一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法技术

一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法，制备方法包括：在衬底上淀积一层电极层；光刻和刻蚀电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；在栅电极上淀积覆盖两个栅电极的栅介质层；在栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；在栅介质层上生成分别与两个栅电极对应的有源区图形；淀积一连续的导电层覆盖两个有源区；光刻和刻蚀导电层，使得一个有源区的源区和另一个有源区的漏区电性相连；淀积钝化层；穿过钝化层制备用于将两个有源区的源漏区与外界电性连接的接触电极；在钝化层生长闪烁体层。该方案暗电流小，可提高探测的灵敏度；由于薄膜晶体管开关器件可以同时形成，因此能减少掩膜板的数量和简化工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管的制备方法，具体涉及一种可探测X射线的薄膜晶体管制备方法。
技术介绍
数字X射线探测技术主要分为直接探测和间接探测，其中直接探测由于需要加很高的电压驱动，吸收层厚度较高，暗电流较大，只能探测较长波长的X射线。而间接探测通过闪烁体转换成荧光，再由探测单元进行探测。其中探测单元主要由非晶硅光电二级管或CCD/CMOS图像传感器组成。非晶硅光电二级管虽然具有结构紧凑、成像面积大的优点，但和薄膜晶体管开关做在同一平面上，需要12-15块掩膜板。而CCD/CMOS图像传感器由单晶硅技术制成，具有较高的灵敏度和空间分辨率，但为了解决荧光侧向扩散问题，需要通过透镜或光锥把可见荧光耦合到芯片上。
技术实现思路
本申请提供一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法，其具有暗电流小，灵敏度高，能减少掩膜板的使用数量的优点。根据本专利技术的第一方面，一种实施例中公开了一种可探测X射线的薄膜晶体管制备方法，包括：在衬底上淀积一层电极层；光刻和刻蚀电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；在栅电极上淀积覆盖两个栅电极的栅介质层；在栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；在栅介质层上生成分别与两个栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可探测X射线的薄膜晶体管制备方法,其特征在于，包括：在衬底上淀积一层电极层；光刻和刻蚀所述电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；在所述栅电极上淀积覆盖两个所述栅电极的栅介质层；在所述栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；在所述栅介质层上生成分别与两个所述栅电极对应的有源区图形，所述有源区的中部为沟道区，两边为源漏区；淀积一连续的导电层覆盖两个所述有源区；光刻和刻蚀所述导电层，去除沟道区上方的所述导电层，并保留两个有源区之间的所述导电层，使得一个有源区的源区和另一个有源区的漏区电性相连；淀积覆盖两个所述有源区和所述导电层的钝化层；穿过所述钝化层制备用于将两个所述有源区的源漏区与外界电性连接的接触...

【技术特征摘要】
1.一种可探测X射线的薄膜晶体管制备方法,其特征在于，包括：在衬底上淀积一层电极层；光刻和刻蚀所述电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；在所述栅电极上淀积覆盖两个所述栅电极的栅介质层；在所述栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；在所述栅介质层上生成分别与两个所述栅电极对应的有源区图形，所述有源区的中部为沟道区，两边为源漏区；淀积一连续的导电层覆盖两个所述有源区；光刻和刻蚀所述导电层，去除沟道区上方的所述导电层，并保留两个有源区之间的所述导电层，使得一个有源区的源区和另一个有源区的漏区电性相连；淀积覆盖两个所述有源区和所述导电层的钝化层；穿过所述钝化层制备用于将两个所述有源区的源漏区与外界电性连接的接触电极；在所述钝化层生长闪烁体层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪烁体的材料为铊掺杂碘化钠、铊掺杂碘化铯、铪酸盐系列、铈激活闪烁体或镥基闪烁体。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪烁体的生长包括由溶液凝胶法、液相外延生长或水热法生长。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪烁体在X射线照射下其发射波长的能量大于沟道的禁带宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，卢慧玲，肖祥，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东;44