NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置，补偿方法包括：确定NAND FLASH中进行擦写操作的当前块；更新当前块的擦写次数；根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据擦写条件设置当前块的初始写电压和初始擦除电压。本发明专利技术实施例针对不同块的不同擦写次数分别设置写电压和擦除电压，从而可以防止由于cell本身衰退造成的擦写失败或者操作margin减小，有效增加了NAND FLASH的使用寿命，提高了NAND FLASH的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片
，特别是涉及一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法和一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置。
技术介绍
NANDFLASH(FLASH内存的一种，内部采用非线性宏单元模式)的cell(存储单元)在擦写次数很少时，各cell擦除后的阈值电压正态分布曲线如图1中实线f1所示，各cell编程即写后的阈值电压正态分布曲线如图1中实线f2所示。由于cell本身的特性，在进行多次擦写后，会在浮栅上形成缺陷和复合中心，造成cell自身衰退，cell的阈值电压提高，各cell整体的正态分布曲线向右移动，此时，cell擦除后的阈值电压正态分布曲线如图1中虚线f3所示，cell编程后的阈值电压正态分布曲线如图1中虚线f4所示，导致NANDFLASH中不同的block(块)在擦写次数不同时，不同的block中cell在编程后的阈值电压和擦除后的阈值电压会出现不同的分布情况，其中，图1中的VRED电压为区分cell擦除状态和编程状态的读取电压。但是，在传统NANDFLASH中，所有block中cell的编程电压和擦除电压，包括初始编程电压和编程递增电压值，以及初始擦除电压和擦除递增电压值，在芯片的寿命周期内是固定值。因此，在出现cell衰退时，仍然用初始编程电压编程和初始擦除电压擦除cell，从而在编程时会造成cell的过编程，而在擦除时会造成擦除失败，或者cell的操作margin(阈度)减小，降低NANDFLASH的性能和可靠性。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法和相应的一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置，以解决传统NANDFLASH无法防止cell衰退造成擦写失败或者cell的操作margin减小的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法，包括以下步骤：确定NANDFLASH中进行擦写操作的当前块；更新当前块的擦写次数；根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据所述擦写条件设置所述当前块的初始写电压和初始擦除电压。具体地，所述更新当前块的擦写次数，包括：从预设存储空间获取当前块的擦写次数；将所述当前块的擦写次数加一，并作为所述更新后的擦写次数；将所述更新后的擦写次数存储至所述预设存储空间。具体地，所述预设存储空间设置在所述当前块中。具体地，NANDFLASH擦写衰退的补偿方法还包括：根据所述擦写条件设置所述当前块的写递增电压和擦除递增电压。具体地，所述根据更新后的擦写次数选择擦写条件，包括：当所述更新后的擦写次数大于或等于第一预设次数阈值时，选择第一擦写条件；当所述更新后的擦写次数大于或等于第二预设次数阈值时，选择第二擦写条件；当所述更新后的擦写次数大于或等于第三预设次数阈值时，选择第三擦写条件；当所述更新后的擦写次数大于或等于第四预设次数阈值时，选择第四擦写条件。为了解决上述问题，本专利技术实施例还公开了一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置，包括：当前块确定模块，用于确定NANDFLASH中进行擦写操作的当前块；更新模块，用于更新当前块的擦写次数；电压设置模块，用于根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据所述擦写条件设置所述当前块的初始写电压和初始擦除电压。具体地，所述更新模块包括：操作次数获取单元，用于从预设存储空间获取当前块的擦写次数；累加单元，用于将所述当前块的擦写次数加一，并作为所述更新后的擦写次数；存储单元，用于将所述更新后的擦写次数存储至所述预设存储空间。具体地，所述预设存储空间设置在所述当前块中。具体地，所述电压设置模块还用于：根据所述擦写条件设置所述当前块的写递增电压和擦除递增电压。具体地，所述电压设置模块包括：第一选择单元，用于当所述更新后的擦写次数大于或等于第一预设次数阈值时，选择第一擦写条件；第二选择单元，用于当所述更新后的擦写次数大于或等于第二预设次数阈值时，选择第二擦写条件；第三选择单元，用于当所述更新后的擦写次数大于或等于第三预设次数阈值时，选择第三擦写条件；第四选择单元，用于当所述更新后的擦写次数大于或等于第四预设次数阈值时，选择第四擦写条件。本专利技术实施例包括以下优点：在确定NANDFLASH中进行擦写操作的当前块后，更新当前块的擦写次数，进而根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据擦写条件设置当前块的初始写电压和初始擦除电压。从而实现针对不同块的不同擦写次数分别设置初始写电压和初始擦除电压，防止了由于cell本身衰退造成的擦写失败或者操作margin减小，有效增加了NANDFLASH的使用寿命，提高了NANDFLASH的性能和可靠性。附图说明图1是NANDFLASH中各cell的阈值电压正态分布曲线的示意图；图2是本专利技术的一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法实施例的步骤流程图；图3是本专利技术的另一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法实施例的步骤流程图；图4是本专利技术的一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置实施例的结构框图；图5是本专利技术的另一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置实施例的结构框图；图6是本专利技术的另一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置实施例中电压设置模块的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一参照图2，示出了本专利技术的一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：S1，确定NANDFLASH中进行擦写操作的当前块。其中，步骤S1可以通过检测写电压和擦除电压等来确定当前块。具体地，还可以通过检测写电压来检测当前块是否进行写操作，通过检测擦除电压来检测当前块是否进行擦除操作。S2，更新当前块的擦写次数。在本专利技术的一个实施例中，当当前块完成擦除操作和写操作后，步骤S2更新当前块的擦写次数。S3，根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据擦写条件设置当前块的初始写电压和初始擦除电压。在本专利技术的一个实施例中，步骤S3中的擦写条件可以为与更新后的擦写次数相匹配的触发信号，从而步骤S3可以根据该触发信号设置当前块的初始写电压和初始擦除电压。其中，步骤S3设置后的当前块的初始写电压小于设置前的当前块的初始写电压，步骤S3设置后的当前块的初始擦除电压小于设置前的当前块的初始擦除电压，从而可以实现补偿cell本身衰退造成的阈值电压变化，提高cell的操作margin，防止出现由于cell衰退造成擦写失败或者cell的操作margin减小的问题。根据本专利技术实施例一，在确定NANDFLASH中进行擦写操作的当前块后，更新当前块的擦写次数，进而根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据擦写条件设置当前块的初始写电压和初始擦除电压。从而实现针对不同块的不同擦写次数分别设置初始写电压和初始擦除电压，防止了由于cell本身衰退造成的擦写失败或者操作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND FLASH擦写衰退的补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：确定NAND FLASH中进行擦写操作的当前块；更新当前块的擦写次数；根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据所述擦写条件设置所述当前块的初始写电压和初始擦除电压。

【技术特征摘要】
1.一种NANDFLASH擦写衰退的补偿方法，其特征在于，包括以下
步骤：
确定NANDFLASH中进行擦写操作的当前块；
更新当前块的擦写次数；
根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据所述擦写条件设置所述当
前块的初始写电压和初始擦除电压。
2.根据权利要求1所述的补偿方法，其特征在于，所述更新当前块的
擦写次数，包括：
从预设存储空间获取当前块的擦写次数；
将所述当前块的擦写次数加一，并作为所述更新后的擦写次数；
将所述更新后的擦写次数存储至所述预设存储空间。
3.根据权利要求2所述的补偿方法，其特征在于，所述预设存储空间
设置在所述当前块中。
4.根据权利要求1所述的补偿方法，其特征在于，还包括：
根据所述擦写条件设置所述当前块的写递增电压和擦除递增电压。
5.根据权利要求1所述的补偿方法，其特征在于，所述根据更新后的
擦写次数选择擦写条件，包括：
当所述更新后的擦写次数大于或等于第一预设次数阈值时，选择第一擦
写条件；
当所述更新后的擦写次数大于或等于第二预设次数阈值时，选择第二擦
写条件；
当所述更新后的擦写次数大于或等于第三预设次数阈值时，选择第三擦
写条件；
当所述更新后的擦写次数大于或等于第四预设次数阈值时，选择第四擦
写条件。
6.一种NANDFLASH擦写衰退的补偿装置，其特征在于，包括：
当...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，陈立刚，谢瑞杰，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11