一种黑硅电池的制造方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种黑硅电池的制造方法和装置，其中，制造方法包括：包括：步骤1，对经过P扩散的P型金刚线硅片的背面进行刻蚀，去除所述P型金刚线硅片上的PSG和边缘pn结；步骤2，对所述P型金刚线硅片进行氧化，所述P型金刚线硅片的四周的O2流过的浓度的低于中心区域的O2流过的浓度；步骤3，对所述P型金刚线硅片的正面PECVD沉积两层减反射膜。所述黑硅电池的制造方法以及装置，通过在氧化过程中使得金刚线硅片的中心处沉积的氧化层的厚度高于四周的厚度，在后续的PECVD沉积两层减反射膜中，两层减反射膜的四周的厚度大于中心区域的厚度，这样使得金刚线硅片的表面的膜厚均匀，颜色均匀，改善了P型金刚线硅片的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏组件制造领域，特别是涉及一种黑硅电池的PECVD镀膜方法和装置。
技术介绍
PECVD设备会造成硅片四周颜色较浅(膜厚)，黑硅电池颜色较黑，因此黑硅电池PECVD后，四周与中心存在明显的色差，这种色差会导致黑背板组件的边缘出现色差。金刚线切割具有切割速度快、精度高、材料损耗低等优点，因此相比于砂浆线切割硅锭或硅棒，其生产成本能够大幅降低，具有较大的应用前景。利用金刚片制成黑硅电池能够有效的降低生产成本，但是由于金刚片本身比较亮，其表面晶粒易凸显，加上PECVD过程中造成的四周颜色更浅，制成黑硅电池后容易造成黑硅组件的外观不良。由于RIE和PECVD设备原因，RIE会造成硅片轻微蓝边、PECVD会造成硅片四周颜色较浅。同时，相比于常规硅片，P型金刚线硅片表面更亮，尤其是边缘晶粒明显更亮，这些都会造成P型金刚线硅片PECVD镀膜后四周颜色更浅，从而出现四周发黄(尤其边缘晶粒层压后有明显色差)现象，导致黑硅组件的外观不良。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种黑硅电池的制造方法和装置，改善了P型金刚线硅片的四周颜色发白的现象，提高了P型金刚线硅片品质。为解决上述技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黑硅电池的制造方法，其特征在于，包括：步骤1，对经过P扩散的P型金刚线硅片的背面进行刻蚀，去除所述P型金刚线硅片上的PSG和边缘pn结；步骤2，对所述P型金刚线硅片进行氧化，所述P型金刚线硅片的四周的O2流过的浓度的低于中心区域的O2流过的浓度；步骤3，对所述P型金刚线硅片的正面PECVD沉积两层减反射膜。

【技术特征摘要】
1.一种黑硅电池的制造方法，其特征在于，包括：步骤1，对经过P扩散的P型金刚线硅片的背面进行刻蚀，去除所述P型金刚线硅片上的PSG和边缘pn结；步骤2，对所述P型金刚线硅片进行氧化，所述P型金刚线硅片的四周的O2流过的浓度的低于中心区域的O2流过的浓度；步骤3，对所述P型金刚线硅片的正面PECVD沉积两层减反射膜。2.如权利要求1所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，所述P型金刚线硅片的四周的O2流过的浓度的低于中心区域的O2流过的浓度为所述P型金刚线硅片的四周的O2流过的浓度为所述P型金刚线硅片的中心区域的O2流过的浓度的40％。3.如权利要求2所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，所述减反射膜为SiNx薄膜。4.如权利要求3所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，所所述对所述P型金刚线硅片进行氧化包括：所述P型金刚线硅片的中心处沉积的氧化层的厚度为5nm，所述P型金刚线硅片的四周的氧化层的厚度为2nm。5.如权利要求4所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，在所述步骤3之后，还包括：步骤4...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶飞，蒋方丹，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33