【技术实现步骤摘要】
201510019286
【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，其中，所述虚拟栅极结构包括虚拟栅极介电层；步骤S2：在所述半导体衬底上沉积第一层间介电层至所述虚拟栅极结构顶部以下；步骤S3：在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层至所述虚拟栅极结构顶部以上，其中，所述第二层间介电层的形成方法为：继续沉积所述第一层间介电层并原位掺杂C，以形成所述第二层间介电层，或沉积富含硅的层间介电层，以形成所述第二层间介电层；或沉积富含硅的层间介电层并原位掺杂C，以形成所述第二层间介电层；步骤S4：执行平坦化步骤至所述虚拟栅极结构，然后去除所述虚拟栅极结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢欣云，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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