以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的光敏电阻及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的半导体光敏电阻及其制备方法。该种光敏电阻是以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，光敏材料层包裹在纳米阵列表面。其制作方法包括：在硅片表面制备大高宽比纳米柱阵列；在硅纳米柱阵列表面包裹硫化镉等光敏材料层；在光敏材料层表面用热蒸发的方法制备插指电极。这种半导体光敏电阻，借助于硅表面的大高宽比柱状纳米结构，可以有效增加基底的表面比，提高单位面积上光敏材料量，增加敏感材料与入射光的接触面积，增加对入射光的吸收，从而实现提高光敏电阻性能的目的。本发明专利技术对敏感材料的选择性更为广泛，可以克服有些敏感材料难以纳米化的问题，可以应用于多种半导体光敏电阻表面。

【技术实现步骤摘要】
201610407694

【技术保护点】
一种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的光敏电阻，其特征在于，该光敏电阻是在硅表面有大高宽比的纳米柱阵列，且在纳米柱阵列表面包裹有光敏材料层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘静，伊福廷，张天冲，王波，王雨婷，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11