【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年12月19日提交的申请号为10-2014-0184826的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术的各种实施例涉及一种半导体设计技术,更特别地,涉及一种包括非易失性存储器件的存储系统。
技术介绍
数据储存系统中包括的半导体存储器件一般分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件可以高速地执行写入操作和读取操作,但在没有电源时其储存的数据丢失。另一方面,即使没有电源,在非易失性存储器件中仍保留储存的数据。然而,写入和读取速度比较低。因此,为了保留储存的数据而不管是否有恒定的电源,使用非易失性存储器件。只读存储器(ROM)、掩蔽型只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)以及铁电随机存取存储器(FRAM)是非易失性存储器件的例子。此外,闪速存储器可以分类为NOR(或非)型和NAND(与非)型。闪速存储器在可以自由地执行编程和擦除操作方面具有随机存取存储器的优点,同时在即使没有电源时仍可以保留储存的数据方面具有只读存储器的优点。闪速存储器被广泛地用作诸如数字相机、个人数字助手(PDA)和MP3播放器的便携式电子装置的储存媒介。因此 ...
【技术保护点】
一种存储系统,包括:多个存储芯片,每个包括存储区和页缓冲器;地址表,适用于储存用于映射物理地址和逻辑地址的映射信息,所述物理地址用于以物理页为单位来识别多个相应的存储芯片的所述存储区,所述逻辑地址用于以逻辑页为单位来识别多个相应的存储芯片的所述存储区;目标表,适用于储存通过所述地址表而从顺序逻辑地址转换来的顺序物理地址;选择输出块,适用于:基于所述顺序物理地址来根据预设次序而以页为单位将所述存储芯片的所述存储区选择作为现选页,以及输出所述存储芯片之中的与所述现选页相对应的现选存储芯片的页缓冲器中所储存的数据;以及预期读取块,适用于:在所述现选存储芯片的所述页缓冲器中所储存的数据被输出的同时,读取期选页中所储存的数据以储存在所述存储芯片之中的与所述期选页相对应的期选存储芯片的页缓冲器中,所述期选页是即将在选择输出块中根据所述预设次序而次于所述现选页以被选择的页。
【技术特征摘要】
2014.12.19 KR 10-2014-01848261.一种存储系统,包括:
多个存储芯片,每个包括存储区和页缓冲器;
地址表,适用于储存用于映射物理地址和逻辑地址的映射信息,所述物理地址用于
以物理页为单位来识别多个相应的存储芯片的所述存储区,所述逻辑地址用于以逻辑页
为单位来识别多个相应的存储芯片的所述存储区;
目标表,适用于储存通过所述地址表而从顺序逻辑地址转换来的顺序物理地址;
选择输出块,适用于:基于所述顺序物理地址来根据预设次序而以页为单位将所述
存储芯片的所述存储区选择作为现选页,以及输出所述存储芯片之中的与所述现选页相
对应的现选存储芯片的页缓冲器中所储存的数据;以及
预期读取块,适用于:在所述现选存储芯片的所述页缓冲器中所储存的数据被输出
的同时,读取期选页中所储存的数据以储存在所述存储芯片之中的与所述期选页相对应
的期选存储芯片的页缓冲器中,所述期选页是即将在选择输出块中根据所述预设次序而
次于所述现选页以被选择的页。
2.根据权利要求1所述的存储系统,其中,当在相应的存储芯片中数据输入操作、
擦除操作或错误恢复操作被执行时,所述地址表更新所述映射信息。
3.根据权利要求2所述的存储系统,其中,从储存在所述地址表中的所述逻辑地址
中搜索所述顺序逻辑地址,而所述目标表将映射到搜索的逻辑地址的物理地址储存为所
述顺序物理地址。
4.根据权利要求3所述的存储系统,其中,所述目标表基于以所述预设次序施加的
所述顺序逻辑地址来以所述预设次序储存所述顺序物理地址。
5.根据权利要求4所述的存储系统,其中,在所述选择输出块中使用从根据所述预
设次序而先输入的顺序逻辑地址搜索并转换来顺序物理地址的同时,在所述地址表中搜
索根据所述预设次序而后输入的顺序逻辑地址并将其转换成顺序物理地址。
6.根据权利要求5所述的存储系统,
其中,每当执行选择操作时,所述选择输出块使用储存在所述目标表中的所述顺序
物理地址来以所述预设次序逐个选择所述存储芯片之中的任意一个存储芯片中的一页作
为现选页之一,以及当选择操作被连续执行第一循环次数时,所述存储芯片被分别选择
一次,以及
其中,所述选择输出块对应于所述预设次序而将所述选择操作连续执行预设次数,
以及当所述预设次...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴振,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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