一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N型长基区四周的P型对通隔离区、置于P型对通隔离区之上的门极电极G、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N+阴极区、阴极电极K和位于芯片背面的四周的背面阻焊槽，带有短路孔的N+阴极区和阴极电极K设置在芯片的背面并终止在背面阻焊槽的内壁，P型阳极扩散区和阳极电极A设置在芯片的正面并终止在正面环状钝化沟槽的内壁，P型对通隔离区的一个角的面积比其它三个角大。该单向可控硅芯片提高了产品的di/dt值和散热能力，在应用时可以多只可控硅共用一个散热片。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N型长基区四周的P型对通隔离区、置于P型对通隔离区之上的门极电极G、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N+阴极区、阴极电极K和位于芯片背面的四周的背面阻焊槽，带有短路孔的N+阴极区和阴极电极K设置在芯片的背面并终止在背面阻焊槽的内壁，P型阳极扩散区和阳极电极A设置在芯片的正面并终止在正面环状钝化沟槽的内壁，P型对通隔离区的一个角的面积比其它三个角大。该单向可控硅芯片提高了产品的di/dt值和散热能力，在应用时可以多只可控硅共用一个散热片。【专利说明】一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片
本技术涉及一种半导体芯片
，具体是一种门极和阳极共面的单向可控娃芯片。
技术介绍
单向可控硅广泛应用于交流无触点开关、家用电器控制电路、工业控制等领域。要求其具备较高的di/dt值、较强的散热能力，近年来，很多应用领域提出了可控硅的外壳底板为阴极的要求、便于在应用时可以多只可控硅共用一个散热片。如图1至图3所示，目前市场上销售的单向可控硅，都是门极和阴极在芯片正面、阳极在芯片背本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、P型对通隔离区、门极电极G、N型长基区、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N+阴极区、阴极电极K和位于芯片背面四周的背面阻焊槽，其特征在于：所述P型阳极扩散区顶面设有阳极电极A，所述P型对通隔离区环绕在N型长基区四周，所述门极电极G置于P型对通隔离区之上，所述正面环状钝化沟槽位于阳极电极A和门极电极G之间，所述P型阳极扩散区和阳极电极A设置在N型长基区正面并终止在正面环状钝化沟槽的内壁，所述带有短路孔的N+阴极区和阴极电极K设置在芯片的背面并终止在背面阻焊槽的内壁，所述P型短基区位于N型长基区和带有短路孔的N+阴极区之...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王成森，钱清友，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32