温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的半导体光敏电阻及其制备方法。该种光敏电阻是以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，光敏材料层包裹在纳米阵列表面。其制作方法包括：在硅片表面制备大高宽比纳米柱阵列；在硅纳米柱阵列表面包裹硫化镉等光敏材料层；...
该专利属于中国科学院高能物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。