发光二极管的封装方法技术

技术编号:13330213 阅读:27 留言:0更新日期:2016-07-11 20:28
本发明专利技术公开一种发光二极管的封装方法,其包含步骤:提供一发光二极管芯片,其固定在一外壳内,所述外壳包括一透明上盖以及一底座;涂布一封装胶体于所述透明上盖或底座,所述封装胶体包含一无机氧化物;烘烤所述封装胶体;组合所述透明上盖与所述底座,以形成一密闭空间;以及加热至一预设温度,使所述无机氧化物分别与所述透明上盖及所述底座发生共晶反应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种发光二极管的封装方法,特别是关于一种利用无机氧化物作为封装材料的封装方法。
技术介绍
半导体封装的目的是为了防止芯片受到外界环境的破坏,如水气、灰尘等等。以往在发光二极管(LED)芯片的封装中,常常使用有机封装胶密封其玻璃或塑料盖等透明材料,将发光二极管芯片保护于其中。常用的有机封装胶例如是环氧树脂(Epoxy)或硅胶。利用有机封装胶进行封装后的封装结构中,由于在接合处所使用的材料属于有机物,若长期曝晒于日光下或受到发光二极管本身的照射与热作用,非常容易产生材料脆化或老化,导致接合处的密合性下降而使得外在环境中的物质(如氧气、湿气)侵入,对发光二极管内部结构产生破坏,影响其使用寿命。此外,对于需要长期或频繁曝晒在日光下的发光二极管而言,在使用上也受到了极大限制。然而,在钙钛矿结构的太阳能电池中,通常所搭配的PEDOT:PSS等有机聚合物所形成的电洞传输层具有材料稳定性的问题,尤其是当太阳能电池总是在长期运行的情况下,此缺陷特别需要被改善。故,有必要提供一种发光二极管的封装方法,能够制造一密合性佳且不易受热或光影响的封装结构,以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种发光二极管的封装方法,以无机氧化物配制成封装胶体,再利用所述无机氧化物与所述发光二极管的上底座进行共晶反应,改善了受到长期热或光的影响而使接点结构脆化或老化的缺陷,且>达到更好的密合性及热耐受性,可大幅提高发光二极管的寿命及环境的适用性。为达成本专利技术的前述目的,本专利技术的一实施例提供一种发光二极管的封装方法,其特征在于:所述封装方法的步骤包含:(1)提供一发光二极管芯片,其固定在一外壳内,所述外壳包括一透明上盖以及一底座;(2)涂布一封装胶体于所述透明上盖或底座,所述封装胶体包含一无机氧化物;(3)烘烤所述封装胶体;(4)组合所述透明上盖与所述底座,以形成一密闭空间;以及(5)加热至一预设温度,使所述无机氧化物分别与所述透明上盖以及所述底座发生共晶反应。在本专利技术的一实施例中,所述底座包含一反射槽,用以承载所述发光二极管芯片。在本专利技术的一实施例中,所述反射槽是一杯状结构,具有一底部以及一侧壁。在本专利技术的一实施例中,所述底座的侧壁是通过所述封装胶体与所述透明上盖结合。在本专利技术的一实施例中,所述透明上盖是一透镜结构。在本专利技术的一实施例中,所述步骤(2)是以网印或点胶方式涂布所述封装胶体。在本专利技术的一实施例中,所述无机氧化物是包含氧化硅、氧化硼或其组合。在本专利技术的一实施例中,所述无机氧化物以重量计是介于30至60%之间。在本专利技术的一实施例中,所述步骤(3)的烘烤温度是介于250至450℃之间。在本专利技术的一实施例中,所述步骤(5)的所述预设温度是介于250℃至450℃之间。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:附图说明图1是本专利技术较佳实施例的发光二极管的封装方法的流程方块图。图2是本专利技术较佳实施例的发光二极管的封装构造的剖视图。具体实施方式以下各实施例的说明是参照附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者,本专利技术所提到的方向用语,例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等,仅是参照附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。首先,请参照图1,本专利技术的较佳实施例提供一种发光二极管的封装方法,主要包括步骤:(S1)提供一透明上盖以及一底座;(S2)涂布一封装胶体;(S3)烘烤所述封装胶体;(S4)组合所述透明上盖及所述底座;以及(S5)加热至一预设温度。本专利技术将于下文逐一详细说明较佳实施例的上述各步骤的实施细节及其原理。请参照图1及2所示,本专利技术较佳实施例的发光二极管的封装方法首先是:(S1)、提供一透明上盖21以及一底座22。在本步骤中,所述透明上盖21及所述底座22可以组成一外壳20,所述外壳20是用以密封及固定一发光二极管芯片10。所述透明上盖21可为一透镜结构,可将所述发光二极管芯片10所发出的光线聚焦,增加亮度。所述底座22优选是包含一反射槽221,用以反射所述发光二极管芯片10所发出的光线,可增加光的利用率。所述反射槽221具有一底部221a以及一侧壁221b,所述反射槽221优选的例如是一杯状结构。所述反射槽221的底部221a可承载所述发光二极管芯片10,此外,所述反射槽221的侧壁221b优选的是高于所述发光二极管芯片10设置于所述底部221a时的高度。所述透明上盖21的材质可例如是玻璃、透明塑料、石英等透明材料,所述底座22的材质可例如是环氧树脂、PCT板、陶瓷或玻璃纤维板(FR4)。所述反射槽221可以与所述底座嵌合或一体成形而形成。请继续参照图1及2所示,本专利技术较佳实施例的发光二极管的封装方法接着是:(S2)、涂布一封装胶体30于所述透明上盖21或底座22。所述封装胶体30是为一无机氧化物组成的无机胶体。所述无机氧化物可例如是包含有氧化硅、氧化硼或其组合的无机混合物,或最终会产生氧化硅、氧化硼或其组合的无机混合物,然不限于此。所述封装胶体30的组成可包含所述无机氧化物以及一添加剂。所述添加剂可例如作为溶剂,优选为具挥发性的有机溶剂,其用于使所述无机氧化物溶解于其中,以便于本步骤涂布使用,然所述添加剂的用途并不限于此,可依照封装胶体实际使用时的需求进行调整。所述无机氧化物相对于所述封装胶体30以重量计是介于30至60%重量百分比,可例如是30、45或55%,然不限于此。此外,所述封装胶体30的涂布方式优选的可例如使用网印或点胶等方式进行,然不限于此。所述封装胶体30涂布的位置亦不限制,但优选的是,将所述封装胶体30涂布于所述底座22上表面上,位于所述反射槽221的邻近区域,也就是在所述侧壁221b上方的表面。另外,所述封装胶体30也可涂布于所述透明上盖21的底缘。本专利技术较佳实施例的发光二极管的封装方法接着是:(S3)、烘烤所述封装胶体。在本步骤中,由于所述封装胶体30已涂布至所述透明上盖21或所述底座22,因此可通过将所述透明上盖21或所述底座22置于一烘箱中加热,直到将所述封装胶体30中所含有的溶剂或添加剂去除即可。一般而言,所需要的烘烤时间及温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的封装方法,其特征在于:所述封装方法包含步骤:(1)提供一发光二极管芯片,其固定在一外壳内,所述外壳包括一透明上盖以及一底座;(2)涂布一封装胶体于所述透明上盖或底座,所述封装胶体包含一无机氧化物;(3)烘烤所述封装胶体;(4)组合所述透明上盖与所述底座,以形成一密闭空间;以及(5)加热至一预设温度,使所述无机氧化物分别与所述透明上盖及所述底座发生共晶反应。

【技术特征摘要】
2014.08.08 TW 1031273361.一种发光二极管的封装方法,其特征在于:所述封装方法包含步骤:
(1)提供一发光二极管芯片,其固定在一外壳内,所述外壳包括一透明上
盖以及一底座;
(2)涂布一封装胶体于所述透明上盖或底座,所述封装胶体包含一无机氧
化物;
(3)烘烤所述封装胶体;
(4)组合所述透明上盖与所述底座,以形成一密闭空间;以及
(5)加热至一预设温度,使所述无机氧化物分别与所述透明上盖及所述底
座发生共晶反应。
2.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法,其特征在于:所述底座包含
一反射槽,用以承载所述发光二极管芯片。
3.如权利要求2所述的发光二极管的封装方法,其特征在于:所述反射槽是
一杯状结构,具有一底部以及一侧壁。
4.如权利要求3所述的发光二极管的封装方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄俊杰黄昭颖黄毓睿黄婉俞庄盛堂
申请(专利权)人:兆阳材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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