用于抛光基材的湿法铈土组合物、及其相关方法技术

公开了一种化学机械抛光组合物与一种抛光基材的方法。该抛光组合物包含：低平均粒径(例如30纳米或更小)的湿法铈土研磨剂颗粒；至少一种醇胺；以及水，其中所述抛光组合物具有6的pH值。该抛光组合物可用于，例如，抛光例如半导体工业中所用的多晶硅晶片等任何适宜的基材。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】公开了一种化学机械抛光组合物与一种抛光基材的方法。该抛光组合物包含：低平均粒径(例如30纳米或更小)的湿法铈土研磨剂颗粒；至少一种醇胺；以及水，其中所述抛光组合物具有6的pH值。该抛光组合物可用于，例如，抛光例如半导体工业中所用的多晶硅晶片等任何适宜的基材。【专利说明】
技术介绍
用于平坦化或抛光基材表面的组合物和方法是本领域公知的。抛光组合物（也称 为抛光浆料)典型地含有在液体载体中的研磨剂材料，且通过使表面与饱含该抛光组合物 的抛光垫接触而施加至表面。典型的研磨剂材料包括二氧化硅、铈氧化物、铝氧化物、锆氧 化物、及锡氧化物。抛光组合物典型地与抛光垫(例如抛光布或抛光盘)共同使用。不同于悬 浮于抛光组合物中或者除了悬浮于抛光组合物中以外，研磨剂材料可结合到抛光垫内。 浅沟槽隔离（STI)法是用于隔离半导体器件的元件的方法。在STI法中，在硅基材 上形成多晶硅层，经由蚀刻或光蚀刻法形成浅沟槽，且沉积介电层(例如氧化物）以填充沟 槽。由于以此方式形成的沟槽或线路的深度的变化，典型地必须在基材的顶部上沉积过量 的介电材料，以确保所有沟槽的完全填充。 然后，典型地通过化学机械平坦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光组合物，包含：(a)具有30纳米或更小的平均粒径的湿法铈土研磨剂颗粒；(b)至少一种醇胺；以及(c)水，其中该组合物具有6或更高的pH值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B赖斯，J戴萨德，S谢卡尔，
申请(专利权)人：嘉柏微电子材料股份公司，
类型：发明
国别省市：美国;US