太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术提供了太阳能电池及其制造方法。具体地，本发明专利技术的太阳能电池包含自下而上依次叠加的n GaAs层、主副栅结构、有机功能层和金属层，其中，所述主副栅结构的主栅和副栅的下方具有欧姆接触层，并且，所述副栅及其下方的欧姆接触层由绝缘层完全覆盖，其中，所述主栅作为负电极；所述有机功能层叠加在具有所述副栅的区域的表面上方；所述金属层叠加在所述有机功能层上，作为正电极。本发明专利技术的太阳能电池具有更好的性能和更低的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体涉及太阳能电池

技术介绍
近年来，太阳能电池得到了越来越广泛的应用。CN102522505(《无机与有机混合太阳能电池》)中公开了一种太阳能电池。如图1所示，在SiC衬底上依次包含AlN缓冲层、无机外延层、阴极、有机聚合物层和阳极。其中，AlN缓冲层的厚度150-200nm，采用有机金属化学气相沉积法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称“MOCVD”)方法生长。阴极通过在氮面n-GaN上淀积Ti和Al形成。有机聚合物的厚度为50-80nm，通过在氮面n-GaN上旋涂的方式形成。阳极通过在有机聚合物上淀积Au形成。无机外延层则是采用MOCVD方式生长、厚度为2-3μm、电子浓度为1.0×1017cm-3-2.0×1018cm-3的氮面n-GaN，该氮面与阴极的接触面为光滑面，与有机聚合物的接触面为布满凹深为450nm-1.5μm，密度为1.0×107cm-2-4.0×108cm-2的绒面。但是，上述太阳能电池存在诸多问题，例如：易导致形成漏电流、电池效率低、制作成本高、电池正面电极对入射光形成遮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，包含自下而上依次叠加的n GaAs层、主副栅结构、有机功能层和金属层，其中，所述主副栅结构的主栅和副栅的下方具有欧姆接触层，并且，所述副栅及其下方的欧姆接触层由绝缘层完全覆盖，其中，所述主栅作为负电极；所述有机功能层叠加在具有所述副栅的区域的表面上方；所述金属层叠加在所述有机功能层上，作为正电极。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包含自下而上依次叠加的n GaAs层、主副栅结构、有机功能层和金属层，其中，所述主副栅结构的主栅和副栅的下方具有欧姆接触层，并且，所述副栅及其下方的欧姆接触层由绝缘层完全覆盖，其中，所述主栅作为负电极；所述有机功能层叠加在具有所述副栅的区域的表面上方；所述金属层叠加在所述有机功能层上，作为正电极。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n GaAs层下方还包含以下层之一或其组合：窗口层、减反射层。3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述欧姆接触层是n+AlxGa1-xAs层，其中，x大于等于0，且小于等于0.6。4.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述n GaAs层、所述欧姆接触层具有选自下组的一个或多个特征：所述n GaAs层的厚度范围是1000-3000nm；所述n GaAs层的掺杂浓度是0.5-5×1017cm-3；所述欧姆接触层的厚度范围是100-500nm；或所述欧姆接触层的掺杂浓度较佳地是0.5-5×1018cm-3。5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述主副栅结构的主栅和副栅具有选自下组的一个或多个特征：所述主栅宽度范围是0.5-2mm；所述副栅宽度范围是0.05-0.2mm；或所述副栅间距范围是1-3mm。6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述有机功能层选自下组：(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))PEDOT:PSS...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄添懋，叶继春，盛江，郭炜，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33