NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置，补偿方法包括：确定NAND FLASH中进行擦写操作的当前块；更新当前块的擦写次数；根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据擦写条件设置当前块的初始写电压和初始擦除电压。本发明专利技术实施例针对不同块的不同擦写次数分别设置写电压和擦除电压，从而可以防止由于cell本身衰退造成的擦写失败或者操作margin减小，有效增加了NAND FLASH的使用寿命，提高了NAND FLASH的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片
，特别是涉及一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法和一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置。
技术介绍
NANDFLASH(FLASH内存的一种，内部采用非线性宏单元模式)的cell(存储单元)在擦写次数很少时，各cell擦除后的阈值电压正态分布曲线如图1中实线f1所示，各cell编程即写后的阈值电压正态分布曲线如图1中实线f2所示。由于cell本身的特性，在进行多次擦写后，会在浮栅上形成缺陷和复合中心，造成cell自身衰退，cell的阈值电压提高，各cell整体的正态分布曲线向右移动，此时，cell擦除后的阈值电压正态分布曲线如图1中虚线f3所示，cell编程后的阈值电压正态分布曲线如图1中虚线f4所示，导致NANDFLASH中不同的block(块)在擦写次数不同时，不同的block中cell在编程后的阈值电压和擦除后的阈值电压会出现不同的分布情况，其中，图1中的VRED电压为区分cell擦除状态和编程状态的读取电压。但是，在传统NANDFLASH中，所有block中cell的编程电压和擦除电压，包括初始编程电压和编程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND FLASH擦写衰退的补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：确定NAND FLASH中进行擦写操作的当前块；更新当前块的擦写次数；根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据所述擦写条件设置所述当前块的初始写电压和初始擦除电压。

【技术特征摘要】
1.一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法，其特征在于，包括以下
步骤：
确定NANDFLASH中进行擦写操作的当前块；
更新当前块的擦写次数；
根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据所述擦写条件设置所述当
前块的初始写电压和初始擦除电压。
2.根据权利要求1所述的补偿方法，其特征在于，所述更新当前块的
擦写次数，包括：
从预设存储空间获取当前块的擦写次数；
将所述当前块的擦写次数加一，并作为所述更新后的擦写次数；
将所述更新后的擦写次数存储至所述预设存储空间。
3.根据权利要求2所述的补偿方法，其特征在于，所述预设存储空间
设置在所述当前块中。
4.根据权利要求1所述的补偿方法，其特征在于，还包括：
根据所述擦写条件设置所述当前块的写递增电压和擦除递增电压。
5.根据权利要求1所述的补偿方法，其特征在于，所述根据更新后的
擦写次数选择擦写条件，包括：
当所述更新后的擦写次数大于或等于第一预设次数阈值时，选择第一擦
写条件；
当所述更新后的擦写次数大于或等于第二预设次数阈值时，选择第二擦
写条件；
当所述更新后的擦写次数大于或等于第三预设次数阈值时，选择第三擦
写条件；
当所述更新后的擦写次数大于或等于第四预设次数阈值时，选择第四擦
写条件。
6.一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置，其特征在于，包括：
当...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，陈立刚，谢瑞杰，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11