一种超宽带介质腔体衰减器制造技术

本发明专利技术公开了一种超宽带介质腔体衰减器，包括介质基板、电阻和微带导体，所述微带导体的宽度为0.97~1.03mm，且在印制时控制微波导带的厚度大于9um；所述电阻印制的大小为设计值的85％～95％之间，并且每一端测量的值一致；所述的介质基板为99％的A1203基片。本发明专利技术对衰减器的传输介质与衰减腔体进行了合理化的设计和处理，将不连续电容降低至最低，保证了产品阻抗的良好匹配，增加了产品的使用带宽，在国内率先开发出宽带介质腔体衰减器（DC-18GHz），并同时具有驻波比小、衰减精度高、体积小等优点，突破了衰减器的技术瓶颈，实现了高端产品的国产化。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超宽带介质腔体衰减器，包括介质基板、电阻和微带导体，其特征在于，所述微带导体的宽度为0.97~1.03mm，且在印制时控制微波导带的厚度大于9um；所述电阻印制的大小为设计值的85％～95％之间，并且每一端测量的值一致；所述的介质基板为99％的A12 03基片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓祥，
申请(专利权)人：镇江南方电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32