用于选择性地抛光基材的湿法铈土组合物、以及与其相关的方法技术

公开了化学机械抛光组合物以及抛光基材的方法。所述抛光组合物包含：湿法铈土研磨剂颗粒(例如120纳米或更低)；至少一种醇胺；至少一种具有至少一个亲水性部分和至少一个疏水性部分的表面活性剂，该表面活性剂具有1,000的分子量；以及水，其中所述抛光组合物具有6的pH值。所述抛光组合物可用于，例如，抛光任何适宜的基材，例如半导体工业中所用的多晶硅晶片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
用于平坦化或抛光基材表面的组合物和方法是本领域公知的。抛光组合物(也称为抛光浆料)典型地含有在液体载体中的研磨剂材料，且通过使表面与饱含该抛光组合物的抛光垫接触而施加至表面。典型的研磨剂材料包括二氧化硅、铈氧化物、铝氧化物、锆氧化物、及锡氧化物。抛光组合物典型地与抛光垫(例如抛光布或抛光盘)共同使用。不同于悬浮于抛光组合物中或者除了悬浮于抛光组合物中以外，研磨剂材料可结合到抛光垫内。浅沟槽隔离(STI)法是用于隔离半导体器件的元件的方法。在STI法中，在硅基材上形成多晶硅层，经由蚀刻或光蚀刻法形成浅沟槽，且沉积介电层(例如氧化物)以填充沟槽。由于以此方式形成的沟槽或线路的深度的变化，典型地必须在基材的顶部上沉积过量的介电材料，以确保所有沟槽的完全填充。然后，典型地通过化学机械平坦化方法除去过量的介电材料，以暴露出多晶硅层。当暴露出多晶硅层时，基材暴露于化学机械抛光组合物的最大区域包含多晶硅，所述多晶硅必须随后被抛光以实现高度平坦且均匀的表面。因此，多晶硅层已经在化学机械平坦化本文档来自技高网...

【技术保护点】
化学机械抛光组合物，包含：(a)具有120纳米或更低的平均粒径的湿法铈土研磨剂颗粒；(b)至少一种醇胺；(c)至少一种具有至少一个亲水性部分和至少一个疏水性部分的表面活性剂，该表面活性剂具有1,000或更高的分子量；以及(d)水，其中该组合物具有6或更高的pH值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.10 US 14/050,7221.化学机械抛光组合物，包含：
(a)具有120纳米或更低的平均粒径的湿法铈土研磨剂颗粒；
(b)至少一种醇胺；
(c)至少一种具有至少一个亲水性部分和至少一个疏水性部分的表面活性剂，该表面
活性剂具有1,000或更高的分子量；以及
(d)水，
其中该组合物具有6或更高的pH值。
2.权利要求1的抛光组合物，其中该研磨剂颗粒具有65纳米或更低的平均初级粒径。
3.权利要求1的抛光组合物，其中该研磨剂颗粒以该组合物的0.001重量％至2重量％
的量存在。
4.权利要求1的抛光组合物，其中该醇胺具有6至10的pKi值。
5.权利要求1的抛光组合物，其中该醇胺带有pKa值为7至11的官能团。
6.权利要求1的抛光组合物，其中该醇胺为2-二甲基氨基-2-甲基丙醇、三乙醇胺、二乙
醇胺、乙醇胺、2-氨基-2-甲基-1,3-丙二醇、Bis-Tris、Tris、或者它们的任意组合。
7.权利要求1的抛光组合物，其中该醇胺以该组合物的0.001重量％至1重量％的量存
在。
8.权利要求1的抛光组合物，其中该表面活性剂具有下式：
A-R-C
其中，A与C为亲水性部分，且R为疏水性部分。
9.权利要求8的抛光组合物，其中该表面活性剂是双官能的，且A与C是相同的。
10.权利要求8的抛光组合物，其中A与C中的至少一者含有酯、羧酸、以及醇官能团中的
至少一种、或者它们的任意组合。
11.权利要求8的抛光组合物，其中A与...

【专利技术属性】
技术研发人员：B赖斯，
申请(专利权)人：嘉柏微电子材料股份公司，
类型：发明
国别省市：美国;US