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本实用新型公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片,包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N型长基区四周的P型对通隔离区、置于P型对通隔离区之上的门极电极G、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N+阴极区、阴极电极K和位于...该专利属于江苏捷捷微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏捷捷微电子股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片,包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N型长基区四周的P型对通隔离区、置于P型对通隔离区之上的门极电极G、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N+阴极区、阴极电极K和位于...