【技术实现步骤摘要】
一种快速制备单/双元二维胶体晶体的装置
本专利技术涉及胶体晶体制备领域,具体涉及一种快速制备单/双元二维胶体晶体的装置。
技术介绍
纳米结构独特的光学、电学等方面的优良特性引起了人们的广泛关注,并专利技术了许多制备纳米结构的方法,如EBL、纳米压印和干涉光刻技术等。但这些方法大都较为复杂,效率不高,而纳米球刻蚀技术因其能够快速高效制备纳米结构而备受关注,它是一种并行的制备纳米点阵的自组装方法,其核心是二维有序纳米胶体球阵列掩膜的制备。目前能够实现高效制备二维有序纳米胶体球阵列的方法是利用胶体球在气液界面的自组装来完成。为了实现胶体球在气液界面的自组装得到二维有序结构,必须还要借助一些恰当的设备。比如,先用旋涂法在基片上获得均匀分布,再把基片缓慢插入水中,从而获得二维有序结构;利用微量进样器,在水面上直接成膜;利用液体与固体之间的弯月界面等。这些方法要么效率不高,要么仪器过于精密,操作过于复杂,而且不能用于制备具有两种粒径微球的胶体晶体。气液界面是实现自组装的理想场所,要更好地实现有序二维胶体结构的高效制备和获得结构更为复杂的纳米结构,就需要设计一种更有利于实现胶体 ...
【技术保护点】
一种快速制备单/双元二维胶体晶体的装置,其特征在于:包括水槽、第一滚轴、第二滚轴和横杆,水槽的底部为一倾斜面,倾斜面右侧的高度高于左侧;水槽的前侧壁上设置有第一前凸台和第二前凸台,第一前凸台位于第二前凸台的左侧;水槽的后侧壁上设置有第一后凸台和第二后凸台,第一后凸台位于第二后凸台的左侧;横杆的两端分别固定在第一前凸台和第一后凸台上;第一滚轴的两端分别与水槽的前侧壁下端、后侧壁下端转动连接;第二滚轴的两端分别与第二前凸台和第二后凸台转动连接;第一滚轴和第二滚轴之间设置有传送带,横杆上固定有一个容器,容器的底部与传送带的上表面的距离为0.5~1.5mm,容器的底部设置有一细缝; ...
【技术特征摘要】
1.一种快速制备单/双元二维胶体晶体的装置,其特征在于:包括水槽、第一滚轴、第二滚轴和横杆,水槽的底部为一倾斜面,倾斜面右侧的高度高于左侧;水槽的前侧壁上设置有第一前凸台和第二前凸台,第一前凸台位于第二前凸台的左侧;水槽的后侧壁上设置有第一后凸台和第二后凸台,第一后凸台位于第二后凸台的左侧;横杆的两端分别固定在第一前凸台和第一后凸台上;第一滚轴的两端分别与水槽的前侧壁下端、后侧壁下端转动连接;第二滚轴的两端分别与第二前凸台和第二后凸台转动连接;第一滚轴和第二滚轴之间设置有传送带,横杆上固定有一个容器,容器的底部与传送带的上表面的距离为0.5~1.5mm,容器的底部...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜祖亮,马海光,牛丽红,
申请(专利权)人:河南大学,
类型:发明
国别省市:河南;41
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