一种MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路与扩频方法技术

本发明专利技术公开了一种MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路与扩频方法，方法包括：1)设置MgZnO基MSM紫外光探测器的结构参数、材料参数和入射光参数；2)计算MgZnO基MSM紫外光探测器的瞬态电流；3)等效MgZnO基MSM紫外光探测器的寄生效应；4)得到MgZnO基MSM紫外光探测器的半物理半经验等效电路模型；5)利用电感峰化技术或电感电容峰化技术对MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路模型进行峰值增益等效电路的构建，得到扩频电感或扩频电感和电容的取值范围内的最大带宽；6)判断最大带宽是否为极大值，7)判断峰值增益等效电路的最佳扩频电感或扩频电感和扩频电容是否满足精度。构建的串联型和加强型电路模型既反映了器件的物理机制又能保证较高的精度，适于高速应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路的扩频方法，其特征在于，包括下述步骤：1)根据MgZnO基MSM紫外光探测器的结构和实验结果设置结构参数、材料参数和入射光参数；2)将步骤1)得到的结构、材料和入射光参数分别代入输运方程和连续性方程中，通过对输运方程和连续性方程进行联立求解，计算MgZnO基MSM紫外光探测器的瞬态电流；3)利用步骤1)得到的结构、材料和入射光参数，求解MgZnO基MSM紫外光探测器的包括存储电容、寄生电容、寄生电感、寄生电阻和漏电阻在内的寄生量，用来等效MgZnO基MSM紫外光探测器的寄生效应；4)在步骤2)获得的探测器瞬态电流基础上，充分考虑步骤3)的寄生量对MgZnO基MSM紫外光探测器的影响，将存储电容、漏电阻、寄生电阻、寄生电容和寄生电感加入等效电路模型中，得到MgZnO基MSM紫外光探测器的半物理半经验等效电路模型；5)利用电感峰化技术或电感电容峰化技术对MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路模型进行峰值增益等效电路的构建，初步设置扩频电感或扩频电感和扩频电容的取值范围和步长，得到峰值增益等效电路在该扩频电感或扩频电感和电容的取值范围内的最大带宽；6)判断峰值增益等效电路在该取值范围内的最大带宽是否为极大值，如果是，则进入步骤7)，判断该扩频电感或扩频电感和电容值是否满足精度要求；如果不是极大值，则重复步骤5)‑6)，调整扩频电感或扩频电感和扩频电容的取值范围，再次寻找最大值，直至满足要求；7)判断峰值增益等效电路的最佳扩频电感或扩频电感和扩频电容是否满足精度，如果满足精度要求，则能够得到MgZnO基MSM紫外光探测器的峰值增益等效电路的带宽最大值；如果不满足精度要求，则要重复步骤5)‑7)，直至满足要求。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王平，郭馨璐，宋振杰，何静芳，郭立新，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61