一种N+/N型黑硅新结构及制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种N+/N型黑硅新结构。该结构以黑硅材料为光敏吸收层，梳状电极和平面金属电极分别为上、下电极。利用飞秒激光脉冲轰击或湿法刻蚀结合离子注入的方法制备的N+型黑硅光敏吸收层能够吸收紫外-可见光-近红外波段的光波，比传统硅探测器具有更高的光吸收率和更宽的吸收光谱。克服了传统硅在大于1100nm波长范围光吸收率低、响应率低的问题。该结构的在250nm—2500nm响应率范围为40—60A/W，信噪比范围为20—22dB。该发明专利技术为高响应度宽光谱光电器件的研究奠定了坚实的基础。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种N+/N型黑硅新结构，其特征在于：包括N型硅衬底1、N+黑硅光敏吸收层2、位于黑硅光敏吸收层2上表面的上电极3，以及位于N型硅衬底1下表面的下电极4。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋亚东，李世彬，苏元捷，姜晶，吴志明，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：