本实用新型专利技术公开了一种用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块，包括五个端口、输入检测电路和光电耦合电路，五个端口分别为A端口、B端口、C端口、D端口和E端口，其中A端口和B端口与输入检测电路相连，而C端口、D端口和E端口与光电耦合电路相连；输入检测电路包含分压电阻R1、整流桥堆B1、瞬态抑制二极管D1和限流电阻R2，光电耦合电路包含光电耦合器U1和隔离二极管D2。本实用新型专利技术设计简单、结构合理、构建方便、通用性好，不仅克服各种断路器的内部空间局限性和内部结构与电路的不统一，而且能够克服现有的各种断路器在交直流过压检测方面通用性不强的缺陷，并为近端与远端处用电设备提供很好的过压保护。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及断路器，更具体地说，是一种涉及用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块。
技术介绍
当前，在低压用电领域，断路器作为常规的安全配置电器开关，得以普遍应用，随着电子技术和材料技术的发展，虽然给断路器性能的优化、功能的拓展和成本的降低带来更广阔空间，但是也相应地在生产和使用方面带来了诸多问题，有待进一步解决：（1）各生产断路器的厂商，对于同型号的断路器外围尺寸和端口虽然是按照同一规格标准生产的，但是其内部结构和电路并不一定相同，对于不同型号断路器，不但外围尺寸和端口不完全相同，而且内部结构和电路也不完全相同；（2）现阶段的断路器使用量大，并且其外部的安装尺寸固化，其内部空间已经相当紧凑，欲增加新的功能和电路，几乎难寻到空间；（3）现阶段的断路器所控制和保护的用电设备种类繁多，主要为不同电压等级的交流负载，或经交流转换装置变换以后的直流负载，当出现诸如交直流过压故障时，最好安全方式是让断路器动作切断电源，停止断路器所控制和保护的用电设备工作，然而现阶段还缺乏通用的以适应交直流负载的交直流过压检测模块，用以匹配不同厂家生产的断路器，以及不同规格的断路器；（4）现阶段的断路器尚没有通用的用于对近端和远端处用电设备进行交直流过压检测和保护的模块。
技术实现思路
有鉴于此，本技术旨在提供用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块，不但能够克服现有的各种断路器在交直流过压检测方面通用性不强的缺陷，而且对近端和远端处的用电设备均能实现通用的检测和保护功能。为了实现上述专利技术的目的，本技术具体提供用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块技术方案是：（1）包括五个端口、输入检测电路和光电耦合电路；（2）所述的五个端口分别为A端口、B端口、C端口、D端口和E端口，其中A端口和B端口与输入检测电路相连，C端口、D端口和E端口与光电耦合电路相连；（3）所述的输入检测电路包含分压电阻R1、整流桥堆B1、瞬态抑制二极管D1和限流电阻R2，其中整流桥堆B1的又包含4个端口，分别为输入端VIN1、输入端VIN2、输出端VOUT1和输出端VOUT2，其输入端VIN1与分压电阻R1的一端连接，而分压电阻R1的另一端与所述的A端口相连，整流桥堆B1中的输入端VIN2与所述的B端口相连，而整流桥堆B1中的输出端VOUT2与瞬态抑制二极管D1的阴极相连，瞬态抑制二极管D1的阳极与限流电阻R2的一端相连；（4）所述的光电耦合电路包含光电耦合器U1和隔离二极管D2，其中光电耦合器U1又包含4个端口，分别设为输入端1、输入端2、输出端3和输出端4，其输入端1与所述的输入检测电路中限流电阻R2另一端相连，其输入端2与所述的输入检测电路中整流桥堆B1的输出端VOUT1相连，其输出端3与所述的E端口相连，其输出端4和隔离二极管D2的阴极与C端口相连，而隔离二极管D2的阳极与所述的D端口相连。优选的，所述的用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块中的单向瞬态抑制二极管D1，相应地替换成双向瞬态抑制二极管、压敏电阻、固态放电管或气体放电管中的之一。优选的，所述的用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块中的分压电阻R1，用一个固定电阻与一个可调电阻组成的串联电路替换，以利于检测和调试。本技术的有益效果是，提供用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块，设计简单、结构合理、构建方便，不但能够克服现有的各种断路器在交直流过压检测方面通用性不强的缺陷，而且对近端和远端处的用电设备均能实现通用的检测和保护功能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或技术方案，下面将对实施例或技术方案描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的较典型实施例结构组成或电路图的说明，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块一种典型示意图。图2是本技术用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块中的单向瞬态抑制二极管D1替换实施例示意图。图3是本技术用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块的分压电阻R1替换实施例示意图。图4是本技术用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块一种具体实施例示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术技术组成、技术方案和实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他实施例，都属于本技术保护的范围。现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。如附图1所示，是本技术用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块一种典型示意图，其特征是：（1）包括五个端口、输入检测电路和光电耦合电路；（2）所述的五个端口分别为A端口、B端口、C端口、D端口和E端口，其中A端口和B端口与输入检测电路相连，C端口、D端口和E端口与光电耦合电路相连；（3）所述的输入检测电路包含分压电阻R1、整流桥堆B1、瞬态抑制二极管D1和限流电阻R2，其中整流桥堆B1的又包含4个端口，分别为输入端VIN1、输入端VIN2、输出端VOUT1和输出端VOUT2，其输入端VIN1与分压电阻R1的一端连接，而分压电阻R1的另一端与所述的A端口相连，整流桥堆B1中的输入端VIN2与所述的B端口相连，而整流桥堆B1中的输出端VOUT2与瞬态抑制二极管D1的阴极相连，瞬态抑制二极管D1的阳极与限流电阻R2的一端相连；（4）所述的光电耦合电路包含光电耦合器U1和隔离二极管D2，其中光电耦合器U1又包含4个端口，分别设为输入端1、输入端2、输出端3和输出端4，其输入端1与所述的输入检测电路中限流电阻R2另一端相连，其输入端2与所述的输入检测电路中整流桥堆B1的输出端VOUT1相连，其输出端3与所述的E端口相连，其输出端4和隔离二极管D2的阴极与C端口相连，而隔离二极管D2的阳极与所述的D端口相连。如附图2所示，是本技术用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块中的单向瞬态抑制二极管D1替换实施例示意图，在附图1所述的用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块基础上，其单向瞬态抑制二极管D1，相应地替换成双向瞬态抑制二极管、压敏电阻、固体放电管或气体放电管中的之一。如附图3所示，是本技术用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块的分压电阻R1替换实施例示意图，在附图1所述的用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块基础上，把所述的分压电阻R1，用一个固定电阻R11与一个可调电阻R12组成的串联电路替换，以利于检测和调试。如附图4所示，是本技术用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块一种具体实施例示意图，即在附图1所述的用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块基础上，连接电子化的断路器，其中电子化断路器内部主要包括辅助电源、机械开关、执行元件、比较元件和检测元件，外部接交流电源和负荷，另外，还设置三个端口，分别包括E端口、C端口和D端口，分别与本技术用于断路器并本文档来自技高网...
【技术保护点】
用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块，包括五个端口、输入检测电路和光电耦合电路，其特征是：（1）所述的五个端口分别为A端口、B端口、C端口、D端口和E端口，其中A端口和B端口与输入检测电路相连，C端口、D端口和E端口与光电耦合电路相连；（2）所述的输入检测电路包含分压电阻R1、整流桥堆B1、单向瞬态抑制二极管D1和限流电阻R2，其中整流桥堆B1又包含4个端口，分别为输入端VIN1、输入端VIN2、输出端VOUT1和输出端VOUT2，其输入端VIN1与分压电阻R1的一端连接，而分压电阻R1的另一端与所述的A端口相连，整流桥堆B1中的输入端VIN2与所述的B端口相连，而整流桥堆B1中的输出端VOUT2与单向瞬态抑制二极管D1的阴极相连，单向瞬态抑制二极管D1的阳极与限流电阻R2的一端相连；（3）所述的光电耦合电路包含光电耦合器U1和隔离二极管D2，其中光电耦合器U1又包含4个端口，分别为输入端1、输入端2、输出端3和输出端4，其输入端1与所述输入检测电路当中的限流电阻R2另一端相连，其输入端2与所述输入检测电路当中的整流桥堆B1的输出端VOUT1相连，其输出端3与所述的E端口相连，其输出端4和隔离二极管D2的阴极与所述的C端口相连，而隔离二极管D2的阳极与所述的D端口相连。...
【技术特征摘要】
1.用于断路器并具有交直流过压检测的光电耦合模块，包括五个端口、输入检测电路和光电耦合电路，其特征是：（1）所述的五个端口分别为A端口、B端口、C端口、D端口和E端口，其中A端口和B端口与输入检测电路相连，C端口、D端口和E端口与光电耦合电路相连；（2）所述的输入检测电路包含分压电阻R1、整流桥堆B1、单向瞬态抑制二极管D1和限流电阻R2，其中整流桥堆B1又包含4个端口，分别为输入端VIN1、输入端VIN2、输出端VOUT1和输出端VOUT2，其输入端VIN1与分压电阻R1的一端连接，而分压电阻R1的另一端与所述的A端口相连，整流桥堆B1中的输入端VIN2与所述的B端口相连，而整流桥堆B1中的输出端VOUT2与单向瞬态抑制二极管D1的阴极相连，单向瞬态抑制二极管D1的阳极与限流电阻R2的一端相连；（3）所述的光电耦合电路包含光电耦合...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡正国，
申请(专利权)人：湖南工业大学，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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