影像感测器制造技术

一种影像感测器包括一感测层、一滤光单元、以及一导电层。滤光单元设置于感测层。导电层环绕滤光单元，且设置于感测层。因此能使通过滤光单元的光线照射于一相邻的感测单元的部分减少，进而增进了影像感测器的影像品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种影像感测器，尤其涉及一种具有滤光单元以及环绕滤光单元的导电层的影像感测器。
技术介绍
一般而言，数码相机利用了影像感测器来感测光线以及产生一影像信号，且依据影像信号产生数码相机所拍摄的画面。随者数码相机的发展，对于影像信号的品质具有越来越高的要求。使用了背照式(BSI,backsideillumination)技术的影像感测器可具有光导管结构以引导光线照射至光电二极管。上述背照式影像感测器具有较高的光敏度以及影像品质。然而，虽然目前的影像感测器符合了其使用的目的，但尚未满足许多其他方面的要求。因此，需要提供影像感测器的改进方案。
技术实现思路
本专利技术提供了改进了影像信号的品质的影像感测器。本专利技术提供了一种影像感测器，包括一感测层、一滤光单元、以及一导电层。滤光单元设置于感测层上。导电层环绕滤光单元，且设置于感测层。本专利技术提供了一种影像感测器，包括一感测层、一滤光单元、一遮光层、以及一导电层。滤光单元设置于感测层。遮光层环绕滤光单元，且设置于感测层。导电层环绕滤光单元，且设置于遮光层。综上所述，由于滤光单元和导电层(或遮光层)设置于感测层上，因此能使通过滤光单元减少光线照射于一相邻的感测单元的光量，进而增进了影像感测器的影像品质。附图说明图1为本专利技术的第一实施例的影像感测器的示意图。图2为图1的A-A剖面的剖视图。图3为本专利技术的第二实施例的影像感测器的示意图。图4A为本专利技术的第三实施例的影像感测器的示意图。图4B为本专利技术的第四实施例的影像感测器的示意图。图5为本专利技术的第五实施例的影像感测器的示意图。图6为本专利技术的第六实施例的影像感测器的示意图。图7为本专利技术的第七实施例的影像感测器的示意图。其中，附图标记说明如下：影像感测器1感测层10基板11上表面112感测单元12、12a抗反射层13上表面14凹槽15滤光单元20、20a、20b、20c微透镜30导电层40反射层50遮光层60光束L1、L2、L3参考平面P1具体实施方式以下的说明提供了许多不同的实施例、或是例子，用来实施本专利技术的不同特征。以下特定例子所描述的元件和排列方式，仅用来精简的表达本专利技术，其仅作为例子，而并非用以限制本专利技术。例如，第一特征在一第二特征上或上方的结构的描述包括了第一和第二特征之间直接接触，或是以另一特征设置于第一和第二特征之间，以致于第一和第二特征并不是直接接触。此外，本说明书于不同的例子中沿用了相同的元件标号及/或文字。前述的沿用仅为了简化以及明确，并不表示于不同的实施例以及设定之间必定有关联。再者，附图中的形状、尺寸或是厚度可能为了清楚说明的目的而未依照比例绘制或是被简化，仅提供说明之用。图1为本专利技术的第一实施例的一影像感测器1的示意图。图2为图1的A-A剖面的剖视图。影像感测器1用以检测一影像。影像感测器1可应用于一影像装置，例如一数码相机。于一些实施例中，影像感测器1可为互补式金属氧化物半导体(CMOS,ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)感测器。于一些实施例中，影像感测器1为一背照式(BSI,backsideillumination)CMOS感测器。影像感测器1包括一感测层10、多个滤光单元20、多个微透镜30、一导电层40、以及一反射层50。感测层10沿一参考平面P1延伸。感测层10用以检测入射光且根据照射于感测层10的光量产生一影像信号。感测层10可包括所有下列的元件，但只要能达到感测层10的使用目的，可不需要包括所有下列的元件。感测层10包括一基板11、多个感测单元12、以及一抗反射层13。于一些实施例中，感测层10还包括其他选择性的多个层(图未示)。感测单元12设置于基板11。感测单元12可阵列排列于参考平面P1。于一些实施例中，感测单元12为光电二极管。每一感测单元12用以感测光线以及根据照射于其上的光线强度产生一强度信号。影像信号可经由强度信号来形成。抗反射层13设置于基板11且位于感测单元12的上方。抗反射层13用以减少照射至感测单元12的光线的反射。抗反射层13接触基板11的一上表面112。换句话说，抗反射层13沿着上表面112延伸。滤光单元20接触感测层10的抗反射层13。滤光单元20阵列排列于平行参考平面P1的一平面。每一滤光单元20设置于感测单元12的其中之一上。每一滤光单元20可允许于一预定范围内的波长的光线通过。于一些实施例中，如图2所示，滤光单元20为彩色滤光单元。滤光单元20包括多个红色滤光单元20a、多个绿色滤光单元20b、以及多个蓝色滤光单元20c。红色滤光单元20a、绿色滤光单元20b、以及蓝色滤光单元20c以阵列的方式排列。举例而言，红色滤光单元20a可允许波长为620nm至750nm(红光)的光线通过感测单元12。绿色滤光单元20b可允许波长为495nm至570nm(绿光)的光线通过感测单元12。蓝色滤光单元20c可允许波长为476nm至495nm(蓝光)的光线通过感测单元12。滤光单元20包括溶剂、丙烯酸树脂(acrylresin)、颜料(pigment)等。于一些实施例中，滤光单元20包括至少70wt％的丙烯酸树脂(acrylresin)。滤光单元20的折射率可为1.5至1.6之间。每一微透镜30设置于滤光单元20的其中之一上。微透镜30阵列排列于平行于参考平面P1的一平面。微透镜30用以将光线聚焦于感测单元12。微透镜30包括溶剂及丙烯酸树脂。于一些实施例中，微透镜30包括至少70wt％的丙烯酸树脂。微透镜30的折射率可为1.5至1.7。微透镜30的透光率高于95％。当光线照射于影像感测器1时，光线穿过微透镜30以及滤光单元20至感测单元12，且光线经由微透镜30聚焦。每一滤光单元20允许波长于一预定范围的光线通过。每一感测单元12根据照射于其上的光线的强度产生一强度信号，且影像信号可经由强度信号形成。导电层40环绕滤光单元20，且接触感测层10以及滤光单元20。导电层40为如图2所示的一网状结构，其可平行于参考平面P1。于此实施例中，滤光单元20以及导电层40接触抗反射层13。导电层40可用以耦接于一接地线(图未示)，用以去除影像感测器1的静电。于一些实施例中，导电层40为导电聚合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种影像感测器，其特征在于，包括：一感测层；一滤光单元，设置于该感测层；以及一导电层，环绕该滤光单元，且设置于该感测层。

【技术特征摘要】
2014.11.13 US 14/540,6751.一种影像感测器，其特征在于，包括：
一感测层；
一滤光单元，设置于该感测层；以及
一导电层，环绕该滤光单元，且设置于该感测层。
2.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述导电层为一导电
聚合物材料。
3.如权利要求2所述的影像感测器，其特征在于，所述导电聚合物材料
包括聚苯胺、聚砒咯、聚苯乙烯磺酸、自掺杂聚苯胺、自掺杂聚噻吩、或其
结合。
4.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述导电层的一透光
率小于20％。
5.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，还包括一反射层，环
绕该滤光单元，且设置于该导电层上。
6.如权利要求5所述的影像感测器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢锦全，陈浩民，郭武政，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71