一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法技术

一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，包括以下步骤：（1）将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中；（2）调整反应室和反应室上盖石英制顶板的温度；（3）通入氯化氢，进行预腐蚀；（4）提升氯化氢流量，根据石墨托盘生长材料厚度来决定腐蚀的速率；（5）停止通入氯化氢，对石墨托盘进行烘烤；（6）关闭加热，反应室温度降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕。本发明专利技术直接在MOCVD设备的基础上对石墨盘进行腐蚀，不必额外进行设备改造，通过氯化氢腐蚀对石墨托盘进行清洗，既解决了腐蚀均匀性的难题，又对腐蚀程度进行了精确把握，间接减小了对石墨托盘的影响，延长了石墨托盘的使用寿命，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
201610362921

【技术保护点】
一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中，反应室压力调整至400mbar‑800mbar；(2)将反应室温度调整至700℃～850℃，将反应室上盖的石英制顶板的温度设定为150℃‑200℃；(3)通入流量100sccm～400sccm的氯化氢，进行预腐蚀；(4)将氯化氢流量升至400sccm‑500sccm，根据石墨托盘生长材料厚度决定腐蚀时间，通入要求时间的氯化氢，保证石墨托盘上生长材料的腐蚀速率在3.5～5.5μm/分钟；(5)停止通入氯化氢，反应室温度维持700℃～850℃，将石英制顶板温度升至200℃‑280℃，对石墨托盘进行烘烤；(6)关闭加热，反应室温度下降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕。

【技术特征摘要】
1.一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中，反应室压力调整至400mbar-800mbar；(2)将反应室温度调整至700℃～850℃，将反应室上盖的石英制顶板的温度设定为150℃-200℃；(3)通入流量100sccm～400sccm的氯化氢，进行预腐蚀；(4)将氯化氢流量升至400sccm-500sccm，根据石墨托盘生长材料厚度决定腐蚀时间，通入要求时间的氯化氢，保证石墨托盘上生长材料的腐蚀速率在3.5～5.5μm/分钟；(5)停止通入氯化氢，反应室温度维持700℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雨，于军，吴德华，张新，徐现刚，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37