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本发明实施例提供了一种NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置，补偿方法包括：确定NAND FLASH中进行擦写操作的当前块；更新当前块的擦写次数；根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据擦写条件设置当前块的初始写电压和初始擦除电压...该专利属于北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司授权不得商用。