阵(113)下方。3.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板(11),其特征在于,该色阻层(112)和该黑矩阵(113)形成在该衬底(110)一侧的表面上,该屏蔽电极(114)设置在该黑矩阵(113)下方,该屏蔽电极(114)下方还重叠设有另一层黑矩阵(113)。4.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板(11),其特征在于,该色阻层(112)和该屏蔽电极(114)形成在该衬底(110)一侧的表面上,该黑矩阵(113)设置在该屏蔽电极(114)下方。5.一种液晶显示面板,包括第一基板(11)、与该第一基板(11)相对设置的第二基板(12)以及位于该第一基板(11)与该第二基板(12)之间的液晶层(13),其特征在于,该第一基板(11)为权利要求1至4任一项所述的彩色滤光片基板(11),该第二基板(12)为薄膜晶体管阵列基板,该第二基板(12)上设有公共电极(125)和像素电极(127),该第一基板(11)上的屏蔽电极(114)与该第二基板(12)上的公共电极(125)通过导电胶(14)上下导电相连,其中该导电胶(14)与该屏蔽电极(114)的侧表面导电连接。6.一种彩色滤光片基板的制作方法,其特征在于,包括在衬底(110)的一侧制作色阻层(112)、黑矩阵(113)和屏蔽电极(114),该屏蔽电极(114)由导电材料制成,该彩色滤光片基板(11)具有显示区(A)和位于该显示区(A)四周外围的非显示区(B),其中该屏蔽电极(114)与该黑矩阵(113)在该显示区(A)和该非显示区(B)均具有完全相同的图案,该屏蔽电极(114)与该黑矩阵(113)上下相互贴合接触且完全重叠在一起。7.根据权利要求6所述的彩色滤光片基板的制作方法,其特征在于,该制作方法具体包括:在该衬底(110)上涂布一层BM负性光阻层(113a);在该BM负性光阻层(113a)上涂布一层正性光阻层(21);利用制作该黑矩阵(113)的BM光罩(30)对该正性光阻层(21)进行曝光;对经过曝光的该正性光阻层(21)进行显影,移除被曝光位置的该正性光阻层(21)并在被曝光位置露出该BM负性光阻层(113a);在该正性光阻层(21)和露出的该BM负性光阻层(113a)上沉积一层导电材料层(114a);对该导电材料层(114a)进行蚀刻,使该导电材料层(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟德镇,廖家德,苏子芳,黄丽玉,
申请(专利权)人:昆山龙腾光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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