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本发明提供了太阳能电池及其制造方法。具体地,本发明的太阳能电池包含自下而上依次叠加的n GaAs层、主副栅结构、有机功能层和金属层,其中,所述主副栅结构的主栅和副栅的下方具有欧姆接触层,并且,所述副栅及其下方的欧姆接触层由绝缘层完全覆盖,其...该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。
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本发明提供了太阳能电池及其制造方法。具体地,本发明的太阳能电池包含自下而上依次叠加的n GaAs层、主副栅结构、有机功能层和金属层,其中,所述主副栅结构的主栅和副栅的下方具有欧姆接触层,并且,所述副栅及其下方的欧姆接触层由绝缘层完全覆盖,其...