【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及闪存领域，具体而言，涉及一种提高NOR FLASH擦写寿命的方法。
技术介绍
NOR FLASH是目前市场上主要的非易失闪存技术之一，NOR FLASH的传输效率很高，在I 4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能，NOR FLASH的擦写次数是十万次。EEPROM是电子擦除式只读存储器，它是一种非挥发性存储器，电源消失后，储存的数据依然存在，要消除储存在其中的内容，以电子 信号直接消除即可，EEPROM的擦写次数是百万次。从NOR FLASH和EEPROM的特点上能够看出，二者的擦写寿命差距很大。在嵌入式系统设计过程中，根据功能需要进行相应的软硬件设计，芯片选型满足主要需求后，外围资源的安排要考虑成本等各种因素，有的设计需要EEPROM存储器，主要芯片内没有EEPROM存储资源，但是有N0RFLASH存储资源，这种情况下如果能够通过设计改进把NOR FLASH资源当作EEPROM资源来使用，则可以省去增加EERPOM存储器的成本，并且硬件结构也比较精简。
技术实现思路
本专利技术提供一种提高NOR FLASH擦写...
【技术保护点】
一种提高NOR？FLASH擦写寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：S102，按照4K物理地址对应1K逻辑地址的原则，建立逻辑映射表T[m][n]，将NOR？FLASH的物理地址映射为逻辑地址，其中，m是逻辑地址页号，m的取值为0、1、2.....，n是有效数据的逻辑编号，T[m][n]的数值是有效数据存放的扇区号；S104，当进行逻辑写操作时，通过逻辑地址计算出m和n，查询逻辑映射表得到扇区编号，计算出物理地址并读出该物理地址的数据，并判断该数据是否为0xFFFF，若是，进入步骤S106，否则转入步骤S108；S106，将该数据写入该物理地址；S108，判断当前所在扇区是...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：甘景全，崔志民，张平，贺毅，杨大勇，李利，
申请(专利权)人：航天信息股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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