DLC覆膜的成膜方法技术

[课题]本发明专利技术能够无需恒温装置之类的大型设备、腔室内的气体压力为低压时成膜速度也不下降地制造硬度及密合性优异的DLC覆膜。[解决手段]本发明专利技术提供DLC覆膜的成膜方法，其为通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法，将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压，作为供给于腔室内的成膜气体使用乙炔气体或甲烷气体，并且对于腔室内的气体的总压，在使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下，使用乙炔气体的情况下设为0.3Pa以上且3Pa以下，前述偏置电压设为0.9kV以上且2.2kV以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
(关联申请的相互参照)本申请是基于2013年11月6日向日本申请的日本特愿2013-230539号、2014年2月27日向日本申请的日本特愿2014-037364号、2014年9月9日向日本国申请的日本特愿2014-183701号而主张优先权，将其内容援引于此。本专利技术，涉及基板处理系统。
技术介绍
DLC(DiamondLikeCarbon：类金刚石碳)覆膜具有混合了金刚石与石墨这两者的中间的结构，硬度高、耐磨耗性、固体润滑性、热传导性、化学稳定性优异，因此被广泛地用于例如滑动部件、模型、切削工具类、耐磨耗性机械部件、研磨剂、磁·光学部件等各种部件的保护膜。作为DLC覆膜的成膜方法，已知主要为PVD(PhysicalVaporDeposition、物理蒸镀)法和CVD(ChemicalVaporDeposition、化学蒸镀)法两种。比较这些PVD法与CVD法时，比起PVD法CVD法的成膜速度更快，从能有效地成膜为复杂形状的物质的观点出发，使用CVD法成为主流。...

【技术保护点】
一种DLC覆膜的成膜方法，其为通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法，将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压、作为供给至腔室内的成膜气体，使用乙炔气体或甲烷气体、并且，对于腔室内的气体的总压，使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下、使用乙炔气体的情况下设为0.3Pa以上且3Pa以下，所述偏置电压设为0.9kV以上且2.2kV以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.06 JP 2013-230539;2014.02.27 JP 2014-037361.一种DLC覆膜的成膜方法，其为通过等离子体CVD法在基材上形
成DLC覆膜的成膜方法，
将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压、
作为供给至腔室内的成膜气体，使用乙炔气体或甲烷气体、
并且，对于腔室内的气体的总压，
使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下、
使用乙炔气体的情况下设为0.3Pa以上且3Pa以下，
所述偏置电压设为0.9kV以上且2.2kV以下。
2.根据权利要求1所述的DLC覆膜的成膜方法，其中，向作为成膜气
体的所述乙炔气体或甲烷气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：田代裕树，松冈宏之，渡边元浩，榊原渉，野上惣一郎，
申请(专利权)人：同和热处理技术株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP