物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体技术

本发明专利技术提供了一种物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体。该物理量传感器能够降低盖体从基体上剥离的可能性。物理量传感器(100)包括：基体(10)；盖体(20)；功能元件(102)，其被配置在由基体(10)和盖体(20)形成的空腔(2)内；保护膜(30)，其对基体(10)的主面(12)、基体(10)的主面(12)与盖体(20)的接合分界部(4)、以及盖体(20)进行连续覆盖，并且保护膜(30)为无机材料膜或有机半导体膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体。
技术介绍
近年来，开发了一种使用硅MEMS(Micro Electro Mechanical System：微机电系统)技术来对物理量进行检测的物理量传感器。尤其是对加速度进行检测的加速度传感器以及对角速度进行检测的陀螺仪传感器的例如数码相机(DSC)的手抖补正功能、汽车的导航系统、游戏机的运动传感功能等用途正在迅速推广。在这种物理量传感器中，功能元件被收纳在被气密性地密封的空腔内。例如，在专利文献1中公开了一种在由基体与盖体形成的空腔中配置有功能元件的物理量传感器。在专利文献1中，在由玻璃组成的基体与由硅组成的盖体的接合中使用了阳极接合。此外，例如，在专利文献2中，作为对振子等元件进行密封的技术，公开了一种通过溅射法来对母基板与盖部件进行密封接合的技术。在专利文献2中，盖部件被树脂所覆盖。然而，在专利文献1的物理量传感器中，由于基体与盖体的接合分界部露出，因此在用于对芯片进行分片化的时刻，将会出现由于向基体与盖体的接合分界部供给水(切削水)从而使盖体从基体上剥离的情况。此外，在专利文献1的物理量传感器中，在被置于高温环境下的情况、或制造时被加热的情况下等，会出现由于基体与盖体的热膨胀系数的不同而使基体及盖体歪曲，从而使盖体从基体上剥离的情况。此外，在专利文献2的密封技术中，虽然通过树脂对盖部件与基体之间的分界面进行了覆盖，但在被置于高温环境下的情况或制造时被加热的情况下，存在树脂发生变形从而无法充分保护盖部件与基体之间的界面的情况。专利文献1：日本特开2013-164285号公报专利文献2：日本特开2006-20001号公报
技术实现思路
本专利技术的若干方式所涉及的目的之一在于，提供一种能够降低盖体从基体上剥离的可能性的物理量传感器及其制造方法。此外，本专利技术的若干方式所涉及的目的之一在于，提供一种包括上述物理量传感器的电子设备以及移动体。本专利技术是为了解决前述的课题的至少一部分而完成的专利技术，并以以下的方式或应用例来实现。应用例1本应用例所涉及的物理量传感器包括：基体；盖体；功能元件，其被配置在由所述基体和所述盖体形成的空腔内；保护膜，其对所述基体的主面、所述基体的所述主面与所述盖体的接合分界部、以及所述盖体进行连续覆盖；所述保护膜为无机材料膜或有机半导体膜。在这种物理量传感器中，由于保护膜对基体的主面、基体的主面与盖体的接合分界部、以及盖体进行连续覆盖，因此能够降低盖体从基体上剥离的可能性。应用例2在本应用例所涉及的物理量传感器中，也可以采用如下结构，即，在所述基体上设置有与所述空腔连通的配线槽，在所述配线槽中设置有配线，所述配线槽与所述配线被所述保护膜覆盖。在这种物理量传感器中，由于保护膜对配线槽以及配线进行覆盖，因此能够对配线槽进行密封，进而能够使空腔成为密闭空间。应用例3在本应用例所涉及的物理量传感器中，也可以采用如下结构，即，在所述基体上设置有衬垫，所述配线与所述衬垫电连接。在这种物理量传感器中，能够降低盖体从基体上剥离的可能性降低。应用例4本应用例所涉及的物理量传感器的制造方法，其为包括被配置在由基体和盖体构成的空腔内的功能元件的物理量传感器的制造方法，所述物理量传感器的制造方法包括：将所述基体与所述盖体进行接合并将所述功能元件收纳在所述空腔内的工序；形成保护膜的工序，所述保护膜对所述基体的主面、所述基体的所述主面与所述盖体的接合分界部、以及所述盖体进行连续覆盖，所述保护膜为无机材料膜或有机半导体膜。在这种物理量传感器的制造方法中，由于通过保护膜而对基体的主面、接合分界部、以及盖体进行连续覆盖，因此能够降低盖体从基体上剥离的可能性。应用例5在本应用例所涉及的物理量传感器的制造方法中，也可以采用如下方式，即，包括在被设置于所述基体上并与所述空腔连通的配线槽中设置配线的工序，在形成所述保护膜的工序中，通过所述保护膜而对所述配线槽和所述配线进行覆盖。在这种物理量传感器的制造方法中，能够在形成保护膜的工序中对配线槽进行密封。应用例6在本应用例所涉及的物理量传感器的制造方法中，也可以采用如下方式，即，在对所述功能元件进行收纳的工序中，通过所述盖体而对被设置在所述基体上的衬垫进行覆盖，在形成所述保护膜的工序之后，还包括将覆盖所述衬垫的所述盖体的一部分去除的工序。在这种物理量传感器的制造方法中，由于在形成保护膜的工序中能够通过盖体而对衬垫进行覆盖，因此能够降低在衬垫上形成保护膜的可能性。应用例7本应用例所涉及的电子设备包括上述应用例中的任一项所述的物理量传感器。在这种电子设备中，可以包括能够降低盖体从基体上剥离的可能性降低的物理量传感器。应用例8本应用例所涉及的移动体包括上述应用例中的任一项所述的物理量传感器。在这种移动体中，可以包括能够降低盖体从基体上剥离的可能性的物理量传感器。附图说明图1为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的剖视图。图2为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的俯视图。图3为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的俯视图。图4为表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造方法的一个示例的流程图。图5为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图6为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图7为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图8为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图9为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图10为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图11为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图12为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图13为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图14为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图15为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器的制造工序的剖视图。图16为示意性地表示本实施方式的改变例所涉及的物理量传感器的剖视图。图17为本实施方式所涉及的电子设备的功能框图。图18为表示作为电子设备的一个示例的智能电话的外观的一个示例的图。图19为表示作为电子设备的一个示例的腕戴型的便携设备的外观的一个示例的图。图20为表示本实施方式所涉及的移动体的一个示例的图。具体实施方式以下，利用附图对本专利技术的优选的实施方式进行详细说明。另外，在以下所说明的实施方式并不是对权利要求中所记载的本专利技术的内容进行不当限定的方式。此外，在以下所说明的结构未必全部是本专利技术的必要结构要件。1.物理量传感器首先，参照附图对本实施方式所涉及的物理量传感器进行说明。图1为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器100的剖视图。图2及图3为示意性地表示本实施方式所涉及的物理量传感器100的俯视图。另外，图1为图2及图3的I-I线的剖视图。此外，在图1～图3中，作为相互正交的三个轴而图示了X轴、Y轴及Z轴。物理量传感器100例如为加速度传感器或陀螺仪传感器。在下文中，对物理量传感器100为检测X轴方向的加速度的加速度传感器的情况进行说明。如图1～图3所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种物理量传感器，包括：基体；盖体；功能元件，其被配置在由所述基体和所述盖体形成的空腔内；保护膜，其对所述基体的主面、所述基体的所述主面与所述盖体的接合分界部、以及所述盖体进行连续覆盖，所述保护膜为无机材料膜或有机半导体膜。

【技术特征摘要】
2015.03.04 JP 2015-0421691.一种物理量传感器，包括：基体；盖体；功能元件，其被配置在由所述基体和所述盖体形成的空腔内；保护膜，其对所述基体的主面、所述基体的所述主面与所述盖体的接合分界部、以及所述盖体进行连续覆盖，所述保护膜为无机材料膜或有机半导体膜。2.如权利要求1所述的物理量传感器，其中，在所述基体上设置有与所述空腔连通的配线槽，在所述配线槽中设置有配线，所述配线槽与所述配线被所述保护膜覆盖。3.如权利要求2所述的物理量传感器，其中，在所述基体上设置有衬垫，所述配线与所述衬垫电连接。4.一种物理量传感器的制造方法，其为包括被配置在由基体和盖体构成的空腔内的功能元件的物理量传感器的制造方法，所述物理量传感器的制造方法包括：将所述基体与所述盖体进行接合...

【专利技术属性】
技术研发人员：成瀬敦纪，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP