降低三氟化氮中二氟化二氮和四氟化二氮浓度的蒸馏方法技术

公开了一种降低三氟化氮中的杂质二氟化二氮和四氟化二氮的浓度的蒸馏方法。该方法包括：（ａ）在蒸馏塔中在具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物存在下蒸馏包括三氟化氮和二氟化二氮和／或四氟化二氮的混合物；（ｂ）将包括二氟化二氮和／或四氟化二氮的混合物作为侧馏分从蒸馏塔中除去；（ｃ）从蒸馏塔的底部除去包括具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物的混合物；和（ｄ）从蒸馏塔的顶部除去具有降低了二氟化二氮和／或四氟化二氮的浓度的三氟化氮产物。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】降低三氟化氮中二氟化二氮和四氟化二氮浓度的蒸馏方法                  相关申请的交叉参考本申请要求2003年4月14日提交的美国临时专利申请60/462,756的优先权权益。                  专利技术背景
本专利技术涉及降低三氟化氮中杂质二氟化二氮和四氟化二氮的浓度的蒸馏方法。该方法包括在具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物存在下蒸馏三氟化氮，并将基本上不含所述杂质的三氟化氮作为蒸馏塔塔顶流除去，将包括所述杂质的浓缩物流作为蒸馏塔侧馏分除去，并将所述具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物作为蒸馏塔底流除去。
技术介绍
多种气态含氟化合物被用于等离子蚀刻硅型材料以制造半导体器件的制造过程。三氟化氮(NF3)的主要用途是作为半导体器件制造中的“化学气相沉积”(CVD)室清洗气体。CVD室清洗气体用于形成等离子体，后者对半导体制造装置的内表面产生影响以除去随时间而累积的各种不希望的沉积物。全氟化的化学品，如在半导体制造应用中用作清洗气体的NF3，更通常地被称作“电子气体”。具有高纯度的电子气体对于这样的应用是关键性的。已知，即使进入半导体器件制造工具的这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低选自二氟化二氮和四氟化二氮的至少一种杂质在包括三氟化氮和所述至少一种杂质的第一混合物中的浓度的方法，所述方法包括：（ａ）在蒸馏塔中在具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物存在下蒸馏所述第一混合物；（ｂ）从所述蒸馏塔在所述蒸馏塔的顶部和底部之间的点除去包括所述至少一种杂质的第二混合物；（ｃ）从所述蒸馏塔的底部除去包括所述具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物的第三混合物；和（ｄ）从所述蒸馏塔的顶部除去具有降低了所述至少一种杂质的浓度的三氟化氮产物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-4-14 60/462,7561.一种降低选自二氟化二氮和四氟化二氮的至少一种杂质在包括三氟化氮和所述至少一种杂质的第一混合物中的浓度的方法，所述方法包括：(a)在蒸馏塔中在具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物存在下蒸馏所述第一混合物；(b)从所述蒸馏塔在所述蒸馏塔的顶部和底部之间的点除去包括所述至少一种杂质的第二混合物；(c)从所述蒸馏塔的底部除去包括所述具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物的第三混合物；和(d)从所述蒸馏塔的顶部除去具有降低了所述至少一种杂质的浓度的三氟化氮产物。2.权利要求1的方法，其中在所述蒸馏步骤期间、以液相、在比所述第一混合物被引入到所述蒸馏塔中的点更高的所述蒸馏塔中的点将所述具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物引入到所述蒸馏塔中。3.权利要求1的方法，其中所述第一混合物包括至多约5000ppm-摩尔的所述至少一种杂质。4.权利要求1的方法，其中所述具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物具有约-90℃至约-20℃的标准沸点。5.权利要求4的方法，其中所述具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物是至少一种选自烃、氟代烃、氯氟代烃、氯代烃、全氟化碳、有机氧化物和无机氧化物的化合物。6.权利要求5的方法，其中所述具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物是至少一种选自乙烷、丙烷、丙烯、氟代甲烷、二氟甲烷、氟代乙烷、1，1，1-三氟乙烷、五氟乙烷、氯二氟代甲烷、氯代甲烷、六氟乙烷、一氧化二氮、二氧化碳、碳酰氟、三氟乙酰氟的化合物。7.权利要求5的方法，其中所述具有比三氟化氮更高的标准沸点的化合物是至少一种选自氟代甲烷、二氟甲烷、氟代乙烷、氯二氟代甲烷和一氧化二氮的化合物。8.权利要求5的方法，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：RN米勒，BA马莱尔，
申请(专利权)人：纳幕尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]